Fabricação de detetores fotovoltaicos de PbSnTe utilizando a técnica da epitaxia a partir da fase líquida - LPE

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Sukarno Olavo Ferreira
Data de Publicação: 1986
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPE
Texto Completo: http://urlib.net/sid.inpe.br/mtc-m21b/2017/11.28.18.33
Resumo: São abordados todos os passos envolvidos na fabricação de detectores fotovoltaiCos de PbSnle, desde o crescimento do monocristal até a caracterização completa dos diodos. A formação da junção PN através da técnica de LPE (Liquid Phase Epitaxy) é descrita em detalhes. caracterização dos detectores inclui: curva "I x V", resposta espectral, tempo dá resposta, detetividade, responsividade e degradação devida ao tempo de uso e estocagem. Os dispositivos fabricados apresentam detetividades da ordem de 1010w_lcmHz1/^, 4 comprimentos de onda de corte entre 5,7 e 11,6 um e tempos de resposta da ordem de 20 ps. Os principais problemas no processo de fabricação são a preparação dos substratos e soldagem dos contatos elétricos.
id INPE_42c16740807eaa690c35891abdf8378f
oai_identifier_str oai:urlib.net:sid.inpe.br/mtc-m21b/2017/11.28.18.33.34-0
network_acronym_str INPE
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPE
spelling info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisFabricação de detetores fotovoltaicos de PbSnTe utilizando a técnica da epitaxia a partir da fase líquida - LPEx1986-03-07Irajá Newton BandeiraPaulo MotisukePierre KaufmannPaulo Sérgio GuimarãesSukarno Olavo FerreiraInstituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)Programa de Pós-Graduação do INPE em Eletrônica e TelecomunicaçõesINPEBRPbSnTedetectores infravermelholiquid phase epitaxySão abordados todos os passos envolvidos na fabricação de detectores fotovoltaiCos de PbSnle, desde o crescimento do monocristal até a caracterização completa dos diodos. A formação da junção PN através da técnica de LPE (Liquid Phase Epitaxy) é descrita em detalhes. caracterização dos detectores inclui: curva "I x V", resposta espectral, tempo dá resposta, detetividade, responsividade e degradação devida ao tempo de uso e estocagem. Os dispositivos fabricados apresentam detetividades da ordem de 1010w_lcmHz1/^, 4 comprimentos de onda de corte entre 5,7 e 11,6 um e tempos de resposta da ordem de 20 ps. Os principais problemas no processo de fabricação são a preparação dos substratos e soldagem dos contatos elétricos.Ali the steps in the fàbrication of photovoltaic infrared detectors are broched, since the growth'of the single crystal until the complete characterization of the diodes. The fórmation of the PN junction by-Liquid Phase Epitaxy (LPE) technique.is described in details. The detector characterization includes': "Ix V" curve, spectral response, response time, detectivity, responsivity, and degradation owing to time Ar .use and stock. The devices show detectivities in the range 109 -10" W-1 cmHz 1112 ,cut-off wave length between 5,7 and 11,6 vm and response time at about 20 us. The main pripblems in the fabrication process are the substrates preparatión and the soldering of the electric contacte.http://urlib.net/sid.inpe.br/mtc-m21b/2017/11.28.18.33info:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPEinstname:Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)instacron:INPE2021-07-31T06:55:34Zoai:urlib.net:sid.inpe.br/mtc-m21b/2017/11.28.18.33.34-0Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://bibdigital.sid.inpe.br/PUBhttp://bibdigital.sid.inpe.br/col/iconet.com.br/banon/2003/11.21.21.08/doc/oai.cgiopendoar:32772021-07-31 06:55:35.294Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPE - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)false
dc.title.pt.fl_str_mv Fabricação de detetores fotovoltaicos de PbSnTe utilizando a técnica da epitaxia a partir da fase líquida - LPE
dc.title.alternative.en.fl_str_mv x
title Fabricação de detetores fotovoltaicos de PbSnTe utilizando a técnica da epitaxia a partir da fase líquida - LPE
spellingShingle Fabricação de detetores fotovoltaicos de PbSnTe utilizando a técnica da epitaxia a partir da fase líquida - LPE
Sukarno Olavo Ferreira
title_short Fabricação de detetores fotovoltaicos de PbSnTe utilizando a técnica da epitaxia a partir da fase líquida - LPE
title_full Fabricação de detetores fotovoltaicos de PbSnTe utilizando a técnica da epitaxia a partir da fase líquida - LPE
