Estudo de dopagem em GaAs para o desenvolvimento de diodos túnel GaAs:C/GaAs:Si para aplicação em células solares de múltipla junção

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: LIDA JANETH COLLAZOS PAZ
Data de Publicação: 2014
Tipo de documento: Dissertação
Título da fonte: Portal de Dados Abertos da CAPES
Texto Completo: https://sucupira.capes.gov.br/sucupira/public/consultas/coleta/trabalhoConclusao/viewTrabalhoConclusao.jsf?popup=true&id_trabalho=226753
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Diodos tunel, Semicondutores, Dopagem, Crescimento epitaxial, GaAs, Celulas solares de multipla junc~ao.
Tunnel diodes, Semiconductors, Doping concentration, Epitaxial growth, GaAs, Multijunction solar cells.
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