Resistividade elétrica em implantações de baixa energia de P no Si

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Enzo Granato
Data de Publicação: 1982
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPE
Texto Completo: http://urlib.net/sid.inpe.br/mtc-m21c/2018/05.14.18.42
Resumo: Investiga-se o comportamento elétrico da camada implantada de P no Si obtida por implantação iônica com 12 KeV de energia para 6 doses diferentes, variando de 10 12 a 1016 cm-2 . As propriedades elétricas foram examinadas através de medidas de resistividade de folha em função da temperatura entre 300 e 4,2 X. A determinação da distribuição em profundidade da densidade e mobilidade de portadores foi obtida por meio de medidas de coeficiente Hall e resistividade de folha após cada remoção sucessiva de camadas finas da amostra implantada através de oxidação anódica do Si.
id INPE_0765ba3d982f84438bb47f2bbdd0531c
oai_identifier_str oai:urlib.net:sid.inpe.br/mtc-m21c/2018/05.14.18.42.43-0
network_acronym_str INPE
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPE
spelling info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisResistividade elétrica em implantações de baixa energia de P no Six1982-04-26Ronald Dennis Paul Kenneth Clive RanvaudNei Fernandes de Oliveira JúniorAntonio Ferreira da SilvaBarclay Robert ClemeshaEnzo GranatoInstituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)Programa de Pós-Graduação do INPE em Eletrônica e TelecomunicaçõesINPEBRresistividade elétricaimplantações de fósforo no silícioInvestiga-se o comportamento elétrico da camada implantada de P no Si obtida por implantação iônica com 12 KeV de energia para 6 doses diferentes, variando de 10 12 a 1016 cm-2 . As propriedades elétricas foram examinadas através de medidas de resistividade de folha em função da temperatura entre 300 e 4,2 X. A determinação da distribuição em profundidade da densidade e mobilidade de portadores foi obtida por meio de medidas de coeficiente Hall e resistividade de folha após cada remoção sucessiva de camadas finas da amostra implantada através de oxidação anódica do Si.The eleetrical behavior ofP implanted layer on p -Si (12 KeV ofimplantation energy) for 6 doses varying from jgl to 10-16 em -2 was investigated. The eleetrical properties were examined through sheet resistivity measurements as a fUnction of temperature between 300and 4,2 K. The depth distribution of dénsity and mobility of earriers was obtained through sheet Kali coeffieient and resistivity m'easurements following sueeessive removais of thin tayers of the inplantation by anedie oxidation.http://urlib.net/sid.inpe.br/mtc-m21c/2018/05.14.18.42info:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPEinstname:Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)instacron:INPE2021-07-31T06:55:45Zoai:urlib.net:sid.inpe.br/mtc-m21c/2018/05.14.18.42.43-0Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://bibdigital.sid.inpe.br/PUBhttp://bibdigital.sid.inpe.br/col/iconet.com.br/banon/2003/11.21.21.08/doc/oai.cgiopendoar:32772021-07-31 06:55:46.226Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPE - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)false
dc.title.pt.fl_str_mv Resistividade elétrica em implantações de baixa energia de P no Si
dc.title.alternative.en.fl_str_mv x
title Resistividade elétrica em implantações de baixa energia de P no Si
spellingShingle Resistividade elétrica em implantações de baixa energia de P no Si
Enzo Granato
title_short Resistividade elétrica em implantações de baixa energia de P no Si
title_full Resistividade elétrica em implantações de baixa energia de P no Si
title_fullStr Resistividade elétrica em implantações de baixa energia de P no Si
title_full_unstemmed Resistividade elétrica em implantações de baixa energia de P no Si
title_sort Resistividade elétrica em implantações de baixa energia de P no Si
author Enzo Granato
author_facet Enzo Granato
author_role author
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Ronald Dennis Paul Kenneth Clive Ranvaud
dc.contributor.referee1.fl_str_mv Nei Fernandes de Oliveira Júnior
dc.contributor.referee2.fl_str_mv Antonio Ferreira da Silva
dc.contributor.referee3.fl_str_mv Barclay Robert Clemesha
dc.contributor.author.fl_str_mv Enzo Granato
contributor_str_mv Ronald Dennis Paul Kenneth Clive Ranvaud
Nei Fernandes de Oliveira Júnior
Antonio Ferreira da Silva
Barclay Robert Clemesha
dc.description.abstract.por.fl_txt_mv Investiga-se o comportamento elétrico da camada implantada de P no Si obtida por implantação iônica com 12 KeV de energia para 6 doses diferentes, variando de 10 12 a 1016 cm-2 . As propriedades elétricas foram examinadas através de medidas de resistividade de folha em função da temperatura entre 300 e 4,2 X. A determinação da distribuição em profundidade da densidade e mobilidade de portadores foi obtida por meio de medidas de coeficiente Hall e resistividade de folha após cada remoção sucessiva de camadas finas da amostra implantada através de oxidação anódica do Si.
dc.description.abstract.eng.fl_txt_mv The eleetrical behavior ofP implanted layer on p -Si (12 KeV ofimplantation energy) for 6 doses varying from jgl to 10-16 em -2 was investigated. The eleetrical properties were examined through sheet resistivity measurements as a fUnction of temperature between 300and 4,2 K. The depth distribution of dénsity and mobility of earriers was obtained through sheet Kali coeffieient and resistivity m'easurements following sueeessive removais of thin tayers of the inplantation by anedie oxidation.
description Investiga-se o comportamento elétrico da camada implantada de P no Si obtida por implantação iônica com 12 KeV de energia para 6 doses diferentes, variando de 10 12 a 1016 cm-2 . As propriedades elétricas foram examinadas através de medidas de resistividade de folha em função da temperatura entre 300 e 4,2 X. A determinação da distribuição em profundidade da densidade e mobilidade de portadores foi obtida por meio de medidas de coeficiente Hall e resistividade de folha após cada remoção sucessiva de camadas finas da amostra implantada através de oxidação anódica do Si.
publishDate 1982
dc.date.issued.fl_str_mv 1982-04-26
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
status_str publishedVersion
format masterThesis
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://urlib.net/sid.inpe.br/mtc-m21c/2018/05.14.18.42
url http://urlib.net/sid.inpe.br/mtc-m21c/2018/05.14.18.42
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.publisher.none.fl_str_mv Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
dc.publisher.program.fl_str_mv Programa de Pós-Graduação do INPE em Eletrônica e Telecomunicações
dc.publisher.initials.fl_str_mv INPE
dc.publisher.country.fl_str_mv BR
publisher.none.fl_str_mv Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPE
instname:Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
instacron:INPE
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPE
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPE
instname_str Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
instacron_str INPE
institution INPE
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPE - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
repository.mail.fl_str_mv
publisher_program_txtF_mv Programa de Pós-Graduação do INPE em Eletrônica e Telecomunicações
contributor_advisor1_txtF_mv Ronald Dennis Paul Kenneth Clive Ranvaud
_version_ 1706809361219715072

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