Ordem local na transição a-Si:H - uc-Si

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Bizuti, Ariathemis Moreno
Data de Publicação: 2005
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1605334
Resumo: Orientador: Leandro Russovski Tessler
id UNICAMP-30_5d3b0915791a208164083ca448499013
oai_identifier_str oai::404142
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Ordem local na transição a-Si:H - uc-SiLocal order in the transition a-Si:H - uc-SiSilícioEspectroscopia de raio XEspalhamento múltiplo (Física)Espectroscopia RamanSiliconX-ray spectroscopyMultiple scattering (Physics)Raman spectroscopyOrientador: Leandro Russovski TesslerDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) é um material amplamente usado na indústria microeletrônica. Ele é normalmente preparado a partir da decomposição do silano (SiH4). A diluição do silano em hidrogênio (H2) resulta em a-Si:H com propriedades eletrônicas superiores devido ao ataque químico preferencial às ligações mal-formadas. Níveis elevados de diluição resultam na formação de silício microcristalino (µc-Si). O objetivo deste trabalho é estudar o ordenamento da vizinhança química do silício através da transição a-Si:H ® µc-Si por espectroscopia de absorção de raios-X (XAS). Como a maior parte da desordem em a-Si:H manifesta-se na forma de variações nos ângulos de ligação, é necessário estudar o regime de espalhamento múltiplo (XANES), que corresponde às primeiras dezenas de energia (eV) acima da borda de absorção. Filmes finos de silício próximo à transição amorfo-microcristalino foram preparadas por HWCVD a partir de SiH4 diluido em H2. Nas condições utilizadas, a nucleação de µc-Si ocorre a partir de uma espessura crítica de aproximadamente 100 nm. Depositando-se amostras em forma de cunha é possível obter uma superfície de a-Si:H de um lado da amostra e de µc-Si do outro. Também foram investigadas amostras preparadas por PECVD em condições próximas à formação de pó no reator (chamadas de silício polimorfo, ou seja, entre amorfo e policristalino). Em princípio elas poderiam ter uma estrutura local mais ordenadaAbstract: Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) is a material very used in the microelectronics industry. It is usually prepared starting from the decomposition of the silane (SiH4). Hydrogen dilution of the silane source gas is used to grow a-Si:H with superior electronics properties due to the preferential chemical attack to the bad formed bonding. High hydrogen levels induce the growth of microcrystalline silicon (µc-Si). The objective this work is study the order of the chemical neighborhood of the silicon through the transition a-Si:H ® µc-Si for x-ray-absorption Spectroscopy (XAS). As most of the disorder in the a-Si:H shows in the form of bonding angles variation, it is necessary to study the multiple scattering regime (XANES), that corresponds to the first dozens of energy (eV) above the absorption edge. Thin silicon films close the transition amorphous-microcrystalline was prepared for hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD). For these conditions, the nucleation of the µc-Si oc-curs at a critical thickness of approximately 100 nm. Deposited the samples in the wedge form, it is possible to get a-Si:H surface in the one side and µc-Si in the other side. Also prepared samples were investigated for PECVD in close conditions to the powder formation in the reactor (calls of silicon polymorphous, a silicon sample between amorphous and polycrystalline) with the local order structureMestradoFísica da Matéria CondensadaMestre em Física[s.n.]Tessler, Leandro Russovski, 1961-Landers, RichardFantini, Marcia Carvalho de AbreuUniversidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASBizuti, Ariathemis Moreno20052005-12-21T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf46 f. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1605334BIZUTI, Ariathemis Moreno. Ordem local na transição a-Si:H - uc-Si. 2005. 46 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1605334. Acesso em: 15 mai. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/404142porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-04-30T08:01:57Zoai::404142Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-04-30T08:01:57Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Ordem local na transição a-Si:H - uc-Si
Local order in the transition a-Si:H - uc-Si
title Ordem local na transição a-Si:H - uc-Si
spellingShingle Ordem local na transição a-Si:H - uc-Si
Bizuti, Ariathemis Moreno
Silício
Espectroscopia de raio X
Espalhamento múltiplo (Física)
Espectroscopia Raman
Silicon
X-ray spectroscopy
Multiple scattering (Physics)
Raman spectroscopy
title_short Ordem local na transição a-Si:H - uc-Si
title_full Ordem local na transição a-Si:H - uc-Si
title_fullStr Ordem local na transição a-Si:H - uc-Si
title_full_unstemmed Ordem local na transição a-Si:H - uc-Si
title_sort Ordem local na transição a-Si:H - uc-Si
author Bizuti, Ariathemis Moreno
author_facet Bizuti, Ariathemis Moreno
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Tessler, Leandro Russovski, 1961-
Landers, Richard
Fantini, Marcia Carvalho de Abreu
Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin
Programa de Pós-Graduação em Física
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Bizuti, Ariathemis Moreno
dc.subject.por.fl_str_mv Silício
Espectroscopia de raio X
Espalhamento múltiplo (Física)
Espectroscopia Raman
Silicon
X-ray spectroscopy
Multiple scattering (Physics)
Raman spectroscopy
topic Silício
Espectroscopia de raio X
Espalhamento múltiplo (Física)
Espectroscopia Raman
Silicon
X-ray spectroscopy
Multiple scattering (Physics)
Raman spectroscopy
description Orientador: Leandro Russovski Tessler
publishDate 2005
dc.date.none.fl_str_mv 2005
2005-12-21T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv (Broch.)
https://hdl.handle.net/20.500.12733/1605334
BIZUTI, Ariathemis Moreno. Ordem local na transição a-Si:H - uc-Si. 2005. 46 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1605334. Acesso em: 15 mai. 2024.
identifier_str_mv (Broch.)
BIZUTI, Ariathemis Moreno. Ordem local na transição a-Si:H - uc-Si. 2005. 46 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1605334. Acesso em: 15 mai. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1605334
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/404142
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
46 f. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1799138428913188864

Registros relacionados