Estudo das propriedades óticas, elétricas e estruturais de filmes vaporizados de Sn O2 : F
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 1985 |
Tipo de documento: | Tese |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) |
Texto Completo: | https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577514 |
Resumo: | Orientador: Iris C. L. de Torriani |
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Estudo das propriedades óticas, elétricas e estruturais de filmes vaporizados de Sn O2 : FFilmes finos - Propriedades óticasOrientador: Iris C. L. de TorrianiTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Filmes finos de dióxido de estanho dopado com flúor foram produzidos pelo método convencional de vaporização sobre substrato de vidro Corning 7059. As propriedades óticas elétricas dos filmes foram determinadas como função da temperatura de substrato (200 - 490ºC) e da concentração de dopante na solução básica de vaporização. A transmitância no visível e infravermelho próximo, como também a resistividade elétrica dos filmes decresceu com o aumento da concentração do flúor. As melhores propriedades eletro-óticas (transmitância média de 75% resistividade elétrica de 10-3 Wcm) foram obtidas para 250ºC £ Ts £ 350ºC e concentrações de flúor na solução de vaporização em torno de 2 at.% F: Sn. A textura superficial dos filmes foi investigada por microscopia ótica e eletrônica de varredura. A concentração de flúor nas amostras foi investigada por SIMS (Secondary Ions Mass Spectroscopy), AES (Auger Electron Spectroscopy) and ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis). A análise por difratometria de raios X mostrou que os filmes depositados com Ts ³ 250ºC são policristalinos. Observou-se uma mudança sistemática das linhas de difração de raios X como função da concentração de flúor. Foram realizados cálculos teóricos dos fatores de estrutura associados à rede do SnO2 introduzindo-se átomos de flúor em posições substitucionais e intersticiais. A presença do dopante não intencional Cl foi também investigada e seu papel nos filmes de SnO2 : F sugeridoAbstract: Thin films of tin dioxide doped with fluorine were produced by the conventional spraying method using 7059 Corning Glass substrates. The electrical and optical properties of these films were determined as a function of the substrate temperature(200 - 450ºC) and dopant concentration in the basic spraying solution. The visible and near infrared transmittance, as well as the electrical resistivity of the films decreased with the increase in fluorine concentration. The best electro-optical properties (an average transmittance of 75% and an electrical resistivity of 10-3 Wcm) were achieved for 250ºC £ Ts £ 350ºC and fluorine concentration in the spraying solution of around 2 at.% F:Sn. The films surface texture was investigated by scanning electron microscopy and optical microscopy. Fluorine content of the samples was investigated. by SIMS (Secondary Ions Mass Spectroscopy), AES (Auger Electron Spectroscopy and ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis). The x-ray diffractometric analyses showed that the films deposited at Ts ³ 250ºC are polycrystalline. A systematic chance in the intensity of the diffraction lines as a function of the fluorine content was observed. Theoretical calculations of the structure associated to the SnO2 lattice introducing fluorine atoms in substitutional and interstitial positions were performed. The presence of the non intentional dopant Cl was also investigated and its role in SnO2: F films suggested.DoutoradoFísicaDoutor em Ciências[s.n.]Torriani, Iris Concepcion Linares de, 1934-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASFantini, Marcia Carvalho de Abreu19851985-07-17T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf304f.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577514FANTINI, Marcia Carvalho de Abreu. Estudo das propriedades óticas, elétricas e estruturais de filmes vaporizados de Sn O2 : F. 1985. 304f Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577514. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/47720porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2014-12-19T13:08:26Zoai::47720Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2014-12-19T13:08:26Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false |
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