Crescimento de In0.52Al0.48As e In0.53Ga0.47As sobre InP por MBE

• Autor(a) principal: Galo Emilio Sisniegas Charcape
• Data de Publicação: 1997
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
• Texto Completo: https://doi.org/10.11606/D.76.1997.tde-14012009-094440

Neste trabalho a epitaxia por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy: MBE) foi utilizada para crescer estruturas de gases bidimensionais a base de In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As sobre substrato de fosfeto de índio (InP) e analisar suas propriedades estruturais. elétricas e óticas através de técnicas de caracterização, tais como efeito Hall, fotoluminescência (FL). Shubnikov-de Haas (SdH) e microscopia eletrônica de varredura (MEV). A calibração dos parâmetros de crescimento tais como a taxa de crescimento e a composição das ligas In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As foi feita através da observação das oscilações da da difração de elétrons de alta energia observado em reflexão (Reflection High-Energy Electron Difraction : RHEED) A densidade de dopante tipo n (em nosso caso. 0 silício) foi determinada posteriormente através de medidas de efeito Hall usando a técnica de Van der Pauw. Os resultados da Fotoluminescência mostram uma transição doador-banda com largura a meia altura (Full Width at Half Maximum : FWHM) de aproximadamente 23 meV, para a liga de In0.52Al0.48As. A formação de gás bidimensional nestas mesmas amostras tem sido observado indiretamente pela ocorrência de oscilações SdH.