Rugosidade e espalhamento em superfícies de n-InP atacada fotoeletroquimicamente

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Ferreira, Neidenei Gomes
Data de Publicação: 1994
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581862
Resumo: Orientador: Lucila Helena Deliesposte Cescato
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spelling Rugosidade e espalhamento em superfícies de n-InP atacada fotoeletroquimicamenteMicroscopia eletrônica de varreduraAspereza de superfícieEspalhamento (Física)Dispositivos optoeletrônicosSemicondutoresOrientador: Lucila Helena Deliesposte CescatoTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: A evolução da textura produzida fotoeletroquimicamente em superfícies semicondutoras de n-InP (100) foi estudada utilizando várias técnicas. Este tipo de ataque forma microestruturas alongadas, que são analisadas por Microscopia Eletrônica de Varredura e medidas de Espalhamento Óptico, cuja geometria e dimensão dependem do tempo de ataque. A rugosidade gerada na superfície aumenta fortemente a absorção na amostra. Este comportamento foi observado pelas medidas de refletância total integrada e medidas de curvas I x V, utilizadas para acompanhar o aumento da fotocorrente durante o ataque fotoeletroquímico. Foi construído um sistema para medidas de espalhamento angularmente resolvido (ARS). Os espectros de ARS, associados à teoria vetorial de espalhamento, possibilitam calcular a função autocorrelação da superfície. Esta função, fornece o valor da rugosidade média (drms) das microestruturas e sua oscilação exibe as características quase-periódicas das estruturas superficiaisAbstract: The evolution of photoelectrochemically produced textures on n-InP (100) surfaces was studied by various techniques. Such etching results in the formation of elongated etch pits which were analysed using Scanning Electron Microscopy and Optical Scattering, and whose geometries and dimensions depend on the time of the attack. The reflectivity of the sample surface was found to decrease due to roughening of the surface, and this was measured using a total integrated reflection device. I x V measurements were also utilized in order to follow the increase in the photocurrent during the photoelectrochemical etching. A system for measuring angular resolved scattering was constructed. By using the vector scattering theory, the autocorrelation function was obtained. This function furnishes the route mean square roughness (drms) of the surface microstructures, and the oscillation of the function exhibts the quasi-periodic character of the surface structuresDoutoradoFísicaDoutor em Ciências[s.n.]Cescato, Lucila Helena Deliesposte, 1957-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASFerreira, Neidenei Gomes19941994-12-06T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf[126] f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581862FERREIRA, Neidenei Gomes. Rugosidade e espalhamento em superfícies de n-InP atacada fotoeletroquimicamente. 1994. [126] f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581862. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/82032porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-17T13:19:21Zoai::82032Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-17T13:19:21Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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