Contribuições ao desenvolvimento de filmes de diamante microcristalino dopados com enxofre

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Pinto, Marcio Augusto Sampaio, 1977-
Data de Publicação: 2007
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1606409
Resumo: Orientador: Vitor Baranauskas
id UNICAMP-30_313a34fb88e47ff18a73660f1f2fe796
oai_identifier_str oai::417642
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Contribuições ao desenvolvimento de filmes de diamante microcristalino dopados com enxofreContributions to the development of sulphur doped microcrystalline diamond filmsDiamante artificialSemicondutores dopadosFilmes semicondutoresMicrocrystalline diamondsSulphur dopingSemiconductorsOrientador: Vitor BaranauskasDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de ComputaçãoResumo: Apresentamos neste trabalho o desenvolvimento de filmes de diamante crescidos com adição de enxofre. Foram crescidos por deposição química a partir da fase vapor (diamante CVD) utilizando reatores do tipo filamento quente. Para a obtenção de diamante com condução do tipo-n, diluímos diferentes concentrações de dissulfeto de carbono (CS2) em etanol, cujo vapor foi arrastado para o reator pelo hidrogênio. Isto foi feito, pois o enxofre pode agir como doador em diamante. A espectroscopia Raman mostrou a boa qualidade dos filmes de diamante crescidos mesmo com o aumento da concentração de CS2. Ocorreu o deslocamento do pico do diamante indicando que houve um aumento médio nos comprimentos das ligações detectadas nas amostras, possivelmente devido à expansão da rede do diamante pela incorporação do enxofre. As imagens revelam uma perda da cristalinidade das amostras intermediárias e o ótimo facetamento das amostras iniciais e finais (baixa e alta concentração de CS2). Medidas elétricas pela sonda de quatro pontas revelaram que quanto mais o CS2 era adicionado, mais a resistividade dos filmes produzidos diminuía e que depois voltou a subir nas últimas amostras. Ao tratar as amostras com ácidos nítrico e sulfúrico para fazer medidas por efeito Hall, elas se tornaram isolantes. Esse fato revela que o banho removeu o material condutor e que pode ser devido à dopagem com enxofre nas áreas superficiais e intergranulares dos filmes. Medidas por efeito Hall de amostras que foram crescidas ao mesmo tempo das amostras tratadas pelo banho, mas sem passar por ele, apresentaram uma condução do tipo-p devido aos buracos, da mesma forma que as amostras relatadas em artigos na literatura em que não houve contaminação com boro, seja ela involuntária ou voluntária. Apresentaram também alta densidade de portadores e uma mobilidade razoável. A incorporação do enxofre no filme de diamante foi confirmada por medidas de XRF e de PIXE. O aumento do enxofre incorporado no filme não foi proporcional às crescentes concentrações de CS2. Isto sugere que nem todo átomo de enxofre é eletricamente ativo, isto é, nem todo enxofre age como um dopante nos filmes de diamante. Estudos recentes revelam que a presença do boro nas dopagens com enxofre têm sido decisiva na obtenção de diamante do tipo-nAbstract: We present in this work the development of grown diamond films with sulphur addition. They had been grown by chemical deposition from the vapor phase (diamond CVD) using reactors of the type hot filament. For the diamond attainment with conduction of the n-type, we diluted different concentrations of carbon disulfide (CS2) in ethyl alcohol, whose vapor was dragged into reactor by hydrogen. This was done, due to the fact that sulphur can act as a donor in diamond. The Raman spectroscopy showed exactly the good quality of the grown diamond films with the increase of the CS2 concentration. The displacement of the peak of the diamond occurred indicating that it had an average increase in the lengths of the linkings detected in the samples, possibly due to the expansion of the lattice of the diamond for the incorporation of sulphur. The images presented to a loss of the crystallinity of the intermediate samples and the excellent good crystalline facets of the initial and final samples (low and high concentration of CS2). The electric measures in four-point probe methods showed that the higher the concentration of CS2 the lower the resistivity of the produced films was, and afterwards, it went up again in the last samples. When treating the samples with nitric and sulphuric acids to make the measures for Hall effect, they had become insulators. This fact discloses that the bath removed the conducting material and that can be due to doping