Reconstrução por série focal do Telureto de Bismuto utilizando microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Thais Milagres de Oliveira
Data de Publicação: 2015
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFMG
Texto Completo: http://hdl.handle.net/1843/BUBD-A96GSY
Resumo: A microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução permite a determinação da estrutura cristalina de materiais. Hoje em dia existem pelo menos duas abordagens: a difração de elétrons similar à difração de raios-X e a determinação da estrutura através reconstrução por série focal de imagens de microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução. Adicionalmente, a microscopia eletrônica de transmissão e varredura de alta resolução (STEM), aliada a espectroscopia de perda de energia de elétrons (EELS) em microscópios de ultra alta resolução com corretores de aberração esférica e monocromador tem mostrado bons resultados em diversos casos. Contudo, a interpretação e quantificação de imagens de alta resolução é complexa, devido à forte interação do feixe de elétrons com a matéria. Além disto, a função de onda emitida pela amostra é modificada pelos componentes do microscópio. As imagens de microscopia de alta resolução são uma convolução da função de onda do feixe incidente difratada pela amostra com a função de onda do microscópio, de forma que cada contraste observado na imagem representa um efeito de interferência. Para realizar esse estudo foram utilizados dois materiais, o Silício, que é bem conhecido na literatura e o Telureto de Bismuto, um material termoelétrico e com propriedades de isolante topológico. O objetivo principal é estudar e aplicar a técnica de reconstrução por série focal no telureto de bismuto para num futuro próximo determinar estrutura atômica em ligas de telureto de bismuto intercaladas com estanho, selênio e outros elementos.
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