Dispositivos semicondutores de alta velocidade : contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Kretly, Luiz Carlos, 1950-
Data de Publicação: 1992
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576303
Resumo: Orientador: Attilio Jose Giarola
id UNICAMP-30_a97d7dceaa27da45f4ee3833c8500f38
oai_identifier_str oai::42535
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Dispositivos semicondutores de alta velocidade : contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicronSemicondutoresMicroeletrônicaEngenharia elétricaOrientador: Attilio Jose GiarolaTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia EletricaResumo: Este trabalho descreve a tecnologia desenvolvida para construção de MESFETs de GaAs, (Metal Semiconductor Field Effect Transistors de Arseneto de Gálio), com geometria de porta mícron e submicron. Apresenta em detalhes todas as etapas para a construção destes dispositivos e os resultados obtidos. Mostramos que, a partir de fotolitografia convencional e procedimentos com técnicos de auto-alinhamento, é possível construir transitores MESFETs de GaAS para aplicação analógica (faixa de microondas) e com potencialidades para operação em circuitos intregrados digitais de GaAs. Transistores foram construídos usando esta técnica e as características estatísticas e dinâmicas obtidas estão de conformidade com as especificações típicas destes dispositivos, amplamente divulgados na literatura. Apresentamos, também, um amplo estudo, em forma de ¿tutorial¿, de várias alternativas tecnológicas para conturção de MESFESTs. Ainda, uma extensa análise dos modelos para MESFETs é apresentada, indicando a evolução destes, particularmente quanto à interpretação dos fenômenos ligados ao dispositivo. Uma simulação numérica é também desenvolvida para analisar o comportamento dinâmico de domínios estacionários de carga, em função da polarização de porta e de dreno para MESFETs de GaAs com porta submicron, o que permitiu identificar aprimoramentos a serem introduzidos nos modelos existentesAbstract: this work describes the technology developed for the construction of GaAs MESFET¿s (Gallium Arsenide Metal Semiconductor Field Effect Transistors) with micron and submicron gate geometry. It describes in detail all the steps for the construction of these devices and the results obtained. It is shown that GaAs MESPETs, for analogical applacation in the microwave range and with potencial for operation in integrated digital circuits, may be constructed with conventional photolithography and with a self-aligment technique. Transitors were constructed using this technique and the DC and dynamic characteristics are in agreement with the specifications of typical MEFETs devices reported in the literature. A general study is also shown, in tutorial form, of the various technological alternatives for the construction of MESFETs. In addition, an extensive analysis of MESFETs models is also presented indicating their evolution, particulary with respect to the interpretation of of the phenomena associated with the divice. A numerical simulation was also developed for the analysis of the stationary charge domain behavior as a function of gate and drain bias of GaAs MEFETs with a submicron gate, thus allowing the identification of improvements to be introduced in the existing modelsDoutoradoDoutor em Engenharia Elétrica[s.n.]Giarola, Attilio Jose, 1930-2010Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia ElétricaPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASKretly, Luiz Carlos, 1950-19921992-03-20T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf[362]f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576303KRETLY, Luiz Carlos. Dispositivos semicondutores de alta velocidade: contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron. 1992. [362]f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576303. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/42535porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2022-05-06T17:36:59Zoai::42535Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2022-05-06T17:36:59Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Dispositivos semicondutores de alta velocidade : contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron
title Dispositivos semicondutores de alta velocidade : contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron
spellingShingle Dispositivos semicondutores de alta velocidade : contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron
Kretly, Luiz Carlos, 1950-
Semicondutores
Microeletrônica
Engenharia elétrica
title_short Dispositivos semicondutores de alta velocidade : contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron
title_full Dispositivos semicondutores de alta velocidade : contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron
title_fullStr Dispositivos semicondutores de alta velocidade : contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron
title_full_unstemmed Dispositivos semicondutores de alta velocidade : contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron
title_sort Dispositivos semicondutores de alta velocidade : contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron
author Kretly, Luiz Carlos, 1950-
author_facet Kretly, Luiz Carlos, 1950-
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Giarola, Attilio Jose, 1930-2010
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Kretly, Luiz Carlos, 1950-
dc.subject.por.fl_str_mv Semicondutores
Microeletrônica
Engenharia elétrica
topic Semicondutores
Microeletrônica
Engenharia elétrica
description Orientador: Attilio Jose Giarola
publishDate 1992
dc.date.none.fl_str_mv 1992
1992-03-20T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576303
KRETLY, Luiz Carlos. Dispositivos semicondutores de alta velocidade: contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron. 1992. [362]f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576303. Acesso em: 2 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576303
identifier_str_mv KRETLY, Luiz Carlos. Dispositivos semicondutores de alta velocidade: contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron. 1992. [362]f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576303. Acesso em: 2 set. 2024.
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/42535
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
[362]f. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809188717178388480

Registros relacionados