with sulphur in the surface and intergrain areas of the films. The Hall effect measures of the samples that had been grown at the same time of the samples treated for the bath, but without being through it, presented a conduction of the p-type due to the holes, in the same way that the samples described in articles in literature where they did not have contamination with boron, either involuntary or voluntary. They had also presented high density of carriers and a reasonable mobility. The incorporation of sulphur in the diamond film was confirmed by measures of XRF and PIXE. The increase of sulphur incorporated in the film was not proportional to the increasing concentrations of CS2. This suggests that nor all sulphur atom is electrically active, that is, not every sulphur acts as a dopant in the diamond films. Recent studies have disclosed that the presence of boron in the doping with sulphur has been decisive in the diamond attainment of the n-typeMestradoEletrônica, Microeletrônica e OptoeletrônicaMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Baranauskas, Vitor, 1952-2014Corrêa, Washington Luiz AlvesPeterlevitz, Alfredo CarlosCeragioli, Helder JoseUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de ComputaçãoPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASPinto, Marcio Augusto Sampaio, 1977-20072007-07-30T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf104 p. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1606409PINTO, Marcio Augusto Sampaio. Contribuições ao desenvolvimento de filmes de diamante microcristalino dopados com enxofre. 2007. 104 p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1606409. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/417642porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2017-02-18T05:05:11Zoai::417642Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2017-02-18T05:05:11Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Contribuições ao desenvolvimento de filmes de diamante microcristalino dopados com enxofre
Contributions to the development of sulphur doped microcrystalline diamond films
title Contribuições ao desenvolvimento de filmes de diamante microcristalino dopados com enxofre
spellingShingle Contribuições ao desenvolvimento de filmes de diamante microcristalino dopados com enxofre
Pinto, Marcio Augusto Sampaio, 1977-
Diamante artificial
Semicondutores dopados
Filmes semicondutores
Microcrystalline diamonds
Sulphur doping
Semiconductors
title_short Contribuições ao desenvolvimento de filmes de diamante microcristalino dopados com enxofre
title_full Contribuições ao desenvolvimento de filmes de diamante microcristalino dopados com enxofre
title_fullStr Contribuições ao desenvolvimento de filmes de diamante microcristalino dopados com enxofre
title_full_unstemmed Contribuições ao desenvolvimento de filmes de diamante microcristalino dopados com enxofre
title_sort Contribuições ao desenvolvimento de filmes de diamante microcristalino dopados com enxofre
author Pinto, Marcio Augusto Sampaio, 1977-
author_facet Pinto, Marcio Augusto Sampaio, 1977-
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Baranauskas, Vitor, 1952-2014
Corrêa, Washington Luiz Alves
Peterlevitz, Alfredo Carlos
Ceragioli, Helder Jose
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Pinto, Marcio Augusto Sampaio, 1977-
dc.subject.por.fl_str_mv Diamante artificial
Semicondutores dopados
Filmes semicondutores
Microcrystalline diamonds
Sulphur doping
Semiconductors
topic Diamante artificial
Semicondutores dopados
Filmes semicondutores
Microcrystalline diamonds
Sulphur doping
Semiconductors
description Orientador: Vitor Baranauskas
publishDate 2007
dc.date.none.fl_str_mv 2007
2007-07-30T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv (Broch.)
https://hdl.handle.net/20.500.12733/1606409
PINTO, Marcio Augusto Sampaio. Contribuições ao desenvolvimento de filmes de diamante microcristalino dopados com enxofre. 2007. 104 p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1606409. Acesso em: 2 set. 2024.
identifier_str_mv (Broch.)
PINTO, Marcio Augusto Sampaio. Contribuições ao desenvolvimento de filmes de diamante microcristalino dopados com enxofre. 2007. 104 p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1606409. Acesso em: 2 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1606409
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/417642
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
104 p. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809188978260180992

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