Crescimento de "multicamadas" de grafeno epitaxial em substratos de SiC à pressão atmosférica
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2011 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UFMG |
Texto Completo: | http://hdl.handle.net/1843/IACO-8JJT9K |
Resumo: | Neste trabalho, investigamos o processo de crescimento bem como a estrutura do grafeno epitaxial crescido em substratos de carbeto de silício (SiC) face do carbono. O crescimento foi realizado à pressão atmosférica em um forno sob atmosfera de Argônio (Ar). A produção do grafeno acontece quando aquecemos o substrato de SiC à temperaturas em torno de 1700ºC. Nesta condição, ocorre a sublimação dos átomos de Si, onde os carbonos remanescentes se ligam na forma sp2 do grafeno. Técnicas de difração de raios-x, espectroscopia Raman e espectroscopia de varredura por sonda foram utilizadas para caracterizar o material produzido. Análises dos espectros de Raman mostraram um material com estrutura semelhante ao grafeno. Por outro lado, a técnica de difração de raios-x indicou a presença de muitas camadas de grafeno. Esses resultados demonstram que o material preparado pode ser considerado um grafite desacoplado, onde a interação entre os planos é fraca e cada um destes se comporta como um grafeno isolado. Esse material possui um grande potencial para aplicações do grafeno em microeletrônica. |
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Rodrigo Gribel LacerdaAriete RighiEdmar Avellar SoaresThiago Grasiano Mendes de Sá2019-08-13T10:38:04Z2019-08-13T10:38:04Z2011-03-10http://hdl.handle.net/1843/IACO-8JJT9KNeste trabalho, investigamos o processo de crescimento bem como a estrutura do grafeno epitaxial crescido em substratos de carbeto de silício (SiC) face do carbono. O crescimento foi realizado à pressão atmosférica em um forno sob atmosfera de Argônio (Ar). A produção do grafeno acontece quando aquecemos o substrato de SiC à temperaturas em torno de 1700ºC. Nesta condição, ocorre a sublimação dos átomos de Si, onde os carbonos remanescentes se ligam na forma sp2 do grafeno. Técnicas de difração de raios-x, espectroscopia Raman e espectroscopia de varredura por sonda foram utilizadas para caracterizar o material produzido. Análises dos espectros de Raman mostraram um material com estrutura semelhante ao grafeno. Por outro lado, a técnica de difração de raios-x indicou a presença de muitas camadas de grafeno. Esses resultados demonstram que o material preparado pode ser considerado um grafite desacoplado, onde a interação entre os planos é fraca e cada um destes se comporta como um grafeno isolado. Esse material possui um grande potencial para aplicações do grafeno em microeletrônica.In this work, we investigate the growth process and structure of epitaxial graphene grown on the C-face of silicon carbide (SiC) substrates. The growth was performed at atmospheric pressure in a furnace with an Argon (Ar) environment. The graphene production happens at about 1775º C. At this condition, the silicon atoms sublimate and the remaining carbon atoms on the surface bind with sp2 hibridization. X-ray diffraction,Raman spectroscopy and atomic force microscopy was used to characterize the material produced. Analyses of Raman spectra showed a material with structure similar to graphene. Moreover, X-ray diffraction indicated the presence of many layers of graphene, with interplanar distances between the Bernal and turbostratic graphite. These resultsdemonstrate that the prepared material can be considered a decoupled graphite, where the interaction between planes is weak with each other, behaving like an isolated graphene. Therefore, this material has great potential for applications in microelectronics, and can even show advantages compared to monolayer graphene, as it will become clear in this Master dissertation.Universidade Federal de Minas GeraisUFMGFilmes de grafenoGrafeno epitaxialRaio-X DifraçãoEspectroscopia de RamanFísicaDifração de Raio-XEspectroscopia RamanFilmes de grafenoGrafenoCrescimento de "multicamadas" de grafeno epitaxial em substratos de SiC à pressão atmosféricainfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da UFMGinstname:Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)instacron:UFMGORIGINALthiagograsiano.dis..pdfapplication/pdf44591624https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/IACO-8JJT9K/1/thiagograsiano.dis..pdfcee01d008bfbd6d6df0defdde8a18c60MD51TEXTthiagograsiano.dis..pdf.txtthiagograsiano.dis..pdf.txtExtracted texttext/plain161722https://repositorio.ufmg.br/bitstream/1843/IACO-8JJT9K/2/thiagograsiano.dis..pdf.txt6e66bbfc5af4eb25b8d44937e61153f6MD521843/IACO-8JJT9K2019-11-14 22:38:59.898oai:repositorio.ufmg.br:1843/IACO-8JJT9KRepositório de PublicaçõesPUBhttps://repositorio.ufmg.br/oaiopendoar:2019-11-15T01:38:59Repositório Institucional da UFMG - Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)false |
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