Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs

• Autor(a) principal: Santos, Thales Borrely dos
• Data de Publicação: 2023
• Tipo de documento: Tese
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
• Texto Completo: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/
• topic: atom probe tomography; célula solar de banda intermediária; epitaxia por feixe molecular; GaAs; GaAs; InAs; InAs; intermediate band solar cell; molecular beam epitaxy; ponto quântico de submonocamada; submonolayer quantum dot; tomografia por sonda atômica

O objetivo deste trabalho é avaliar a viabilidade de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs e crescidas por epitaxia por feixe molecular utilizando pontos quânticos de submonocamada compostos de InAs/GaAs para produzir as bandas intermediárias. O trabalho é dividido em duas partes. Na primeira, tendo em vista que células solares epitaxiais de materiais III-V são uma tecnologia rara no país e que a fotovoltaica é uma linha de pesquisa nova em nosso laboratório, buscamos desenvolver células solares convencionais de GaAs. Para tanto, fizemos análises teóricas através de simulações computacionais com os softwares SCAPS e OpenFilters e as combinamos com análises experimentais de curvas corrente-tensão, espectrofotometria (reflectância) e elipsometria espectroscópica. Com isso, fomos capazes produzir uma célula solar com eficiência de 17,2 % atuando a 298 K sob iluminação AM1,5G. Apresentamos em detalhes o desenvolvimento de um revestimento antirreflexo de TiO2/Al2O3 que permitiu ao nosso dispositivo mais eficiente alcançar uma densidade de corrente de curto-circuito de 23,6 mA/cm2. Na segunda parte, discutimos o funcionamento de células solares com pontos quânticos. Averiguamos que pontos quânticos de submonocamada composto de InAs/GaAs levam a células solares mais eficientes do que aquelas equipadas com pontos quânticos de Stranski-Krastanov, pois estes últimos causam uma degradação da tensão de circuito-aberto bem maior do que os primeiros. Apesar disso, a utilização dos pontos quânticos de submonocamada não resulta em aumento de eficiência relativamente a um dispositivo convencional. Através de cálculos de Schrödinger-Poisson em aproximação de massa efetiva com o software NextNano, concluímos que isso provavelmente se deve ao fato de que os pontos quânticos de submonocamada não conseguem confinar elétrons tridimensionalmente como exigido pelo modelo de célula solar de banda intermediária. Os resultados dos cálculos sugerem que as nanoestruturas precisam ser maiores e conter mais In para permitir tal confinamento. Por fim, através da técnica de tomografia por sonda atômica, identificamos algumas condições de crescimento que levam ao aumento da concentração de In nas nanoestruturas relativamente aos pontos quânticos que utilizamos em nossos dispositivos. Tais condições poderão ser exploradas em trabalhos futuros para tentar produzir células solares que atendam aos pressupostos do modelo de banda intermediária.