Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas.
Autor(a) principal: | |
---|---|
Data de Publicação: | 2001 |
Tipo de documento: | Tese |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
Texto Completo: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-122952/ |
Resumo: | Apresentamos neste trabalho um estudo do comportamento das correntes de fuga do dreno presentes em transistores MOSFET implementados na tecnologia SOI, quando submetidos a altas temperaturas. Para a realização deste estudo, uma série de dispositivos foram caracterizados eletricamente, sob diversas condições de polarizações do substrato e dreno, com diferentes comprimentos de canal, para a faixa de temperatura compreendida entre a temperatura ambiente e 300\'GRAUS\'C. Para nos auxiliar nos estudos, também foram realizadas simulações numéricas bidimensionais através das quais, foi viabilizado o entendimento dos diversos mecanismos de condução das correntes de fuga ao longo do canal dos transistores SOI MOSFET operando em altas temperaturas. Como resultados deste trabalho, notou-se que os mecanismos que regem a condução das correntes de fuga do dreno variam em função do tipo do canal, das dimensões físicas dos dispositivos e também, da polarização aplicada no substrato. De uma forma geral, nos transistores SOI pMOSFET modo acumulação e nos SOI nMOSFETs modo enriquecimento, tem-se como portadores responsáveis pela condução das correntes de fuga os elétrons e as lacunas, respectivamente, quando estes dispositivos estão submetidos às altas temperaturas e operando na região de fuga. Também foram propostos modelos semi-analíticos para os SOI MOSFETs analisados, que quando implementados em simuladores de circuitos (PSPICE), permitem determinar qual será o comportamento das correntes de fuga diante das condições de operação impostas aos dispositivos e com a variação da temperatura. Determinou-se que os dispositivos SOI pMOSFET modo acumulação operando na região de fuga, comportam-se como a associação de pares de diodos conectados pelos catodos presentes nas primeira e segunda interfaces, além de um resistor representando a componente da corrente de corpo. Analogamente para os SOI nMOSFETs modo enriquecimento, tem-se que ) tanto o corpo como as interfaces são representados por pares de diodos conectados pelo anodo, representando cada uma das componentes que compõe a corrente total de fuga do dreno. |
id |
USP_b6f2c9ef8961c2386b1981b26556e9b9 |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:teses.usp.br:tde-07112024-122952 |
network_acronym_str |
USP |
network_name_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
repository_id_str |
2721 |
spelling |
Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas.Untitled in englishDispositivos eletrônicosElectronic devicesTransistoresTransistorsApresentamos neste trabalho um estudo do comportamento das correntes de fuga do dreno presentes em transistores MOSFET implementados na tecnologia SOI, quando submetidos a altas temperaturas. Para a realização deste estudo, uma série de dispositivos foram caracterizados eletricamente, sob diversas condições de polarizações do substrato e dreno, com diferentes comprimentos de canal, para a faixa de temperatura compreendida entre a temperatura ambiente e 300\'GRAUS\'C. Para nos auxiliar nos estudos, também foram realizadas simulações numéricas bidimensionais através das quais, foi viabilizado o entendimento dos diversos mecanismos de condução das correntes de fuga ao longo do canal dos transistores SOI MOSFET operando em altas temperaturas. Como resultados deste trabalho, notou-se que os mecanismos que regem a condução das correntes de fuga do dreno variam em função do tipo do canal, das dimensões físicas dos dispositivos e também, da polarização aplicada no substrato. De uma forma geral, nos transistores SOI pMOSFET modo acumulação e nos SOI nMOSFETs modo enriquecimento, tem-se como portadores responsáveis pela condução das correntes de fuga os elétrons e as lacunas, respectivamente, quando estes dispositivos estão submetidos às altas temperaturas e operando na região de fuga. Também foram propostos modelos semi-analíticos para os SOI MOSFETs analisados, que quando implementados em simuladores de circuitos (PSPICE), permitem determinar qual será o comportamento das correntes de fuga diante das condições de operação impostas aos dispositivos e com a variação da temperatura. Determinou-se que os dispositivos SOI pMOSFET modo acumulação operando na região de fuga, comportam-se como a associação de pares de diodos conectados pelos catodos presentes nas primeira e segunda interfaces, além de um resistor representando a componente da corrente de corpo. Analogamente para os SOI nMOSFETs modo enriquecimento, tem-se que ) tanto o corpo como as interfaces são representados por pares de diodos conectados pelo anodo, representando cada uma das componentes que compõe a corrente total de fuga do dreno.In this work we present a study of the leakage drain current behavior that appears in SOI MOSFETs devices operating at high-temperatures. To develop this analysis, a lot of devices were characterized at different channel length, drain and bulk bias condition operating from room temperature up to 300´DEGREE´C. To understand the leakage drain current mechanisms in SOI MOSFETs at high-temperatures, we performed a lot of numerical bidimensional simulations. As a results, it was observed that the leakage drain current mechanisms depends strongly on the channel characteristics and the physical dimensions as well, the drain and bulk bias. Usually, in the Accumulation-Mode SOI pMOSFETs and Enhancement-Mode SOI nMOSFETs, electrons and holes, respectively, are the main carriers for the total leakage drain current conduction when these devices are operating at high-temperatures and in the leakage region. Also we proposed semi-analytical models for both SOI MOSFETs analyzed in this work, which can be applied in circuit simulators ( PSPICE ) in order to determine the leakage drain current behavior according to the bias conditions and the temperature of operation. It was determined that the Accumulation-Mode SOI pMOSFETs operating at the leakage region, behaves like a pair of diodes connected by its cathodes that appear into the first and second interfaces, besides a resistor that represents the body leakage current component. Similarly for the Enhancement-Mode SOI nMOSFETs, the body and both interfaces are represented now by another pairs of diodes connected by its anodes, meaning each one components from the total leakage drain current.