Modelagem de transistores de efeito de campo com extração de parâmetros baseada nos métodos dos mínimos quadrados iterativo e de interpolação bi-cúbica

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Nypwipwy, Vithor Bernardo
Data de Publicação: 2014
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFPR
Texto Completo: https://hdl.handle.net/1884/35089
Resumo: Orientador : Prof. Dr. Wilson Arnaldo Artuzi Junior
id UFPR_c2f8a7f1f32bfc6837a13f6c12843c2e
oai_identifier_str oai:acervodigital.ufpr.br:1884/35089
network_acronym_str UFPR
network_name_str Repositório Institucional da UFPR
repository_id_str 308
spelling Universidade Federal do Paraná. Setor de Tecnologia. Programa de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaArtuzi Junior, Wilson ArnaldoNypwipwy, Vithor Bernardo2024-04-25T19:49:07Z2024-04-25T19:49:07Z2014https://hdl.handle.net/1884/35089Orientador : Prof. Dr. Wilson Arnaldo Artuzi JuniorDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Tecnologia, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica. Defesa: Curitiba, 21/02/2014Inclui referênciasÁrea de concentração: TelecomunicaçõesResumo: Esta dissertação que tem como objetivo fundamental a extração de parâmetros e a modelagem de transistores de efeito de campo é basicamente dividida em duas partes. A primeira parte propõe um modelo matemático de interpolação através do método dos mínimos quadrados iterativo, com objetivo de extrair parâmetros lineares de transistores MESFETs e HEMTs a partir de tabelas de parâmetros de espalhamento, fornecidos pelo fabricante dos dispositivos. Com os valores dos elementos do circuito de pequenos sinais extraídos, são calculados parâmetros de espalhamento e os resultados são posteriormente comparados com os dados do fabricante. Na segunda parte, um dos transistores HEMT, cujos parâmetros de circuito equivalente de pequenos sinais foram extraídos na primeira parte, é modelado através do método de interpolação bi-cúbica e simulado operando como amplificador sobre uma linha de transmissão do tipo microstrip, através de dois simuladores: o método dos elementos finitos no domínio do tempo (FETD) e QUCS. Os resultados do método FETD e do simulador QUCS são comparados entre si. Uma modelagem de grandes sinais é realizada através do FETD para a análise dos fenômenos não lineares através de curvas de potência de entrada e de saída.Abstract: This dissertation has as its fundamental objective the extraction parameters and the field-effect transistors modeling which is basically divided into two parts. The first part proposes a mathematical model of interpolation by the method of least squares iterative, with the aim of extracting linear parameters of MESFETs and HEMTs transistors through of scattering parameter tables that are provided by the manufactured of the devices. However, with the values extracted of small signal circuit elements, scattering parameters are calculated and the results are then compared with the data of the manufacturer. In the second part, one of the HEMT transistors, whose small signal equivalent circuit parameters were extracted in the first part, is modeled by the bi-cubic interpolation method and simulated operating like amplifier on a transmission line microstrip through two simulators: the finite element time domain method (FETD) and QUCS. And then the results of FETD method and QUCS simulator are compared amongst them. A large signal modeling is performed by FETD for the analysis of nonlinear phenomena by curves of power input and output.104f. : il. algumas colors., grafs., tabs.application/pdfDisponível em formato digitalEngenharia elétricaTransistores de efeito de campoInterpolaçãoMinimos quadradosModelagem de transistores de efeito de campo com extração de parâmetros baseada nos métodos dos mínimos quadrados iterativo e de interpolação bi-cúbicainfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisporreponame:Repositório Institucional da UFPRinstname:Universidade Federal do Paraná (UFPR)instacron:UFPRinfo:eu-repo/semantics/openAccessORIGINALR - D - VITHOR BERNARDO NYPWIPWY.pdfapplication/pdf4617209https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/35089/1/R%20-%20D%20-%20VITHOR%20BERNARDO%20NYPWIPWY.pdfb19a393a03e6c3544e52da1b64e7f0a0MD51open accessTEXTR - D - VITHOR BERNARDO NYPWIPWY.pdf.txtExtracted Texttext/plain111604https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/35089/2/R%20-%20D%20-%20VITHOR%20BERNARDO%20NYPWIPWY.pdf.txt84ed5db818a36aabf0733db391cec50eMD52open accessTHUMBNAILR - D - VITHOR BERNARDO NYPWIPWY.