Controle de caos em amostras semi-isolantes de arseneto de gálio

• Autor(a) principal: Samir Lacerda da Silva
• Data de Publicação: 2008
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/IACO-7KVQS3
• topic: Arseneto de gálio semi-isolante; Controle de caos; Epitaxia por Feixe Molecular; Semicondutores; Epitaxia por Feixe Molecular; Semicondutores; Arseneto de gálio; Física

Oscilações de corrente de baixa freqüência têm sido muito investigadas sobre a influência da tensão elétrica externa, a temperatura e a iluminação. Um campo magnético aplicado paralelamente foi usado nesse trabalho para obter janelas periódicas ímpares e bifurcações dentro delas num espaço de parâmetros de duas dimensões em um GaAs semi-isolante crescido por epitaxia de feixe molecular LT-MBE. Dois tipos de espaços de parâmetro foram usados para estabilizar janelas de período ímpar e as bifurcações, isto é, a tensão elétrica aplicada versus o campo magnético paralelo e a iluminação versus o campo magnético paralelo. Reproduzimos com sucesso, observações de ciclos estáveis de periodicidade 3, 4, 5, 6, 7 e 8 dentro de uma janela de período-3. Um exemplo de rota de bifurcação é apresentado seguindo a seqüência de caos para 4, 3, 6, 3, 5, 7, 5 e volta a caos no espaço de parâmetro de tensão versus campo magnético. Nessa rota de bifurcação nós mostraremos que o seguimento de ciclos está bifurcado e colapsando.