Variação da resistividade elétrica de um filme fino devido à difusão de impurezas

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Assumpção, Roberto de Toledo, 1954-
Data de Publicação: 1980
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579980
Resumo: Orientador: Michael Moore Collver
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spelling Variação da resistividade elétrica de um filme fino devido à difusão de impurezasFilmes finosFilmes metálicosCondutividade elétricaOrientador: Michael Moore CollverDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: A variação da condutividade elétrica de um filme fino metálico, quando este apresenta um gradiente de concentração de impurezas, é obtida numericamente. Utilizamos o tratamento de Fuchs-Sondheimer, que consiste em resolver a equação de Boltzmann com condições de contorno determinadas pelas limitações geométricas impostas pelas superfícies ao movimento dos elétrons. O efeito das impurezas (presentes no filme devido a um processo de difusão) é incluído diretamente na equação de Boltzmann através de um tempo de relaxação variável, que depende da concentração local das impurezasAbstract: The change of thin metallic film electrical conductivity with a impurity concentration gradient is numerically obtained. We use the Fuchs-Sondheimer approach to solve the Boatsmann equation, introducing boundary conditions imposed by the external surfaces. The effect of impurities, wich diffuse into the film from it's surface, is included directly in Boatsmann equation trough a variable relaxation time, that depends on the local impurity concentrationMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Collver, Michael MooreUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASAssumpção, Roberto de Toledo, 1954-19801980-07-22T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf78 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579980ASSUMPÇÃO, Roberto de Toledo. Variação da resistividade elétrica de um filme fino devido à difusão de impurezas. 1980. 78 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579980. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/55954porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2014-12-05T11:20:01Zoai::55954Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2014-12-05T11:20:01Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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