Cristalização em filmes de a-\'Si IND. 1-X\'\'C IND. X\':H.

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: D'Addio, Tatiana Ferrari
Data de Publicação: 2001
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Texto Completo: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27052021-183842/
Resumo: Neste trabalho, analisamos as propriedades químicas, morfológicas e estruturais de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-\'Si IND. 1-X\' \'C IND. X\':H), crescidos pelo método de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD), sob o efeito de pós-tratamentos térmicos. Todas as amostras foram depositadas no regime de \"plasm\" faminto\" por silano, utilizando como gases reativos o silano e o metano. Filmes crescidos nessas condições apresentam estrutura de ordem local similar à de carbeto de silício cristalino. Foram analisadas e correlacionadas as propriedades de filmes com diferentes composições, depositadas sobre diferentes substratos. Nossos resultados não apenas são consistentes com dados da literatura, como também indicam que filmes estequiométricos são cristalizados a uma temperatura inferior às reportadas, com indícios de epitaxia do material sobre substrato de Si[100]. Os filmes não estequiométricos apresentam uma formação maisintensa de óxidos e não apresentam evidências de cristalização durante os processos de tratamento térmico.
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