Efeitos condutivos e polares em filmes finos de óxidos complexos visando aplicação em memorias de múltiplos estados

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Laura, Gohnny Acero
Data de Publicação: 2024
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UNESP
Texto Completo: https://hdl.handle.net/11449/255660
Resumo: Esta pesquisa teve como objetivo analisar as propriedades polares, ferroelétricas, piezoelétricas, ópticas e magnéticas de filmes finos de BaBiO3 obtidos pelo método dos precursores poliméricos, variando as proporções de Ba/Bi. Para uma melhor designação das amostras, foram utilizados os seguintes códigos: (80/20) (BBO82), (50/50) (BBO55) e (30/70) (BBO37). As análises de Rietveld indicam a cristalização em estrutura romboédrica de BaBiO3 (grupo espacial R-3R), sem a presença de fases secundárias. As propriedades de deformação, dielétrica, ferroelétrica e piezoelétrica são fortemente influenciadas pela textura do filme. A amostra BBO55 exibe uma orientação preferencial ao longo do plano (341), sem imprint e gap de polarizações, apresentando altas respostas piezoelétricas (d33-eff ≈ 45,7 pm/V) e ferroelétricas (Pr ≈ 19,87 μC/cm2). As propriedades ópticas e magnéticas são dependentes das variações no tamanho do grão e dos tipos de vacâncias. Os resultados de fotoluminescência indicam a presença significativa de vacâncias de oxigênio e clusters [BiO5.V_o^.] na amostra BBO37, melhorando a razão Mr/Ms devido à morfologia em forma de placas. Este filme demonstra um comportamento superparamagnético devido à facilidade de alternância de domínios sob campo externo. A espectroscopia de fotoelétrons de raios X revela a interação entre Bi3+ e Bi5+, afetando a resposta magnética. A temperatura impacta a cristalização, morfologia, resistência à fadiga e corrente de fuga. A 800°C, o filme BBO55 apresenta uma estrutura granular em forma de placas, com corrente de fuga alinhada ao mecanismo denominado voltagem do limite de preenchimento por armadilhas (VTFL). Por outro lado, o filme BBO55 a 600°C exibe grãos arredondados, pouca porosidade e a teoria da condução em altos campos elétricos, bem descrita pelo mecanismo de condução limitada por carga espacial (SCLC). O desempenho superior a 600°C destaca-se pela elevada resistência à fadiga em 107 ciclos de polarização. Essas descobertas são pertinentes para o desenvolvimento de materiais polares livres de chumbo com potencial aplicação em dispositivos eletrônicos, tais como sensores de campo magnético, interruptores, atuadores, dispositivos de memória e spintrônica.
id UNSP_9bbf29c1262af3c70339d67b8004a557
oai_identifier_str oai:repositorio.unesp.br:11449/255660
network_acronym_str UNSP
network_name_str Repositório Institucional da UNESP
repository_id_str 2946
spelling Efeitos condutivos e polares em filmes finos de óxidos complexos visando aplicação em memorias de múltiplos estadosConductive and polar effects in thin films of complex oxides aiming at multiple-state memory applicationsEfectos conductivos y polares en películas delgadas de óxidos complejos con miras a aplicaciones en memorias de múltiples estadosFilme finoMétodo do precursor poliméricoBaBiO3FerroelétricoPiezoelétricoFotoluminescênciaMagnetismoFadigaCorrente de fugaFerroeletricidadeThin filmPolymeric precursor methodFerroelectricPiezoelectricPhotoluminescenceMagnetismFatigueLeakage currentEsta pesquisa teve como objetivo analisar as propriedades polares, ferroelétricas, piezoelétricas, ópticas e magnéticas de filmes finos de BaBiO3 obtidos pelo método dos precursores poliméricos, variando as proporções de Ba/Bi. Para uma melhor designação das amostras, foram utilizados os seguintes códigos: (80/20) (BBO82), (50/50) (BBO55) e (30/70) (BBO37). As análises de Rietveld indicam a cristalização em estrutura romboédrica de BaBiO3 (grupo espacial R-3R), sem a presença de fases secundárias. As propriedades de deformação, dielétrica, ferroelétrica e piezoelétrica são fortemente influenciadas pela textura do filme. A amostra BBO55 exibe uma orientação preferencial ao longo do plano (341), sem imprint e gap de polarizações, apresentando altas respostas piezoelétricas (d33-eff ≈ 45,7 pm/V) e ferroelétricas (Pr ≈ 19,87 μC/cm2). As propriedades ópticas e magnéticas são dependentes das variações no tamanho do grão e dos tipos de vacâncias. Os resultados de fotoluminescência indicam a presença significativa de vacâncias de oxigênio e clusters [BiO5.V_o^.] na amostra BBO37, melhorando a razão Mr/Ms devido à morfologia em forma de placas. Este filme demonstra um comportamento superparamagnético devido à facilidade de alternância de domínios sob campo externo. A espectroscopia de fotoelétrons de raios X revela a interação entre Bi3+ e Bi5+, afetando a resposta magnética. A temperatura impacta a cristalização, morfologia, resistência à fadiga e corrente de fuga. A 800°C, o filme BBO55 apresenta