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPMartino, João AntonioBellodi, Marcello2001-06-22info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-122952/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2024-11-07T14:34:01Zoai:teses.usp.br:tde-07112024-122952Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212024-11-07T14:34:01Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false |
dc.title.none.fl_str_mv |
Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. Untitled in english |
title |
Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. |
spellingShingle |
Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. Bellodi, Marcello Dispositivos eletrônicos Electronic devices Transistores Transistors |
title_short |
Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. |
title_full |
Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. |
title_fullStr |
Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. |
title_full_unstemmed |
Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. |
title_sort |
Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. |
author |
Bellodi, Marcello |
author_facet |
Bellodi, Marcello |
author_role |
author |
dc.contributor.none.fl_str_mv |
Martino, João Antonio |
dc.contributor.author.fl_str_mv |
Bellodi, Marcello |
dc.subject.por.fl_str_mv |
Dispositivos eletrônicos Electronic devices Transistores Transistors |
topic |
Dispositivos eletrônicos Electronic devices Transistores Transistors |
description |
Apresentamos neste trabalho um estudo do comportamento das correntes de fuga do dreno presentes em transistores MOSFET implementados na tecnologia SOI, quando submetidos a altas temperaturas. Para a realização deste estudo, uma série de dispositivos foram caracterizados eletricamente, sob diversas condições de polarizações do substrato e dreno, com diferentes comprimentos de canal, para a faixa de temperatura compreendida entre a temperatura ambiente e 300\'GRAUS\'C. Para nos auxiliar nos estudos, também foram realizadas simulações numéricas bidimensionais através das quais, foi viabilizado o entendimento dos diversos mecanismos de condução das correntes de fuga ao longo do canal dos transistores SOI MOSFET operando em altas temperaturas. Como resultados deste trabalho, notou-se que os mecanismos que regem a condução das correntes de fuga do dreno variam em função do tipo do canal, das dimensões físicas dos dispositivos e também, da polarização aplicada no substrato. De uma forma geral, nos transistores SOI pMOSFET modo acumulação e nos SOI nMOSFETs modo enriquecimento, tem-se como portadores responsáveis pela condução das correntes de fuga os elétrons e as lacunas, respectivamente, quando estes dispositivos estão submetidos às altas temperaturas e operando na região de fuga. Também foram propostos modelos semi-analíticos para os SOI MOSFETs analisados, que quando implementados em simuladores de circuitos (PSPICE), permitem determinar qual será o comportamento das correntes de fuga diante das condições de operação impostas aos dispositivos e com a variação da temperatura. Determinou-se que os dispositivos SOI pMOSFET modo acumulação operando na região de fuga, comportam-se como a associação de pares de diodos conectados pelos catodos presentes nas primeira e segunda interfaces, além de um resistor representando a componente da corrente de corpo. Analogamente para os SOI nMOSFETs modo enriquecimento, tem-se que ) tanto o corpo como as interfaces são representados por pares de diodos conectados pelo anodo, representando cada uma das componentes que compõe a corrente total de fuga do dreno. |
publishDate |
2001 |
dc.date.none.fl_str_mv |
2001-06-22 |
dc.type.status.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis |
format |
doctoralThesis |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.uri.fl_str_mv |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-122952/ |
url |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-122952/ |
dc.language.iso.fl_str_mv |
por |
language |
por |
dc.relation.none.fl_str_mv |
|
dc.rights.driver.fl_str_mv |
Liberar o conteúdo para acesso público. info:eu-repo/semantics/openAccess |
rights_invalid_str_mv |
Liberar o conteúdo para acesso público. |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.coverage.none.fl_str_mv |
|
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP |
publisher.none.fl_str_mv |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP instname:Universidade de São Paulo (USP) instacron:USP |
instname_str |
Universidade de São Paulo (USP) |
instacron_str |
USP |
institution |
USP |
reponame_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
collection |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
repository.name.fl_str_mv |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP) |
repository.mail.fl_str_mv |
virginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.br |
_version_ |
1815256494807973888 |