Semicondutor saturado

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Reis, Fabio Gonçalves dos, 1945-
Data de Publicação: 1979
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579937
Resumo: Orientador: Roberto Luzzi
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spelling Semicondutor saturadoSemicondutoresOrientador: Roberto LuzziTese (doutorado) Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Este trabalho visa fundamentalmente o estudo da fase saturada em semicondutores em termos de um formalismo de quasi-partrculas. Para isto, começamos apresentando no parágrafo 1.1 a evolução dos fenômenos relacionados à excitação em semicondutores, no qual situamos a fase em estudo. A seguir, nos parágrafos ( 1.2 ) e ( 1.3 ) fazemos uma exposição teórica da formação dessa fase e introduzimos nesse formalismo a interação Coulombiana, tendo por objetivo analisar excitações de caráter coletivo no sistema., o que é feito no Cap.2. É mostrado que a característica fundamental do estado saturado está relacionado com o aparecimento de um gap em torno dos quasi-níveis de energia, que dependem da direção da luz incidente e do momento dos elétrons. O formalismo em termos de quasi-partículas é então montado e mostramos com isto que a fase saturada é uma fase estável. Com o intuito de entender os fenômenos termodinâmicos relacionados à fase satutada propomos no parágrafo ( 1.5 ) um cálculo de seu potencial termodinâmico. No Capítulo 2, levando em conta os efeitos de excitação coletiva, encontramos com a aproximação RPA a constante dielétrica da fase saturada. Como existe uma relação entre aparte Imaginária da constante dielétrica com a secção eficaz de espalhamento, pudemos obter uma confirmação da existência do gap, pois só haverá espalhamento quando a frequência é duas vezes o valor desse gap. No Capítulo 3 fazemos inicialmente uma revisão do efeito Josephson em supercondutores pelo método de pseudo-spin dado por Anderson e propomos uma generalização simples e direta para reobter os resultados dados por Josephson, quando mostrou a existência de uma super corrente numa função supercondutora. Estes resultados são adaptados em continuação para estudar a possibilidade de tunelamento em junção entre semi-condutor saturadosAbstract: Not informedDoutoradoFísicaDoutor em Ciências[s.n.]Luzzi, Roberto, 1936-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASReis, Fabio Gonçalves dos, 1945-19791979-07-21T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf104 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579937REIS, Fabio Gonçalves dos. Semicondutor saturado. 1979. 104 f. Tese (doutorado) Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579937. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/55910porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-04-29T10:02:48Zoai::55910Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-04-29T10:02:48Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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