Estados de impureza em poços quânticos de GaAs-Ga1-xAlxAs

• Autor(a) principal: Marcelo Zoega Maialle
• Data de Publicação: 1989
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
• Texto Completo: https://doi.org/10.11606/D.54.1989.tde-21112007-093838

Com o objetivo de contribuir para o entendimento de recentes resultados experimentais relativos à transições óticas entre estados eletrônicos Localizados, observados em estruturas de múltiplos poços quânticos , realizamos um estudo teórico investigando os níveis de energias de um elétron ligado a uma impureza hidrogenóide num poço quântico simples. Utilizando a equação de massa efetiva calculamos através do método variacional as energias de um elétron Ligado a uma impureza doadora em um poço quântico de barreiras de potencial finitas . Neste cálculo a blindagem eletrônica do potencial da impureza é tratada no formalismo RPR, podendo tanto o elétron Ligado quanto os elétrons livres ocuparem as duas primeiras subbandas do sistema. Representamos nossos resultados para poços quânticos de GaAs-Ga1-xAlxAs variando a densidade eletrônica e a posição da impureza. Também a densidade de estados de impureza é calculada, uma vez que não restringimos a posição da impureza no poço. O efeito da não-parabolicidade da banda de condução do GaAs e a presença do campo magnético são levados em conta para melhor interpretação dos dados experimentais, que em geral estão em boa concordância com nossos resultados.