Transientes ultra-rápidos de transporte em plasmas semicondutores submetidos a campos elétricos intensos

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Freire, Valder Nogueira
Data de Publicação: 1988
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577936
Resumo: Orientador: Roberto Luzzi
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spelling Transientes ultra-rápidos de transporte em plasmas semicondutores submetidos a campos elétricos intensosTransistoresSemicondutoresCampos elétricosOrientador: Roberto LuzziTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Utilizando uma Teoria Não-linear de Transporte obtido do operador estatístico de não-equilibrio de Zubarev, obtém-se as equações que governam a evolução do estado de não-equilibrio de semicondutores polares de gap direto altamente fotoexcitados submetidos a intensos campos elétricos contínuos. É demonstrada a possibilidade de existência de três diferentes tipos de comportamento dos transientes rápidos da mobilidade: (i) estrutura (i.e. existência de máximos e mínimos) sem overshoot em campos baixos, (ii) estrutura com overshoot em campos intermediários, (iii) evolução normal (nenhuma estrutura) em campos intensos. Um critério para existência destes transientes ultra-rápidos é deduzido e cálculos numéricos apropriados ao problema de transporte portadores no vale central do GaAs são efetuados, indicando condições para a sua confirmação experimentalAbstract: Using a Nonlinear Transport Theory derived from the nonequilibrium statistical operator in Zubarev's approach, the equations that govern the evolution of the nonequilibrium state of a highly photoexcited direct-gap polar semiconductor submitted to high electric DC fields is obtained. It is demonstrated the possibility of the existence of three differentiated types of behaviour of the ultrafast mobility transient: (i) structure (i.e. existence of maxima and minima) without overshoot at low fields, (ii) structure with overshoot at intermediate fields, (iii) normal evolution (no structure) at high fields. A criterion for the occurrence of this structured ultrafast mobility transient is established, and numerical calculations appropriated for carriers transport in the central valley of GaAs are performed, showing conditions for its realizationDoutoradoFísicaDoutor em Ciências[s.n.]Luzzi, Roberto, 1936-Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASFreire, Valder Nogueira19881988-02-24T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf137 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577936FREIRE, Valder Nogueira. Transientes ultra-rápidos de transporte em plasmas semicondutores submetidos a campos elétricos intensos. 1988. 137 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577936. Acesso em: 14 mai. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/48274porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-04-29T10:10:11Zoai::48274Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-04-29T10:10:11Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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