Estados eletrônicos e absorção óptica em semicondutores de baixa dimensionalidade

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Narvaez, Gustavo Arnaldo
Data de Publicação: 2000
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1590957
Resumo: Orientador: José Antonio Brum
id UNICAMP-30_7916114e43698ec845d60ac4d9209d2e
oai_identifier_str oai::218782
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Estados eletrônicos e absorção óptica em semicondutores de baixa dimensionalidadeTeoria dos excitonsMecânica quânticaFermi, Superfícies deSemicondutores - Propriedades óticasOrientador: José Antonio BrumTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Neste trabalho estudamos o efeito combinado da interação elétron-elétron e a mobilidade do buraco de valência nos estados eletrônicos e a absorção óptica em semicondutores de baixa dimensionalidade dopados com elétrons. Modelamos dois sistemas diferentes: i) pontos quânticos auto-organizados, e ii) sistemas bidimensionais. No primeiro caso calculamos a absorção óptica usando diagonalização exata para o cálculo dos estados eletrônicos finais na presença do buraco de valência. Nossos resultados mostram que o efeito combinado das interações e o recúo do buraco originam um espectro de absorção complexo que apresenta assinaturas claras do número de elétrons ocupando o ponto quântico. No caso de sistemas bidimensionais focalizamos nossa atenção em dois problemas específicos: i) o estado fundamental de um complexo de dois elétrons e um buraco de valência (tríon), e ii) os estados eletrônicos e absorção óptica de um gás de elétrons bidimensional. Por um lado, usando técnicas de diagonalização exata e o método variacional, mostramos que o efeito da mobilidade do buraco de valência no estado fundamental do tríon pode ser representado por uma interação adicional entre os elétrons. Esta nova interação modifica a correlação eletrônica e tende a diminuir a energia de ligação do complexo. Por outra parte, o estudo dos estados eletrônicos do gás de elétrons 2D foi feito na aproximação de campo médio (Hartree e funcional da densidade local) em um sistema finito. Calculamos o espectro de absorção óptica usando um modelo de um partícula que permite a inclusão dos efeitos da interação eletrônica e do recúo do buracoAbstract: In this work we study the combined effect of the electron-electron interaction and the valence-hole mobility on the electronic states and optical absorption in low dimensional electron doped semiconducting systems. We model two different systems : i) self-assembled quantum dots, and ii) two-dimensional systems. In the first case we calculate the optical absorption using exact diagnalization techniques to calculate the final electronic states in the presence of the valence-hole. Our results show that the combined effect of interactions and hole recoil originate a complex absorption spectrum with clear signatures of the number of electrons charging the dot. On the case of two-dimensional systems we focused in two specific problems: i) the ground state of a complex having two electrons and a valence hole (trion), and ii) the electronic states of a two-dimensional electron gas. Using exact diagonalization techniques and a variational method we show that the effect of the valence-hole mobility may be considered as an additional interaction among electrons. This new interaction modifies the electronic correlation and tends to decrease the binding energy of the complex. On the other side, the study of the electronic states of the two-dimensional electron gas was performed within a mean-field approximation (Hartree and local density functional) on a finite system. We calculate the absorption spectrum using a single-particle model that allows us to include the effect of electronic interactions and hole recoilDoutoradoFísicaDoutor em Ciências[s.n.]Brum, José Antônio, 1959-Studart Filho, NelsonScolfaro, Luisa Maria RibeiroMiranda, EduardoTessler, Leandro RussovskiUniversidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASNarvaez, Gustavo Arnaldo20002000-12-12T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf104 p. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1590957NARVAEZ, Gustavo Arnaldo. Estados eletrônicos e absorção óptica em semicondutores de baixa dimensionalidade. 2000. 104 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1590957. Acesso em: 14 mai. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/218782porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-13T10:06:13Zoai::218782Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-13T10:06:13Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Estados eletrônicos e absorção óptica em semicondutores de baixa dimensionalidade
title Estados eletrônicos e absorção óptica em semicondutores de baixa dimensionalidade
spellingShingle Estados eletrônicos e absorção óptica em semicondutores de baixa dimensionalidade
Narvaez, Gustavo Arnaldo
Teoria dos excitons
Mecânica quântica
Fermi, Superfícies de
Semicondutores - Propriedades óticas
title_short Estados eletrônicos e absorção óptica em semicondutores de baixa dimensionalidade
title_full Estados eletrônicos e absorção óptica em semicondutores de baixa dimensionalidade
title_fullStr Estados eletrônicos e absorção óptica em semicondutores de baixa dimensionalidade
title_full_unstemmed Estados eletrônicos e absorção óptica em semicondutores de baixa dimensionalidade
title_sort Estados eletrônicos e absorção óptica em semicondutores de baixa dimensionalidade
author Narvaez, Gustavo Arnaldo
author_facet Narvaez, Gustavo Arnaldo
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Brum, José Antônio, 1959-
Studart Filho, Nelson
Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Miranda, Eduardo
Tessler, Leandro Russovski
Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin
Programa de Pós-Graduação em Física
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Narvaez, Gustavo Arnaldo
dc.subject.por.fl_str_mv Teoria dos excitons
Mecânica quântica
Fermi, Superfícies de
Semicondutores - Propriedades óticas
topic Teoria dos excitons
Mecânica quântica
Fermi, Superfícies de
Semicondutores - Propriedades óticas
description Orientador: José Antonio Brum
publishDate 2000
dc.date.none.fl_str_mv 2000
2000-12-12T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv (Broch.)
https://hdl.handle.net/20.500.12733/1590957
NARVAEZ, Gustavo Arnaldo. Estados eletrônicos e absorção óptica em semicondutores de baixa dimensionalidade. 2000. 104 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1590957. Acesso em: 14 mai. 2024.
identifier_str_mv (Broch.)
NARVAEZ, Gustavo Arnaldo. Estados eletrônicos e absorção óptica em semicondutores de baixa dimensionalidade. 2000. 104 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1590957. Acesso em: 14 mai. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1590957
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/218782
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
104 p. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1799138360553373696