Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Takeuti, Douglas de Freitas
Data de Publicação: 1992
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576771
Resumo: Orientador : Edmundo da Silva Braga
id UNICAMP-30_a5d435e58e558f3fee172097b6ba43c2
oai_identifier_str oai::46026
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantesMicroeletrônicaEngenharia elétricaOrientador : Edmundo da Silva BragaDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia EletricaResumo: Estudamos o comportamento de capacitores Metal-Óxido-Semicondutor (MOS, aluminio-Si02-Si) após irradiação por raios-X (CU K-a ) e seu posterior tratamento térmico na faixa de temperatura (350 - 450)oC. Os óxidos foram crescidos termicamente, em ambiente de 02+TCE, sobre substratos Si(100), tipos-n e p, com concentrações de dopantes da ordem NaD¿10 9 cm -2 , espessura tox=100nm,área A=500x500 µ2. Apresentaram densidade de cargas móveis de NmD¿5.10cm -3 (medida a 205oC), densidade de cargas fixas de Nf 1.1010cm-2 e densidade de cargas capturadas na interface de Dit ¿ 4.10 10cm-2 eV-1(caracterização feita por técnicas C-V quase estática-QSCV, alta freqüência-HFCV e de varredura triangular em tensão-TVS). A irradiação dos dispositivos provocou alta densidade de estados de interface (Dit=5.10 cm eV-1 ), em contraste com baixa densidade de cargas capturadas no óxido (Not ¿ 4.10 10cm-2) . Os recozimentos foram feitos em etapas sucessivas, com atmosfera de N2, usando fornos convencionais e de processamento rápido e indicam que o tempo de recozimento dos defeitos induzidos é da ordem de 5 minutos a 420 oC. Para tempos maiores, observou-se aumento de Dit e a criação de histereses nas curvas HFCVAbstract: Not informed.MestradoMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Braga, Edmundo da Silva, 1945-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia ElétricaPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASTakeuti, Douglas de Freitas19921992-05-28T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf[109]f. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576771TAKEUTI, Douglas de Freitas. Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes. 1992. [109]f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576771. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/46026Publicação FEEporreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2014-04-17T23:14:33Zoai::46026Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2014-04-17T23:14:33Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes
title Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes
spellingShingle Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes
Takeuti, Douglas de Freitas
Microeletrônica
Engenharia elétrica
title_short Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes
title_full Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes
title_fullStr Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes
title_full_unstemmed Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes
title_sort Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes
author Takeuti, Douglas de Freitas
author_facet Takeuti, Douglas de Freitas
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Braga, Edmundo da Silva, 1945-
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Takeuti, Douglas de Freitas
dc.subject.por.fl_str_mv Microeletrônica
Engenharia elétrica
topic Microeletrônica
Engenharia elétrica
description Orientador : Edmundo da Silva Braga
publishDate 1992
dc.date.none.fl_str_mv 1992
1992-05-28T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv (Broch.)
https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576771
TAKEUTI, Douglas de Freitas. Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes. 1992. [109]f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576771. Acesso em: 2 set. 2024.
identifier_str_mv (Broch.)
TAKEUTI, Douglas de Freitas. Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes. 1992. [109]f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576771. Acesso em: 2 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576771
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/46026
Publicação FEE
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
[109]f. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809188721975623680

Registros relacionados