Desenvolvimento de uma célula solar de silício para aplicações espaciais

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Fonseca, Fernando Josepetti
Data de Publicação: 1985
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Texto Completo: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-13022015-155857/
Resumo: Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de um conjunto de processos para a fabricação de células solares de silício para utilização espacial, do tipo convencional. As células solares de silício monocristalino desenvolvidas neste trabalho possuem junção rasa, obtida por difusão de fósforo em substrato tipo-p (com resistividade de 1 ou 10 Ohm.cm), grades de contato de Ti/Pd/Ag e camada antirefletora de dióxido de titânio. Em células de 4cm2 foram obtidas eficiências de conversão de até 13,6% com fator de preenchimento de 0,77 em substratos de 1 Ohm.cm e 13% e 0,76 em substratos de 10 Ohm.cm. Células construídas com substratos de 10 Ohm.cm apresentaram melhor tolerância à danos de radiação que as de 1 Ohm.cm. São analisadas as influências da camada antirefletora, resistividade de substrato, geometria e técnicas de deposição da grade de contatos no desempenho elétrico das células
id USP_bd5d905e187b3aa354d96e674b0e2cb7
oai_identifier_str oai:teses.usp.br:tde-13022015-155857
network_acronym_str USP
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository_id_str 2721
spelling Desenvolvimento de uma célula solar de silício para aplicações espaciaisNot availableNão disponívelNot availableEste trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de um conjunto de processos para a fabricação de células solares de silício para utilização espacial, do tipo convencional. As células solares de silício monocristalino desenvolvidas neste trabalho possuem junção rasa, obtida por difusão de fósforo em substrato tipo-p (com resistividade de 1 ou 10 Ohm.cm), grades de contato de Ti/Pd/Ag e camada antirefletora de dióxido de titânio. Em células de 4cm2 foram obtidas eficiências de conversão de até 13,6% com fator de preenchimento de 0,77 em substratos de 1 Ohm.cm e 13% e 0,76 em substratos de 10 Ohm.cm. Células construídas com substratos de 10 Ohm.cm apresentaram melhor tolerância à danos de radiação que as de 1 Ohm.cm. São analisadas as influências da camada antirefletora, resistividade de substrato, geometria e técnicas de deposição da grade de contatos no desempenho elétrico das célulasThe objective of this work was the study and the development of techniques for the fabrication of silicon solar cells, of conventional type, for space applications. The single-crystal silicon solar cells were fabricated on p-type substrates of 1 and 10 Ohm.cm resistivities by thermal diffusion of phosphorus from liquid source. The anti-reflective coatings were made from titanium dioxide obtained by reactive sputtering of a titanium target. A triple titanium-palladium-silver layer was utilized to prepare the contacts. Conversion efficiencies of up to 13.6% and fill factors of 0.77 were obtained in cells fabricated on 1 Ohm.cm substrates and efficiencies of 13% and fill factor of 0.76 were obtained in cells fabricated in 10 Ohm.cm substrates. Better radiation damage tolerance was observed in cells with 10 Ohm.cm substrates when compared with 1 Ohm.cm substrate cells. The inf1uences of the anti-reflective coatings, substrate resistivities, and contact grid geometry and grid deposition techniques on cell performance are analyzedBiblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPCampos, Milton Soares deFonseca, Fernando Josepetti1985-09-30info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttp://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-13022015-155857/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2016-07-28T16:11:56Zoai:teses.usp.br:tde-13022015-155857Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212016-07-28T16:11:56Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false
dc.title.none.fl_str_mv Desenvolvimento de uma célula solar de silício para aplicações espaciais
Not available
title Desenvolvimento de uma célula solar de silício para aplicações espaciais
spellingShingle Desenvolvimento de uma célula solar de silício para aplicações espaciais
Fonseca, Fernando Josepetti
Não disponível
Not available
title_short Desenvolvimento de uma célula solar de silício para aplicações espaciais
title_full Desenvolvimento de uma célula solar de silício para aplicações espaciais
title_fullStr Desenvolvimento de uma célula solar de silício para aplicações espaciais
title_full_unstemmed Desenvolvimento de uma célula solar de silício para aplicações espaciais
title_sort Desenvolvimento de uma célula solar de silício para aplicações espaciais
author Fonseca, Fernando Josepetti
author_facet Fonseca, Fernando Josepetti
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Campos, Milton Soares de
dc.contributor.author.fl_str_mv Fonseca, Fernando Josepetti
dc.subject.por.fl_str_mv Não disponível
Not available
topic Não disponível
Not available
description Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de um conjunto de processos para a fabricação de células solares de silício para utilização espacial, do tipo convencional. As células solares de silício monocristalino desenvolvidas neste trabalho possuem junção rasa, obtida por difusão de fósforo em substrato tipo-p (com resistividade de 1 ou 10 Ohm.cm), grades de contato de Ti/Pd/Ag e camada antirefletora de dióxido de titânio. Em células de 4cm2 foram obtidas eficiências de conversão de até 13,6% com fator de preenchimento de 0,77 em substratos de 1 Ohm.cm e 13% e 0,76 em substratos de 10 Ohm.cm. Células construídas com substratos de 10 Ohm.cm apresentaram melhor tolerância à danos de radiação que as de 1 Ohm.cm. São analisadas as influências da camada antirefletora, resistividade de substrato, geometria e técnicas de deposição da grade de contatos no desempenho elétrico das células
publishDate 1985
dc.date.none.fl_str_mv 1985-09-30
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-13022015-155857/
url http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-13022015-155857/
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv
dc.rights.driver.fl_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.coverage.none.fl_str_mv
dc.publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
dc.source.none.fl_str_mv
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
instname:Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
instname_str Universidade de São Paulo (USP)
instacron_str USP
institution USP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)
repository.mail.fl_str_mv virginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.br
_version_ 1815257002482335744