Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Sato, Julio Noboru
Data de Publicação: 1996
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584100
Resumo: Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho
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spelling Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBESemicondutores de arsenieto de gálioOrientador: Mauro Monteiro Garcia de CarvalhoDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Apresentamos neste trabalho um estudo de crescimento homoepitaxial de GaAs que tem por objetivo calibrar o sistema CBE montado na Unicamp, auxiliando no crescimento de ligas ternárias e quaternárias. A escolha do crescimento de GaAs está baseada na sua grande importância em micro e optoeletrônica, assim como no fato de existir uma ampla referência bibliográfica sobre esta liga binária. Em nosso trabalho, mostramos que o modelo de Robertson e Donnelly pode ser usado para explicar o comportamento das taxas de crescimento obtidas. Mostramos, também, que a troca de marca do craqueador bem como a mudança da temperatura de craqueamento, influenciaram as características morfológicas, elétricas e de raio-X das amostras crescidas. Por fim, verificamos que as dopagens com silício e berílio, para as concentrações estudadas, são proporcionais a taxa de evaporação dos respectivos dopantesAbstract: In this work we present a study on the growth of homoepitaxy of GaAs. Its goal is to calibrate the Chemical Beam Epitaxy system installed at this University, to help in the growth of ternary and quaternary alloys. The choice for GaAs growth was based on its importance for micro and optoelectronics, as well as on the existence of considerable amount of literature on this binary material. In our work we show that the model proposed by Robertson and Donnelly can be used to explain the behavior of the growth rate with respect to growth parameters. We also show that the use of two different cracker cells affected the morphological, electrical and crystallographic characteristics of the material. These characteristics were investigated as a function of the cracker cell temperature. Finally, we verified that Si and Be doping, for the doping levels considered in this study, are proportional to the evaporation rate of the sources usedMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-Mammana, Alaide PellegriniMeneses, Eliermes ArraesUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASSato, Julio Noboru19961996-10-16T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf67 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584100SATO, Julio Noboru. Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE. 1996. 67 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584100. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/112941porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-27T11:12:45Zoai::112941Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-27T11:12:45Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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