Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti de, 1962-
Data de Publicação: 1996
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584678
Resumo: Orientadores: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho, Peter Junger Tatsch
id UNICAMP-30_6c75c7d68cb61d13bcaa6ffe393cc606
oai_identifier_str oai::115318
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo CzochalskiSemicondutoresOptoeletrônicaCristais - CrescimentoOrientadores: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho, Peter Junger TatschTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de ComputaçãoResumo: Foram crescidos tarugos monocristalinos de antimoneto de gálio (GaSb), de arseneto de gálio (GaAs) e de fosfeto de índio (InP) utilizando-se as técnicas Czochra1ski,para o GaSb, e Liquid Encapsulated Czochralski (LEC), para os outros dois, tendo como objetivo o domíno e aperfeiçoamento das técnicas de crescimento e também a obtenção de lâminas monocristalinas destes materiais para serem utilizadas como substratos em epitaxia. Os tarugos monocristalinos de GaSb de 25mm de diâmetro foram crescidos na direção <100> com e sem dopagem intencional. Os cristais não dopados resultaram em tipo-p com concentrações de portadores entre 9,0 x '10 POT. 16 cm POT. -3¿ e 1,3 x ¿10 POT. 17 cm POT. ¿3¿. Os dopados (tipo-n) com telúrio (Te) apresentaram concentrações de portadores entre 4,3 x ¿10 POT. 17 cm POT. ¿3¿ e 3,8 x ¿10 POT. 18 cm POT. ¿3¿, de acordo com a quantidade de Te inicialmente acrescentada ao melt. A densidade de defeitos cristalinos (EPD) das amostras é da ordem de ¿10 POT. 3 cm POT. ¿2¿. O aperfeiçoamento introduzido à técnica de crescimento foi o pré-tratamento químico-térmico do gálio (Ga) e do antimônio (Sb) para contornar a formação de óxidos na superficie do melt durante o puxamento do cristal ¿ um problema típico da técnica de crescimento utilizada. Foi também desenvolvido um procedimento para a determinação das densidades de doadores e aceitadores para as amostras (tipo-n), levando-se em conta as duas bandas de condução envolvidas ('gama¿ e L). Os crescimentos de GaAs realizados neste trabalho tiveram como principal objetivo a calibração do sistema de crescimento LEC visando o posterior puxamento dos tarugos de InP. Os tarugos de GaAs foram crescidos na direção <100>, com diâmetro em torno de 25mm, não dopados intencionalmente. Foram cortadas lâminas destes tarugos as quais apresentaram características elétricas do (tipo-n), com 'n POT. H¿ em torno de 1,9 x 10 POT. 16 cm POT. ¿3¿ e EPD da ordem de ¿10 POT. 5 cm POT. ¿2¿. Monocristais de InP foram crescidos na direção <100> sem a adição de dopantes ((tipo-n)), dopados com enxofre (S) ((tipo-n)), dopados com zinco (Zn) (tipo-p) e dopados com ferro (Fe) (semi-isolantes). As lâminas não dopadas apresentaram ' n ANTPOT. H¿ entre 3,3 x 'l0 POT. 15 cm POT. ¿3¿ e 8,6 x 'l0 POT. 16 cm POT. ¿3¿,as do (tipo-n) apresentaram 'n ANTPOT. H¿ de 4,3 x 'l0 POT. 17 cm POT. ¿3¿ até 6,4 x ¿10 POT. 18 cm POT. ¿3¿, as do tipo-p apresentaram 'n ANTPOT. H¿ entre 2,9 x 10 POT. 17 cm-3e 5,1 x ¿10 POT. 18 cm POT. ¿3¿ e as semi-isolantes apresentaram resistividade de ' 1,0 x 'l0 POT. 7 'ômega¿ cm. O valor médio do EPD para estas lâminas foi da ordem de ¿10 POT. 4 cm POT. ¿2¿. A inovação proposta à técnica de crescimento utilizada foi o uso de cadinhos de um material alternativo ¿ o carbono vítreoDoutoradoEletrônica e ComunicaçõesDoutor em Engenharia Elétrica[s.n.]Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-Tatsch, Peter Jürgen, 1949-Prince, Francisco Carlos deHernandes, Antonio CarlosDamiani, FurioSwart, Jacobus WillibrordusCaram Junior, RubensChiquito, Jose GeraldoUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de ComputaçãoPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASOliveira, Clovis Eduardo Mazzotti de, 1962-19961996-12-10T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf96 f. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584678OLIVEIRA, Clovis Eduardo Mazzotti de. Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski. 1996. 96 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584678. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/115318porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-05-27T15:23:56Zoai::115318Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-05-27T15:23:56Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski
title Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski
spellingShingle Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski
Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti de, 1962-
Semicondutores
Optoeletrônica
Cristais - Crescimento
title_short Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski
title_full Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski
title_fullStr Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski
title_full_unstemmed Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski
title_sort Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski
author Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti de, 1962-
author_facet Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti de, 1962-
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-
Tatsch, Peter Jürgen, 1949-
Prince, Francisco Carlos de
Hernandes, Antonio Carlos
Damiani, Furio
Swart, Jacobus Willibrordus
Caram Junior, Rubens
Chiquito, Jose Geraldo
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti de, 1962-
dc.subject.por.fl_str_mv Semicondutores
Optoeletrônica
Cristais - Crescimento
topic Semicondutores
Optoeletrônica
Cristais - Crescimento
description Orientadores: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho, Peter Junger Tatsch
publishDate 1996
dc.date.none.fl_str_mv 1996
1996-12-10T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv (Broch.)
https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584678
OLIVEIRA, Clovis Eduardo Mazzotti de. Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski. 1996. 96 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584678. Acesso em: 2 set. 2024.
identifier_str_mv (Broch.)
OLIVEIRA, Clovis Eduardo Mazzotti de. Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski. 1996. 96 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584678. Acesso em: 2 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584678
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/115318
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
96 f. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809188797057859584

Registros relacionados