uma estrutura granular em forma de placas, com corrente de fuga alinhada ao mecanismo denominado voltagem do limite de preenchimento por armadilhas (VTFL). Por outro lado, o filme BBO55 a 600°C exibe grãos arredondados, pouca porosidade e a teoria da condução em altos campos elétricos, bem descrita pelo mecanismo de condução limitada por carga espacial (SCLC). O desempenho superior a 600°C destaca-se pela elevada resistência à fadiga em 107 ciclos de polarização. Essas descobertas são pertinentes para o desenvolvimento de materiais polares livres de chumbo com potencial aplicação em dispositivos eletrônicos, tais como sensores de campo magnético, interruptores, atuadores, dispositivos de memória e spintrônica.This research aims to analyze the polar, ferroelectric, piezoelectric, optical, and magnetic properties of thin films of BaBiO3 obtained through a polymeric precursor, while varying the Ba/Bi ratios. For better sample designations, the following codes were employed: (80/20) (BBO82), (50/50) (BBO55), and (30/70) (BBO37). Rietveld analyses indicate crystallization in a rhombohedral structure of BaBiO3 (R-3R space group), with no presence of secondary phases. Deformation, dielectric, ferroelectric, and piezoelectric properties are strongly influenced by the film texture. The BBO55 sample exhibits a preferred orientation along the (341) plane, without imprint and polarization gap, demonstrating high piezoelectric (d33-eff ≈ 45.7 pm/V) and ferroelectric (Pr ≈ 19.87 μC/cm2) responses. Optical and magnetic properties depend on variations in grain size and vacancy types. Photoluminescence results indicate significant oxygen vacancies and vacancy clusters [BiO_5.V_o^.] in the BBO37 sample, improving the Mr/Ms ratio due to plate-like morphology. This film displays superparamagnetic behavior due to domain switching ease under an external field. X-ray photoelectron spectroscopy reveals the interaction between Bi3+ and Bi5+, influencing the magnetic response. Temperature impacts crystallization, morphology, fatigue resistance, and leakage current. At 800°C, the BBO55 film exhibits a plate-like grain structure, with leakage current characterization aligned with the traps-filled limit voltage (VTFL) mechanism. On the other hand, the BBO55 film at 600°C shows rounded grains, low porosity, and theory of high field conduction, is well described by the space charge limited conduction (SCLC) mechanism. Superior performance above 600°C is highlighted by the high fatigue resistance over 107 switching cycles. These findings are relevant for the development of lead-free materials to be applied in electronics, such as magnetic field sensors, switches, actuators, memory devices, and spintronics.Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)CAPES:2018/18236-4FAPESP: 13/07296-2Universidade Estadual Paulista (Unesp)Simões, Alexandre Zirpoli [UNESP]Mota, Rogério Pinto [UNESP]Laura, Gohnny Acero2024-05-17T14:24:47Z2024-05-17T14:24:47Z2024-04-12info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdfLAURA, Gohnny Acero. Efeitos condutivos e polares em filmes finos de óxidos complexos visando aplicação em memorias de múltiplos estados. 2024.Tese (Doutorado em Física) - Faculdade de Engenharia e Ciências, Universidade Estadual Paulista, Guaratinguetá, 2024.https://hdl.handle.net/11449/25566012015198150803040000-0001-8329-9404porinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UNESPinstname:Universidade Estadual Paulista (UNESP)instacron:UNESP2024-05-18T06:23:08Zoai:repositorio.unesp.br:11449/255660Repositório InstitucionalPUBhttp://repositorio.unesp.br/oai/requestopendoar:29462024-08-05T13:41:24.587081Repositório Institucional da UNESP - Universidade Estadual Paulista (UNESP)false
dc.title.none.fl_str_mv Efeitos condutivos e polares em filmes finos de óxidos complexos visando aplicação em memorias de múltiplos estados
Conductive and polar effects in thin films of complex oxides aiming at multiple-state memory applications
Efectos conductivos y polares en películas delgadas de óxidos complejos con miras a aplicaciones en memorias de múltiples estados
title Efeitos condutivos e polares em filmes finos de óxidos complexos visando aplicação em memorias de múltiplos estados
spellingShingle Efeitos condutivos e polares em filmes finos de óxidos complexos visando aplicação em memorias de múltiplos estados
Laura, Gohnny Acero
Filme fino
Método do precursor polimérico
BaBiO3
Ferroelétrico
Piezoelétrico
Fotoluminescência
Magnetismo
Fadiga
Corrente de fuga
Ferroeletricidade
Thin film
Polymeric precursor method
Ferroelectric
Piezoelectric
Photoluminescence
Magnetism
Fatigue
Leakage current
title_short Efeitos condutivos e polares em filmes finos de óxidos complexos visando aplicação em memorias de múltiplos estados
title_full Efeitos condutivos e polares em filmes finos de óxidos complexos visando aplicação em memorias de múltiplos estados
