Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Coimbra, Ricardo Pureza
Data de Publicação: 2009
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1610022
Resumo: Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho
id UNICAMP-30_dcfa3ad8279522288ae8d492b2e5c6ba
oai_identifier_str oai::465991
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversãoReference voltage and temperature sensing signal generation using MOS transistors in strong inversionSemicondutores de óxido metálicoCircuitos integrados linearesCircuitos integradosSemicondutoresSistemas eletrônicos analógicosMetal oxide semiconductorsAnalog integrated circuitsIntegrated circuitsSemiconductorsAnalog electronic systemsOrientador: Carlos Alberto dos Reis FilhoDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de ComputaçãoResumo: Fontes de referência de tensão e sensores de temperatura são blocos extensivamente utilizados em sistemas microeletrônicos. Como alternativa à aplicação de estruturas consolidadas, mas protegidas por acordos de propriedade intelectual, é permanente a demanda pelo desenvolvimento de novas técnicas e estruturas originais destes circuitos. Também se destaca o crescente interesse por soluções de baixa tensão, baixo consumo e compatíveis com processos convencionais de fabricação. Este trabalho descreve o desenvolvimento de um circuito que atende a estas exigências, fornecendo uma tensão de referência e um sinal de sensoriamento térmico, obtidos a partir de um arranjo adequado de transistores MOS, que operam em regime de forte inversão. O princípio de operação do circuito desenvolvido foi inspirado no conceito de que é possível empilhar n transistores MOS, polarizados com corrente adequada, de tal forma que a queda de tensão sobre a pilha de transistores, com amplitude nVGS, apresente a mesma taxa de variação térmica que a tensão VGS produzida por um único transistor. Nesta condição, a diferença entre as duas tensões é constante em temperatura, constituindo-se em uma referência de tensão. No entanto, o empilhamento de dois ou mais transistores impossibilita a operação do circuito sob baixa tensão. Isto motivou a adaptação da técnica, obtendo a tensão nVGS com o auxílio de um arranjo de resistores, sem o empilhamento de transistores. Desta forma, o potencial limitante da tensão mínima de alimentação tornou-se a própria tensão de referência, cuja amplitude é próxima de um único VGS. A estrutura desenvolvida fornece também um sinal de tensão com dependência aproximadamente linear com a temperatura absoluta, que pode ser aplicado para sensoriamento térmico. Foram fabricados protótipos correspondentes a diversas versões de dimensionamento do circuito para comprovação experimental de seu princípio de operação. O melhor desempenho verificado corresponde à geração de uma tensão de referência com coeficiente térmico de 8,7ppm/ºC, no intervalo de -40ºC a 120ºC, operando com tensão de 1V. Embora o estado da arte seja representado por índices tão baixos quanto 1ppm/ºC, para a mesma faixa de temperatura, a característica compacta do circuito e seu potencial de aplicação sob as condições de baixa tensão e baixo consumo lhe conferem valor como contribuição para este campo de pesquisa e desenvolvimento.Abstract: Voltage references and temperature sensors are blocks extensively used in microelectronic systems. As an alternative to the use of consolidated structures that are protected by intellectual property agreements, there is a permanent demand for the development of new techniques and structures for these circuits. It can be also highlighted the growing interest for low-voltage and low-power solutions, implemented in conventional IC technologies. This work describes the development of a circuit that meets these requirements by providing a voltage reference and temperature sensing signal obtained from a suitable arrangement of MOS transistors biased in strong inversion. The operation principle of the circuit developed is based on the concept that it is possible for a stack of n MOS transistors, biased by an appropriate current, to show a voltage drop, equal to nVGS, with the same thermal variation rate as a VGS voltage produced by a single transistor. Hence, the difference between the two voltage signals is temperature independent, characterizing a voltage reference. However, the stacking of two or more transistors prevents the operation of the circuit under low voltage. This fact motivated to adapt the technique by obtaining the voltage nVGS with the aid of an array of resistors and no stacked transistors. The minimum supply voltage becomes limited only by the reference voltage itself, whose amplitude is close to a single VGS. The circuit developed also provides a voltage signal almost linearly dependent with the absolute temperature, which can be applied for thermal sensing. Prototypes corresponding to various dimensional versions of the circuit were produced to experimentally verify the principle of operation. The best performance corresponds to the generation of a voltage reference signal with 8.7ppm/ºC thermal coefficient, from -40ºC to 120ºC, under a 1V supply voltage. Although the state of the art is represented by values as low as 1ppm/ºC, at the same temperature range, the circuit's compact aspect together with the possibility to attend low-voltage and low-power requirements grants it value as contribution to this field of research and developmentMestradoEletrônica, Microeletrônica e OptoeletrônicaMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Reis Filho, Carlos Alberto dos, 1950-Cajueiro, João Paulo CerquinhoKretly, Luiz CarlosUniversidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de ComputaçãoPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASCoimbra, Ricardo Pureza20092009-07-08T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf184 p. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1610022COIMBRA, Ricardo Pureza. Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão. 2009. 184 p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1610022. Acesso em: 15 mai. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/465991porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2017-02-18T05:37:00Zoai::465991Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2017-02-18T05:37Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão
Reference voltage and temperature sensing signal generation using MOS transistors in strong inversion
title Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão
spellingShingle Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão
Coimbra, Ricardo Pureza
Semicondutores de óxido metálico
Circuitos integrados lineares
Circuitos integrados
Semicondutores
Sistemas eletrônicos analógicos
Metal oxide semiconductors
Analog integrated circuits
Integrated circuits
Semiconductors
Analog electronic systems
title_short Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão
title_full Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão
title_fullStr Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão
title_full_unstemmed Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão
title_sort Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão
author Coimbra, Ricardo Pureza
author_facet Coimbra, Ricardo Pureza
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Reis Filho, Carlos Alberto dos, 1950-
Cajueiro, João Paulo Cerquinho
Kretly, Luiz Carlos
Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Coimbra, Ricardo Pureza
dc.subject.por.fl_str_mv Semicondutores de óxido metálico
Circuitos integrados lineares
Circuitos integrados
Semicondutores
Sistemas eletrônicos analógicos
Metal oxide semiconductors
Analog integrated circuits
Integrated circuits
Semiconductors
Analog electronic systems
topic Semicondutores de óxido metálico
Circuitos integrados lineares
Circuitos integrados
Semicondutores
Sistemas eletrônicos analógicos
Metal oxide semiconductors
Analog integrated circuits
Integrated circuits
Semiconductors
Analog electronic systems
description Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho
publishDate 2009
dc.date.none.fl_str_mv 2009
2009-07-08T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12733/1610022
COIMBRA, Ricardo Pureza. Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão. 2009. 184 p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1610022. Acesso em: 15 mai. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1610022
identifier_str_mv COIMBRA, Ricardo Pureza. Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão. 2009. 184 p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1610022. Acesso em: 15 mai. 2024.
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/465991
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
184 p. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1799138457394610176

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