Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Badan, Tomás Antônio Costa
Data de Publicação: 1996
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1583678
Resumo: Orientador: Furio Damiani
id UNICAMP-30_e2bd83d0177233de868fcfabfdf1af39
oai_identifier_str oai::107827
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAsSemicondutores de arsenieto de gálioMicroeletrônicaSistemas eletrônicos analógicosTransistoresProcessos de fabricaçãoOrientador: Furio DamianiDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia EletricaResumo: Este trabalho é uma contribuição ao desenvolvimento de transistores MESFETs em arseneto de gálio para uso em Circuito Integrados (CIs) de alta velocidade. Inicialmente são descritos processos de fabricação em arseneto de gálio: a obtenção de substratos monocristalinos, a implantação iônica, o recozimento para ativar os dopantes, a realização de contatos. É desenvolvido o modelo matemático que rege sua física do estado sólido, usado pelo programa PRISM. Os resultados obtidos com o programa de simulação de processos SUPREM-IV.GS foram fornecidos ao programa PRISM, que efetua uma análise do comportamento elétrico do MESFETs fabricados; esse procedimento foi realizado de forma iterativa, até serem obtidos parâmetros apropriados para a fabricação de transistores de enriquecimento e de depleção para CIs digitaisAbstract: This work is a contribution to the development of GaAs MESFETs transistors to use in high speed integrated circuits (CIs). Initially are described the GaAs manufacture processes: monocrystal substrate fabrication, ion implantation, thermal annealing to activate the implanted impurities, contact fabrications. It is developed the mathematical mo deI of the solid state physics used by the PRISM programo The results were first obtained with the SUPREM-IV.GS program that simulate the process and then passed to PRISM program that analyses the electrical behavior of MESFET devices; that procedure was done in an iterative way until the achievement of suitable parameters to the manufacture of both depletions and enhancement transistors to use in digital CIsMestradoMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Damiani, Furio, 1943-2016Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia ElétricaPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASBadan, Tomás Antônio Costa19961996-06-14T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf89f. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1583678BADAN, Tomás Antônio Costa. Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs. 1996. 89f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1583678. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/107827porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2017-02-18T02:28:15Zoai::107827Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2017-02-18T02:28:15Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs
title Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs
spellingShingle Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs
Badan, Tomás Antônio Costa
Semicondutores de arsenieto de gálio
Microeletrônica
Sistemas eletrônicos analógicos
Transistores
Processos de fabricação
title_short Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs
title_full Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs
title_fullStr Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs
title_full_unstemmed Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs
title_sort Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs
author Badan, Tomás Antônio Costa
author_facet Badan, Tomás Antônio Costa
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Damiani, Furio, 1943-2016
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Badan, Tomás Antônio Costa
dc.subject.por.fl_str_mv Semicondutores de arsenieto de gálio
Microeletrônica
Sistemas eletrônicos analógicos
Transistores
Processos de fabricação
topic Semicondutores de arsenieto de gálio
Microeletrônica
Sistemas eletrônicos analógicos
Transistores
Processos de fabricação
description Orientador: Furio Damiani
publishDate 1996
dc.date.none.fl_str_mv 1996
1996-06-14T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv (Broch.)
https://hdl.handle.net/20.500.12733/1583678
BADAN, Tomás Antônio Costa. Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs. 1996. 89f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1583678. Acesso em: 2 set. 2024.
identifier_str_mv (Broch.)
BADAN, Tomás Antônio Costa. Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs. 1996. 89f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1583678. Acesso em: 2 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1583678
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/107827
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
89f. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809188787636404224

Registros relacionados