Crescimento e Caracterização de Pontos Quânticos de InAs Auto-formados

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Silva, Marcelo Jacob da
Data de Publicação: 1999
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Texto Completo: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-13032017-121314/
Resumo: Neste trabalho, estudamos o crescimento epitaxial por feixe molecular de pontos quânticos de InAs/GaAs, bem como sua propriedades ópticas e morfológicas. O método de crescimento, em baixa taxa foi usado para a fabricação de estruturas de pontos quânticos com alturas médias suficientes para a obtenção de resposta óptica nas faixas de 1,3\'mü\'m e 1,5\'mü\'m em temperatura ambiente. O interesse na manufatura desse tipo de amostra decorre do fato de serem estes os comprimento de onda de mínima atenuação de sinal em redes de transmissão por fibras ópticas. O estudo sistemático das etapas envolvidas na evolução de pontos quânticos de superfície no regime de baixa taxa de deposição permitiu entender como tais estruturas, com alturas médias bem maiores que as normalmente obtidas na literatura, puderam ser alcançadas. As condições de crescimento foram otimizadas para a produção de emissões estreitas nas faixas de comprimento de onda
id USP_541c66e3539de38af9bc69e24d6a09dc
oai_identifier_str oai:teses.usp.br:tde-13032017-121314
network_acronym_str USP
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository_id_str 2721
spelling Crescimento e Caracterização de Pontos Quânticos de InAs Auto-formadosStudy of the tuning of optical emission of InAs / GaAs quantum dots in the 1,3\'mü\'m and 1,5\'mü\'m regionsCondensed matterMatéria Condensada ; SemicondutoressemiconductorsNeste trabalho, estudamos o crescimento epitaxial por feixe molecular de pontos quânticos de InAs/GaAs, bem como sua propriedades ópticas e morfológicas. O método de crescimento, em baixa taxa foi usado para a fabricação de estruturas de pontos quânticos com alturas médias suficientes para a obtenção de resposta óptica nas faixas de 1,3\'mü\'m e 1,5\'mü\'m em temperatura ambiente. O interesse na manufatura desse tipo de amostra decorre do fato de serem estes os comprimento de onda de mínima atenuação de sinal em redes de transmissão por fibras ópticas. O estudo sistemático das etapas envolvidas na evolução de pontos quânticos de superfície no regime de baixa taxa de deposição permitiu entender como tais estruturas, com alturas médias bem maiores que as normalmente obtidas na literatura, puderam ser alcançadas. As condições de crescimento foram otimizadas para a produção de emissões estreitas nas faixas de comprimento de ondaIn this work, we studied the evolution of InAs quantum dots grown by MBE as a function o f the amount o f material deposited. The monitoring o f the quantum-dot prope1ties during their evolution was possible because of the growth of a sample in which the thickness o f material was varied continuously on its area. The structure o f the samples used in this work consists oftwo quantmn-dot layers, one on the samples\' surface and the other between GaAs barriers. The first quantum-dot layer was used in the morphological characterization, through AFM images, and the second one was probed by photoluminescense measurements. Moreover, the structure includes an InxGa1_xAs quantum well to be used as a reference. The possibility of carrying out optical and morphological measurements on the same sample provided us with a way to make comparisons between the topographical and optical features, yielding some interesting results, as the dependence of the optical emission with the surface quantum-dot coverage and its degradation when the islands density is higher than 1 ÜÜÜJ.Lm-2Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPQuivy, Alain AndreSilva, Marcelo Jacob da1999-12-20info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttp://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-13032017-121314/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2018-07-17T16:34:08Zoai:teses.usp.br:tde-13032017-121314Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212018-07-17T16:34:08Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false
dc.title.none.fl_str_mv Crescimento e Caracterização de Pontos Quânticos de InAs Auto-formados
Study of the tuning of optical emission of InAs / GaAs quantum dots in the 1,3\'mü\'m and 1,5\'mü\'m regions
title Crescimento e Caracterização de Pontos Quânticos de InAs Auto-formados
spellingShingle Crescimento e Caracterização de Pontos Quânticos de InAs Auto-formados
Silva, Marcelo Jacob da
Condensed matter
Matéria Condensada ; Semicondutores
semiconductors
title_short Crescimento e Caracterização de Pontos Quânticos de InAs Auto-formados
title_full Crescimento e Caracterização de Pontos Quânticos de InAs Auto-formados
title_fullStr Crescimento e Caracterização de Pontos Quânticos de InAs Auto-formados
title_full_unstemmed Crescimento e Caracterização de Pontos Quânticos de InAs Auto-formados
title_sort Crescimento e Caracterização de Pontos Quânticos de InAs Auto-formados
author Silva, Marcelo Jacob da
author_facet Silva, Marcelo Jacob da
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Quivy, Alain Andre
dc.contributor.author.fl_str_mv Silva, Marcelo Jacob da
dc.subject.por.fl_str_mv Condensed matter
Matéria Condensada ; Semicondutores
semiconductors
topic Condensed matter
Matéria Condensada ; Semicondutores
semiconductors
description Neste trabalho, estudamos o crescimento epitaxial por feixe molecular de pontos quânticos de InAs/GaAs, bem como sua propriedades ópticas e morfológicas. O método de crescimento, em baixa taxa foi usado para a fabricação de estruturas de pontos quânticos com alturas médias suficientes para a obtenção de resposta óptica nas faixas de 1,3\'mü\'m e 1,5\'mü\'m em temperatura ambiente. O interesse na manufatura desse tipo de amostra decorre do fato de serem estes os comprimento de onda de mínima atenuação de sinal em redes de transmissão por fibras ópticas. O estudo sistemático das etapas envolvidas na evolução de pontos quânticos de superfície no regime de baixa taxa de deposição permitiu entender como tais estruturas, com alturas médias bem maiores que as normalmente obtidas na literatura, puderam ser alcançadas. As condições de crescimento foram otimizadas para a produção de emissões estreitas nas faixas de comprimento de onda
publishDate 1999
dc.date.none.fl_str_mv 1999-12-20
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-13032017-121314/
url http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-13032017-121314/
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv
dc.rights.driver.fl_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.coverage.none.fl_str_mv
dc.publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
dc.source.none.fl_str_mv
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
instname:Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
instname_str Universidade de São Paulo (USP)
instacron_str USP
institution USP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)
repository.mail.fl_str_mv virginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.br
_version_ 1809090673222090752

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