Isolamento de grafeno com plasma de O2

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Pick, Ana Carolina
Data de Publicação: 2021
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFRGS
Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/236380
Resumo: Desde a última década o grafeno tem sido muito estudado em função das suas excelentes propriedades físicas e químicas e fácil manipulação. Por ser um material 2D, o grafeno oferece a possibilidade de integração à tecnologia de semicondutores existente para a próxima geração de dispositivos eletrônicos e sensores. Neste contexto, a compreensão da interface grafeno-semicondutor e grafeno-isolador-semicondutor é de interesse para várias aplicações. Estudos realizados nos últimos anos mostraram que o grafeno é capaz de formar junções com semicondutores 3D e 2D, comportando-se como um bom diodo Schottky. A principal novidade destes dispositivos é a possibilidade de ajuste da altura da barreira Schottky, característica que torna a junção grafeno-semicondutor e grafeno-isolador-semicondutor uma boa plataforma para o estudo de mecanismos de transporte de interface, bem como para aplicações em fotodetecção, comunicações de alta velocidade, células solares, detecção química e biológica, etc. O presente trabalho tem por objetivo estudar o efeito do tratamento com plasma de O2 sobre as propriedades elétricas de estruturas grafeno-isolador-semicondutor de grafeno sobre substrato de Si/SiO2 e comparar estes resultados com os efeitos do bombardeamento de camadas de grafeno com íons.
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