Análise do comportamento da corrente de porta em transistores de alta mobilidade de elétrons

• Autor(a) principal: Brito, César Tales Ferreira de
• Data de Publicação: 2021
• Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UNESP
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/11449/215497
• topic: Alta mobilidade de Elétrons; HEMT; Corrente de Porta; Gate current; 5G; Transistores de efeito de campo; Características elétricas HEMT; HEMT electrical characteristics; High electron mobility transistors; Field effect transistors

Esse trabalho tem como foco principal estudar um transistor de efeito de campo do tipo HEMT(High Eléctron Mobility Transistor - Transistor de Alta Mobilidade e Elétrons). Um transistor sem óxido de porta e com uma construção que proporciona uma alta mobilidade de elétrons como sugere o nome HEMT. Iniciando por apresentações gerais, comportamentos esperados e tecnologias que são otimizadas a partir do uso desse dispositivo. Explicando assim como a formação do canal de gás de elétron bidimensional é formado e qual a sua influência no funcionamento de HEMT, assim como o porquê essa característica é desejável nesse caso. Em sequência, o trabalho abrange uma comparação do resultado esperado teórico dentro das características já esperadas do HEMT com as medições obtidas através da prática, comparando as características elétricas de já conhecidas e esperadas de acordo com outros estudos (literatura) com as medidas disponibilizadas para esse trabalho. Por fim, o foco do estudo foi o comportamento da corrente de porta diante de algumas perspectivas como o que é esperado de forma ideal e teórica. Como foi o comportamento prático diante das diferentes dimensões, das diferentes polarizações, das distintas temperaturas utilizadas para as medidas.