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1349https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/35089/3/R%20-%20D%20-%20VITHOR%20BERNARDO%20NYPWIPWY.pdf.jpgc3eb16a7c75abf482f43f0c762f53a08MD53open access1884/350892024-04-25 16:49:07.781open accessoai:acervodigital.ufpr.br:1884/35089Repositório de PublicaçõesPUBhttp://acervodigital.ufpr.br/oai/requestopendoar:3082024-04-25T19:49:07Repositório Institucional da UFPR - Universidade Federal do Paraná (UFPR)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Modelagem de transistores de efeito de campo com extração de parâmetros baseada nos métodos dos mínimos quadrados iterativo e de interpolação bi-cúbica
title Modelagem de transistores de efeito de campo com extração de parâmetros baseada nos métodos dos mínimos quadrados iterativo e de interpolação bi-cúbica
spellingShingle Modelagem de transistores de efeito de campo com extração de parâmetros baseada nos métodos dos mínimos quadrados iterativo e de interpolação bi-cúbica
Nypwipwy, Vithor Bernardo
Engenharia elétrica
Transistores de efeito de campo
Interpolação
Minimos quadrados
title_short Modelagem de transistores de efeito de campo com extração de parâmetros baseada nos métodos dos mínimos quadrados iterativo e de interpolação bi-cúbica
title_full Modelagem de transistores de efeito de campo com extração de parâmetros baseada nos métodos dos mínimos quadrados iterativo e de interpolação bi-cúbica
title_fullStr Modelagem de transistores de efeito de campo com extração de parâmetros baseada nos métodos dos mínimos quadrados iterativo e de interpolação bi-cúbica
title_full_unstemmed Modelagem de transistores de efeito de campo com extração de parâmetros baseada nos métodos dos mínimos quadrados iterativo e de interpolação bi-cúbica
title_sort Modelagem de transistores de efeito de campo com extração de parâmetros baseada nos métodos dos mínimos quadrados iterativo e de interpolação bi-cúbica
author Nypwipwy, Vithor Bernardo
author_facet Nypwipwy, Vithor Bernardo
author_role author
dc.contributor.other.pt_BR.fl_str_mv Universidade Federal do Paraná. Setor de Tecnologia. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Artuzi Junior, Wilson Arnaldo
dc.contributor.author.fl_str_mv Nypwipwy, Vithor Bernardo
contributor_str_mv Artuzi Junior, Wilson Arnaldo
dc.subject.por.fl_str_mv Engenharia elétrica
Transistores de efeito de campo
Interpolação
Minimos quadrados
topic Engenharia elétrica
Transistores de efeito de campo
Interpolação
Minimos quadrados
description Orientador : Prof. Dr. Wilson Arnaldo Artuzi Junior
publishDate 2014
dc.date.issued.fl_str_mv 2014
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2024-04-25T19:49:07Z
dc.date.available.fl_str_mv 2024-04-25T19:49:07Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://hdl.handle.net/1884/35089
url https://hdl.handle.net/1884/35089
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.pt_BR.fl_str_mv Disponível em formato digital
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv 104f. : il. algumas colors., grafs., tabs.
application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFPR
instname:Universidade Federal do Paraná (UFPR)
instacron:UFPR
instname_str Universidade Federal do Paraná (UFPR)
instacron_str UFPR
institution UFPR
reponame_str Repositório Institucional da UFPR
collection Repositório Institucional da UFPR
bitstream.url.fl_str_mv https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/35089/1/R%20-%20D%20-%20VITHOR%20BERNARDO%20NYPWIPWY.pdf
https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/35089/2/R%20-%20D%20-%20VITHOR%20BERNARDO%20NYPWIPWY.pdf.txt
https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/35089/3/R%20-%20D%20-%20VITHOR%20BERNARDO%20NYPWIPWY.pdf.jpg
bitstream.checksum.fl_str_mv b19a393a03e6c3544e52da1b64e7f0a0
84ed5db818a36aabf0733db391cec50e
c3eb16a7c75abf482f43f0c762f53a08
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFPR - Universidade Federal do Paraná (UFPR)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1813898691499524096

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