Resistividade elétrica em implantações de baixa energia de P no Si
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 1982 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPE |
Texto Completo: | http://urlib.net/sid.inpe.br/mtc-m21c/2018/05.14.18.42 |
Resumo: | Investiga-se o comportamento elétrico da camada implantada de P no Si obtida por implantação iônica com 12 KeV de energia para 6 doses diferentes, variando de 10 12 a 1016 cm-2 . As propriedades elétricas foram examinadas através de medidas de resistividade de folha em função da temperatura entre 300 e 4,2 X. A determinação da distribuição em profundidade da densidade e mobilidade de portadores foi obtida por meio de medidas de coeficiente Hall e resistividade de folha após cada remoção sucessiva de camadas finas da amostra implantada através de oxidação anódica do Si. |
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