Pontos quânticos de InAs em GaAs crescidos usando Te como surfactante.

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Gustavo de Almeida Magalhaes Safar
Data de Publicação: 1997
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/BUOS-9GJNT3
Resumo: Amostras de Te/GaAs são fabricadas por MBE e examinadas por RHEED e RBS, sob diferentes condições de tratamento térmico. Amostras de InAs/Te/GaAs e InAs/GaAs são examinadas ao microscópio de força atômica, para diferentes coberturas de InAs e de Te. Com base nestas amostras, amostras de pontos quânticos auto-organizados de InAs em GaAs, com e sem Te, são produzidas e medidas de fotoluminescência são realizadas. Mostra-se que o Te influi no crescimento epitaxial do InAs sobre o GaAs, e também no sinal de fotoluminescência das amostras de pontos quânticos de InAs em GaAs.
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