Análise do impacto de NBTI e RTS em células SRAM e portas lógicas

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Camargo, Vinícius Valduga de Almeida
Data de Publicação: 2009
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFRGS
Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/24319
Resumo: Este trabalho tem por objetivo analisar o impacto causado no atraso de propagação de portas lógicas e a probabilidade de falhas em células de memória estáticas de acesso aleatório (SRAM) devido a Negative Bias Temperature Instability (NBTI) e ao Randon Telegraph signal (RTS). As analises são baseadas nos resultados de simulações elétricas que se utilizam de modelos teóricos dos efeitos, também apresentados neste trabalho. Ao final do trabalho é feita uma comparação entre o impacto destes dois efeitos nos dois tipos de circuitos simulados.
id UFRGS-2_50204e0af0dfc49019b3090c86330c36
oai_identifier_str oai:www.lume.ufrgs.br:10183/24319
network_acronym_str UFRGS-2
network_name_str Repositório Institucional da UFRGS
repository_id_str
spelling Camargo, Vinícius Valduga de AlmeidaWirth, Gilson Inacio2010-07-06T04:18:04Z2009http://hdl.handle.net/10183/24319000736446Este trabalho tem por objetivo analisar o impacto causado no atraso de propagação de portas lógicas e a probabilidade de falhas em células de memória estáticas de acesso aleatório (SRAM) devido a Negative Bias Temperature Instability (NBTI) e ao Randon Telegraph signal (RTS). As analises são baseadas nos resultados de simulações elétricas que se utilizam de modelos teóricos dos efeitos, também apresentados neste trabalho. Ao final do trabalho é feita uma comparação entre o impacto destes dois efeitos nos dois tipos de circuitos simulados.This project aims to analyze the impact of Negative Bias Temperature Instability (NBTI) and Random Telegraph Signal (RTS) on propagation delay of logic gates and on failure probability of static random access memory (SRAM). The analysis is based on electrical simulations, which employs theoretical models for these effects, which are also presented on this project. In the end of the manuscript is presented a comparison between the impact of the effects in both of the circuit types analyzed in the project.application/pdfporEngenharia elétricaNBTIRTSSRAMMicroelectronicsAnálise do impacto de NBTI e RTS em células SRAM e portas lógicasinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulEscola de EngenhariaPorto Alegre, BR-RS2009Engenharia Elétricagraduaçãoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSTEXT000736446.pdf.txt000736446.pdf.txtExtracted Texttext/plain51879http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/24319/2/000736446.pdf.txtaf57212408e3b4c5331c378382ca95a3MD52ORIGINAL000736446.pdf000736446.pdfTexto completoapplication/pdf451734http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/24319/1/000736446.pdf28549e5865e1fedb9fa93dfb589680f4MD51THUMBNAIL000736446.pdf.jpg000736446.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1094http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/24319/3/000736446.pdf.jpg6809a6eeffee055699eb40ddf17bca42MD5310183/243192018-10-17 08:48:41.501oai:www.lume.ufrgs.br:10183/24319Repositório de PublicaçõesPUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestopendoar:2018-10-17T11:48:41Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Análise do impacto de NBTI e RTS em células SRAM e portas lógicas
title Análise do impacto de NBTI e RTS em células SRAM e portas lógicas
spellingShingle Análise do impacto de NBTI e RTS em células SRAM e portas lógicas
Camargo, Vinícius Valduga de Almeida
Engenharia elétrica
NBTI
RTS
SRAM
Microelectronics
title_short Análise do impacto de NBTI e RTS em células SRAM e portas lógicas
title_full Análise do impacto de NBTI e RTS em células SRAM e portas lógicas
title_fullStr Análise do impacto de NBTI e RTS em células SRAM e portas lógicas
title_full_unstemmed Análise do impacto de NBTI e RTS em células SRAM e portas lógicas
title_sort Análise do impacto de NBTI e RTS em células SRAM e portas lógicas
author Camargo, Vinícius Valduga de Almeida
author_facet Camargo, Vinícius Valduga de Almeida
author_role author
dc.contributor.author.fl_str_mv Camargo, Vinícius Valduga de Almeida
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Wirth, Gilson Inacio
contributor_str_mv Wirth, Gilson Inacio
dc.subject.por.fl_str_mv Engenharia elétrica
topic Engenharia elétrica
NBTI
RTS
SRAM
Microelectronics
dc.subject.eng.fl_str_mv NBTI
RTS
SRAM
Microelectronics
description Este trabalho tem por objetivo analisar o impacto causado no atraso de propagação de portas lógicas e a probabilidade de falhas em células de memória estáticas de acesso aleatório (SRAM) devido a Negative Bias Temperature Instability (NBTI) e ao Randon Telegraph signal (RTS). As analises são baseadas nos resultados de simulações elétricas que se utilizam de modelos teóricos dos efeitos, também apresentados neste trabalho. Ao final do trabalho é feita uma comparação entre o impacto destes dois efeitos nos dois tipos de circuitos simulados.
publishDate 2009
dc.date.issued.fl_str_mv 2009
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2010-07-06T04:18:04Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
format bachelorThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://hdl.handle.net/10183/24319
dc.identifier.nrb.pt_BR.fl_str_mv 000736446
url http://hdl.handle.net/10183/24319
identifier_str_mv 000736446
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFRGS
instname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
instname_str Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron_str UFRGS
institution UFRGS
reponame_str Repositório Institucional da UFRGS
collection Repositório Institucional da UFRGS
bitstream.url.fl_str_mv http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/24319/2/000736446.pdf.txt
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/24319/1/000736446.pdf
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/24319/3/000736446.pdf.jpg
bitstream.checksum.fl_str_mv af57212408e3b4c5331c378382ca95a3
28549e5865e1fedb9fa93dfb589680f4
6809a6eeffee055699eb40ddf17bca42
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1801224395721539584

Registros relacionados