Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante
Autor(a) principal: | |
---|---|
Data de Publicação: | 2011 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS |
Texto Completo: | http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/3175 |
Resumo: | Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de cristais compostos semicondutores III-V GaSb e GaInSb, levemente dopados com alumínio (Al), cádmio (Cd) e telúrio (Te). O Antimoneto de Gálio é um composto semicondutor da família III-V, com característica optoeletrônica e termofotovoltaica, de aplicação preferencial para uma nova geração de dispositivos de baixo consumo de energia e alto desempenho. A metodologia apresenta a descrição do processo de crescimento dos cristais através do método Czochralski com Líquido Encapsulante. A distribuição dos dopantes e do índio, analisada por Espectroscopia por Dispersão de Energia, foi comparada com a resistividade, densidade de portadores e mobilidade ao longo dos cristais. A condutividade tipo-n encontrada em algum dos cristais sugere que defeitos complexos como VGaGaSb e mais provavelmente gálio no sítio do Sb (GaSb) possam estar presentes. A distribuição não uniforme do alumínio e do telúrio nas amostras analisadas provavelmente esteja vinculada a não uniformidade da distribuição radial dos dopantes em função da presença de defeitos como maclas, contornos de grão e pits encontrados nos cristais. |
id |
P_RS_9bde25aa1f2077c7f160dc8c8cae20a6 |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:tede2.pucrs.br:tede/3175 |
network_acronym_str |
P_RS |
network_name_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS |
repository_id_str |
|
spelling |
Dedavid, Berenice AninaCPF:21009619004http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4780514Z4CPF:00673766063http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4183576D7Streicher, Morgana2015-04-14T13:58:42Z2011-03-162011-01-18STREICHER, Morgana. Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante. 2011. 96 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, 2011.http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/3175Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 429719.pdf: 8096563 bytes, checksum: 3909c8aa0ccc3554fde2f6ac8e82d333 (MD5) Previous issue date: 2011-01-18Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de cristais compostos semicondutores III-V GaSb e GaInSb, levemente dopados com alumínio (Al), cádmio (Cd) e telúrio (Te). O Antimoneto de Gálio é um composto semicondutor da família III-V, com característica optoeletrônica e termofotovoltaica, de aplicação preferencial para uma nova geração de dispositivos de baixo consumo de energia e alto desempenho. A metodologia apresenta a descrição do processo de crescimento dos cristais através do método Czochralski com Líquido Encapsulante. A distribuição dos dopantes e do índio, analisada por Espectroscopia por Dispersão de Energia, foi comparada com a resistividade, densidade de portadores e mobilidade ao longo dos cristais. A condutividade tipo-n encontrada em algum dos cristais sugere que defeitos complexos como VGaGaSb e mais provavelmente gálio no sítio do Sb (GaSb) possam estar presentes. A distribuição não uniforme do alumínio e do telúrio nas amostras analisadas provavelmente esteja vinculada a não uniformidade da distribuição radial dos dopantes em função da presença de defeitos como maclas, contornos de grão e pits encontrados nos cristais.application/pdfhttp://tede2.pucrs.br:80/tede2/retrieve/12235/429719.pdf.jpgporPontifícia Universidade Católica do Rio Grande do SulPrograma de Pós-Graduação em Engenharia e Tecnologia de MateriaisPUCRSBRFaculdade de EngenhariaENGENHARIA DE MATERIAISSEMICONDUTORESCRESCIMENTO DOS CRISTAISCNPQ::ENGENHARIASCrescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulanteinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesis-7432719344215120122500600-655770572761439785info:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RSinstname:Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)instacron:PUC_RSTHUMBNAIL429719.pdf.jpg429719.pdf.jpgimage/jpeg4977http://tede2.pucrs.br/tede2/bitstream/tede/3175/3/429719.pdf.jpga64bc5da775b968d7c73442a71e671a3MD53TEXT429719.pdf.txt429719.pdf.txttext/plain133404http://tede2.pucrs.br/tede2/bitstream/tede/3175/2/429719.pdf.txt7b6e0d2f836061333a921478457a50eaMD52ORIGINAL429719.pdfapplication/pdf8096563http://tede2.pucrs.br/tede2/bitstream/tede/3175/1/429719.pdf3909c8aa0ccc3554fde2f6ac8e82d333MD51tede/31752015-04-17 16:09:31.589oai:tede2.pucrs.br:tede/3175Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://tede2.pucrs.br/tede2/PRIhttps://tede2.pucrs.br/oai/requestbiblioteca.central@pucrs.br||opendoar:2015-04-17T19:09:31Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)false |
dc.title.por.fl_str_mv |
Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante |
title |
Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante |
spellingShingle |
Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante Streicher, Morgana ENGENHARIA DE MATERIAIS SEMICONDUTORES CRESCIMENTO DOS CRISTAIS CNPQ::ENGENHARIAS |
title_short |
Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante |
title_full |
Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante |
title_fullStr |
Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante |
title_full_unstemmed |
Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante |
title_sort |
Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante |
author |
Streicher, Morgana |
author_facet |
Streicher, Morgana |
author_role |
author |
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv |
Dedavid, Berenice Anina |
dc.contributor.advisor1ID.fl_str_mv |
CPF:21009619004 |
dc.contributor.advisor1Lattes.fl_str_mv |
http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4780514Z4 |
dc.contributor.authorID.fl_str_mv |
CPF:00673766063 |
dc.contributor.authorLattes.fl_str_mv |
http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4183576D7 |
dc.contributor.author.fl_str_mv |
Streicher, Morgana |
contributor_str_mv |
Dedavid, Berenice Anina |
dc.subject.por.fl_str_mv |
ENGENHARIA DE MATERIAIS SEMICONDUTORES CRESCIMENTO DOS CRISTAIS |
topic |
ENGENHARIA DE MATERIAIS SEMICONDUTORES CRESCIMENTO DOS CRISTAIS CNPQ::ENGENHARIAS |
dc.subject.cnpq.fl_str_mv |
CNPQ::ENGENHARIAS |
description |
Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de cristais compostos semicondutores III-V GaSb e GaInSb, levemente dopados com alumínio (Al), cádmio (Cd) e telúrio (Te). O Antimoneto de Gálio é um composto semicondutor da família III-V, com característica optoeletrônica e termofotovoltaica, de aplicação preferencial para uma nova geração de dispositivos de baixo consumo de energia e alto desempenho. A metodologia apresenta a descrição do processo de crescimento dos cristais através do método Czochralski com Líquido Encapsulante. A distribuição dos dopantes e do índio, analisada por Espectroscopia por Dispersão de Energia, foi comparada com a resistividade, densidade de portadores e mobilidade ao longo dos cristais. A condutividade tipo-n encontrada em algum dos cristais sugere que defeitos complexos como VGaGaSb e mais provavelmente gálio no sítio do Sb (GaSb) possam estar presentes. A distribuição não uniforme do alumínio e do telúrio nas amostras analisadas provavelmente esteja vinculada a não uniformidade da distribuição radial dos dopantes em função da presença de defeitos como maclas, contornos de grão e pits encontrados nos cristais. |
publishDate |
2011 |
dc.date.available.fl_str_mv |
2011-03-16 |
dc.date.issued.fl_str_mv |
2011-01-18 |
dc.date.accessioned.fl_str_mv |
2015-04-14T13:58:42Z |
dc.type.status.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/masterThesis |
format |
masterThesis |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.citation.fl_str_mv |
STREICHER, Morgana. Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante. 2011. 96 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, 2011. |
dc.identifier.uri.fl_str_mv |
http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/3175 |
identifier_str_mv |
STREICHER, Morgana. Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante. 2011. 96 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, 2011. |
url |
http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/3175 |
dc.language.iso.fl_str_mv |
por |
language |
por |
dc.relation.program.fl_str_mv |
-7432719344215120122 |
dc.relation.confidence.fl_str_mv |
500 600 |
dc.relation.department.fl_str_mv |
-655770572761439785 |
dc.rights.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul |
dc.publisher.program.fl_str_mv |
Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Tecnologia de Materiais |
dc.publisher.initials.fl_str_mv |
PUCRS |
dc.publisher.country.fl_str_mv |
BR |
dc.publisher.department.fl_str_mv |
Faculdade de Engenharia |
publisher.none.fl_str_mv |
Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS instname:Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS) instacron:PUC_RS |
instname_str |
Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS) |
instacron_str |
PUC_RS |
institution |
PUC_RS |
reponame_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS |
collection |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS |
bitstream.url.fl_str_mv |
http://tede2.pucrs.br/tede2/bitstream/tede/3175/3/429719.pdf.jpg http://tede2.pucrs.br/tede2/bitstream/tede/3175/2/429719.pdf.txt http://tede2.pucrs.br/tede2/bitstream/tede/3175/1/429719.pdf |
bitstream.checksum.fl_str_mv |
a64bc5da775b968d7c73442a71e671a3 7b6e0d2f836061333a921478457a50ea 3909c8aa0ccc3554fde2f6ac8e82d333 |
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv |
MD5 MD5 MD5 |
repository.name.fl_str_mv |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS) |
repository.mail.fl_str_mv |
biblioteca.central@pucrs.br|| |
_version_ |
1799765291651039232 |