title_fullStr Fabricação de detetores fotovoltaicos de PbSnTe utilizando a técnica da epitaxia a partir da fase líquida - LPE
title_full_unstemmed Fabricação de detetores fotovoltaicos de PbSnTe utilizando a técnica da epitaxia a partir da fase líquida - LPE
title_sort Fabricação de detetores fotovoltaicos de PbSnTe utilizando a técnica da epitaxia a partir da fase líquida - LPE
author Sukarno Olavo Ferreira
author_facet Sukarno Olavo Ferreira
author_role author
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Irajá Newton Bandeira
dc.contributor.referee1.fl_str_mv Paulo Motisuke
dc.contributor.referee2.fl_str_mv Pierre Kaufmann
dc.contributor.referee3.fl_str_mv Paulo Sérgio Guimarães
dc.contributor.author.fl_str_mv Sukarno Olavo Ferreira
contributor_str_mv Irajá Newton Bandeira
Paulo Motisuke
Pierre Kaufmann
Paulo Sérgio Guimarães
dc.description.abstract.por.fl_txt_mv São abordados todos os passos envolvidos na fabricação de detectores fotovoltaiCos de PbSnle, desde o crescimento do monocristal até a caracterização completa dos diodos. A formação da junção PN através da técnica de LPE (Liquid Phase Epitaxy) é descrita em detalhes. caracterização dos detectores inclui: curva "I x V", resposta espectral, tempo dá resposta, detetividade, responsividade e degradação devida ao tempo de uso e estocagem. Os dispositivos fabricados apresentam detetividades da ordem de 1010w_lcmHz1/^, 4 comprimentos de onda de corte entre 5,7 e 11,6 um e tempos de resposta da ordem de 20 ps. Os principais problemas no processo de fabricação são a preparação dos substratos e soldagem dos contatos elétricos.
dc.description.abstract.eng.fl_txt_mv Ali the steps in the fàbrication of photovoltaic infrared detectors are broched, since the growth'of the single crystal until the complete characterization of the diodes. The fórmation of the PN junction by-Liquid Phase Epitaxy (LPE) technique.is described in details. The detector characterization includes': "Ix V" curve, spectral response, response time, detectivity, responsivity, and degradation owing to time Ar .use and stock. The devices show detectivities in the range 109 -10" W-1 cmHz 1112 ,cut-off wave length between 5,7 and 11,6 vm and response time at about 20 us. The main pripblems in the fabrication process are the substrates preparatión and the soldering of the electric contacte.
description São abordados todos os passos envolvidos na fabricação de detectores fotovoltaiCos de PbSnle, desde o crescimento do monocristal até a caracterização completa dos diodos. A formação da junção PN através da técnica de LPE (Liquid Phase Epitaxy) é descrita em detalhes. caracterização dos detectores inclui: curva "I x V", resposta espectral, tempo dá resposta, detetividade, responsividade e degradação devida ao tempo de uso e estocagem. Os dispositivos fabricados apresentam detetividades da ordem de 1010w_lcmHz1/^, 4 comprimentos de onda de corte entre 5,7 e 11,6 um e tempos de resposta da ordem de 20 ps. Os principais problemas no processo de fabricação são a preparação dos substratos e soldagem dos contatos elétricos.
publishDate 1986
dc.date.issued.fl_str_mv 1986-03-07
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
status_str publishedVersion
format masterThesis
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://urlib.net/sid.inpe.br/mtc-m21b/2017/11.28.18.33
url http://urlib.net/sid.inpe.br/mtc-m21b/2017/11.28.18.33
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.publisher.none.fl_str_mv Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
dc.publisher.program.fl_str_mv Programa de Pós-Graduação do INPE em Eletrônica e Telecomunicações
dc.publisher.initials.fl_str_mv INPE
dc.publisher.country.fl_str_mv BR
publisher.none.fl_str_mv Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPE
instname:Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
instacron:INPE
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPE
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPE
instname_str Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
instacron_str INPE
institution INPE
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPE - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
repository.mail.fl_str_mv
publisher_program_txtF_mv Programa de Pós-Graduação do INPE em Eletrônica e Telecomunicações
contributor_advisor1_txtF_mv Irajá Newton Bandeira
_version_ 1706809360347299840

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