title_fullStr Efeitos condutivos e polares em filmes finos de óxidos complexos visando aplicação em memorias de múltiplos estados
title_full_unstemmed Efeitos condutivos e polares em filmes finos de óxidos complexos visando aplicação em memorias de múltiplos estados
title_sort Efeitos condutivos e polares em filmes finos de óxidos complexos visando aplicação em memorias de múltiplos estados
author Laura, Gohnny Acero
author_facet Laura, Gohnny Acero
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Simões, Alexandre Zirpoli [UNESP]
Mota, Rogério Pinto [UNESP]
dc.contributor.author.fl_str_mv Laura, Gohnny Acero
dc.subject.por.fl_str_mv Filme fino
Método do precursor polimérico
BaBiO3
Ferroelétrico
Piezoelétrico
Fotoluminescência
Magnetismo
Fadiga
Corrente de fuga
Ferroeletricidade
Thin film
Polymeric precursor method
Ferroelectric
Piezoelectric
Photoluminescence
Magnetism
Fatigue
Leakage current
topic Filme fino
Método do precursor polimérico
BaBiO3
Ferroelétrico
Piezoelétrico
Fotoluminescência
Magnetismo
Fadiga
Corrente de fuga
Ferroeletricidade
Thin film
Polymeric precursor method
Ferroelectric
Piezoelectric
Photoluminescence
Magnetism
Fatigue
Leakage current
description Esta pesquisa teve como objetivo analisar as propriedades polares, ferroelétricas, piezoelétricas, ópticas e magnéticas de filmes finos de BaBiO3 obtidos pelo método dos precursores poliméricos, variando as proporções de Ba/Bi. Para uma melhor designação das amostras, foram utilizados os seguintes códigos: (80/20) (BBO82), (50/50) (BBO55) e (30/70) (BBO37). As análises de Rietveld indicam a cristalização em estrutura romboédrica de BaBiO3 (grupo espacial R-3R), sem a presença de fases secundárias. As propriedades de deformação, dielétrica, ferroelétrica e piezoelétrica são fortemente influenciadas pela textura do filme. A amostra BBO55 exibe uma orientação preferencial ao longo do plano (341), sem imprint e gap de polarizações, apresentando altas respostas piezoelétricas (d33-eff ≈ 45,7 pm/V) e ferroelétricas (Pr ≈ 19,87 μC/cm2). As propriedades ópticas e magnéticas são dependentes das variações no tamanho do grão e dos tipos de vacâncias. Os resultados de fotoluminescência indicam a presença significativa de vacâncias de oxigênio e clusters [BiO5.V_o^.] na amostra BBO37, melhorando a razão Mr/Ms devido à morfologia em forma de placas. Este filme demonstra um comportamento superparamagnético devido à facilidade de alternância de domínios sob campo externo. A espectroscopia de fotoelétrons de raios X revela a interação entre Bi3+ e Bi5+, afetando a resposta magnética. A temperatura impacta a cristalização, morfologia, resistência à fadiga e corrente de fuga. A 800°C, o filme BBO55 apresenta uma estrutura granular em forma de placas, com corrente de fuga alinhada ao mecanismo denominado voltagem do limite de preenchimento por armadilhas (VTFL). Por outro lado, o filme BBO55 a 600°C exibe grãos arredondados, pouca porosidade e a teoria da condução em altos campos elétricos, bem descrita pelo mecanismo de condução limitada por carga espacial (SCLC). O desempenho superior a 600°C destaca-se pela elevada resistência à fadiga em 107 ciclos de polarização. Essas descobertas são pertinentes para o desenvolvimento de materiais polares livres de chumbo com potencial aplicação em dispositivos eletrônicos, tais como sensores de campo magnético, interruptores, atuadores, dispositivos de memória e spintrônica.
publishDate 2024
dc.date.none.fl_str_mv 2024-05-17T14:24:47Z
2024-05-17T14:24:47Z
2024-04-12
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv LAURA, Gohnny Acero. Efeitos condutivos e polares em filmes finos de óxidos complexos visando aplicação em memorias de múltiplos estados. 2024.Tese (Doutorado em Física) - Faculdade de Engenharia e Ciências, Universidade Estadual Paulista, Guaratinguetá, 2024.
https://hdl.handle.net/11449/255660
1201519815080304
0000-0001-8329-9404
identifier_str_mv LAURA, Gohnny Acero. Efeitos condutivos e polares em filmes finos de óxidos complexos visando aplicação em memorias de múltiplos estados. 2024.Tese (Doutorado em Física) - Faculdade de Engenharia e Ciências, Universidade Estadual Paulista, Guaratinguetá, 2024.
1201519815080304
0000-0001-8329-9404
url https://hdl.handle.net/11449/255660
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidade Estadual Paulista (Unesp)
publisher.none.fl_str_mv Universidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UNESP
instname:Universidade Estadual Paulista (UNESP)
instacron:UNESP
instname_str Universidade Estadual Paulista (UNESP)
instacron_str UNESP
institution UNESP
reponame_str Repositório Institucional da UNESP
collection Repositório Institucional da UNESP
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UNESP - Universidade Estadual Paulista (UNESP)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1808128265120907264