Análise do impacto de NBTI e RTS em células SRAM e portas lógicas
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2009 |
Tipo de documento: | Trabalho de conclusão de curso |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UFRGS |
Texto Completo: | http://hdl.handle.net/10183/24319 |
Resumo: | Este trabalho tem por objetivo analisar o impacto causado no atraso de propagação de portas lógicas e a probabilidade de falhas em células de memória estáticas de acesso aleatório (SRAM) devido a Negative Bias Temperature Instability (NBTI) e ao Randon Telegraph signal (RTS). As analises são baseadas nos resultados de simulações elétricas que se utilizam de modelos teóricos dos efeitos, também apresentados neste trabalho. Ao final do trabalho é feita uma comparação entre o impacto destes dois efeitos nos dois tipos de circuitos simulados. |
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Camargo, Vinícius Valduga de AlmeidaWirth, Gilson Inacio2010-07-06T04:18:04Z2009http://hdl.handle.net/10183/24319000736446Este trabalho tem por objetivo analisar o impacto causado no atraso de propagação de portas lógicas e a probabilidade de falhas em células de memória estáticas de acesso aleatório (SRAM) devido a Negative Bias Temperature Instability (NBTI) e ao Randon Telegraph signal (RTS). As analises são baseadas nos resultados de simulações elétricas que se utilizam de modelos teóricos dos efeitos, também apresentados neste trabalho. Ao final do trabalho é feita uma comparação entre o impacto destes dois efeitos nos dois tipos de circuitos simulados.This project aims to analyze the impact of Negative Bias Temperature Instability (NBTI) and Random Telegraph Signal (RTS) on propagation delay of logic gates and on failure probability of static random access memory (SRAM). The analysis is based on electrical simulations, which employs theoretical models for these effects, which are also presented on this project. In the end of the manuscript is presented a comparison between the impact of the effects in both of the circuit types analyzed in the project.application/pdfporEngenharia elétricaNBTIRTSSRAMMicroelectronicsAnálise do impacto de NBTI e RTS em células SRAM e portas lógicasinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulEscola de EngenhariaPorto Alegre, BR-RS2009Engenharia Elétricagraduaçãoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSTEXT000736446.pdf.txt000736446.pdf.txtExtracted Texttext/plain51879http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/24319/2/000736446.pdf.txtaf57212408e3b4c5331c378382ca95a3MD52ORIGINAL000736446.pdf000736446.pdfTexto completoapplication/pdf451734http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/24319/1/000736446.pdf28549e5865e1fedb9fa93dfb589680f4MD51THUMBNAIL000736446.pdf.jpg000736446.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1094http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/24319/3/000736446.pdf.jpg6809a6eeffee055699eb40ddf17bca42MD5310183/243192018-10-17 08:48:41.501oai:www.lume.ufrgs.br:10183/24319Repositório de PublicaçõesPUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestopendoar:2018-10-17T11:48:41Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false |
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