Análise de um retificador de onda completa CMOS na região de inversão fraca.

• Autor(a) principal: RAMOS, Moabe Rodrigues.
• Data de Publicação: 2019
• Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFCG
• Texto Completo: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/19076
• topic: Retificador de onda completa - CMOS; CMOS - Complementary Metal-Oxide-Semiconductor; Complementary Metal-Oxide-Semiconductor - CMOS; Região de inversão fraca; Radiofrequência; Transistor Mosfet; Cadence Virtuoso; Software Cadence Virtuoso; Simulação em Cadence Virtuoso; Modelagem matemática; Circuito de condicionamento de energia; Retificador de meia onda; Weak inversion region; Radio frequency; Full wave rectifier - CMOS; Mosfet Transistor; Mosfet Transistor; Cadence Virtuoso Software; Cadence Virtuoso Simulation; Mathematical modeling; Power conditioning circuit; Half wave rectifier; Engenharia Elétrica.

O retificador é um dispositivo essencial na estrutura de circuitos de condicionamento de energia aplicados em baixa potência. Neste trabalho foi desenvolvido um estudo sobre um retificador de onda completa CMOS, com transistores operando na região de Inversão Fraca. O objetivo é criar um modelo matématico e verificar por meio de simulações no Cadence Virtuoso o comportamento da corrente de saída do retificador que alimenta a carga, para diferentes tipos de ligação do terminal do substrato, na tentativa de aumentar a corrente direta e diminuir a corrente reversa, melhorando assim sua eficiência. Com base em estudos anteriores e utilizando a tecnologia padrão de 180 nm foi aplicado um sinal senoidal, simulando um sinal RF de 100 kHz com uma amplitude de 200 mV na entrada de três retificadores, com o terminal do substrato posicionado em locais diferentes do circuito. Chegou-se a conclusão que, das três topologias analisadas, a que apresentou a melhor eficiêcia foi o retificador com o substrato do transitor PMOS ligado à porta. Entregando uma potência de 32 nW com uma tensão de saída de 106,8 mV para uma carga na faixa de 1,45 M a 2,41 M.