Caracterização de níveis de defeitos próximos à banda de valência em GaAs implantado com prótons

• Autor(a) principal: Adam, Matheus Coelho
• Data de Publicação: 2010
• Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFRGS
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/27320
• topic: Física da matéria condensada; Implantacao ionica; Arseneto de galio

No presente trabalho, foi utilizada a técnica de Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS - Deep Level Transient Spectroscopy) para identificar e caracterizar níveis profundos com energias mais próximas à da banda de valência do GaAs introduzidos por implantação de prótons. Dois níveis foram identificados: um com energia Et1 = Ev +0.08eV e seção de choque de captura de lacunas sp1 = 4×10−15 cm2 ; e outro com energia Et2 = Ev +0.1eV e seção de choque sp2 = 2.5×10−15 cm2. A evolução da concentração destes defeitos com a temperatura para passos de tratamento térmico rápido também foi estudada. O tratamento térmico rápido dessas amostras a temperaturas entre 150 e 200◦C causa o surgimento de um terceiro nível profundo. Para todos os defeitos, uma etapa de forte diminuição na concentração foi identificada a temperaturas em torno de 250 a 300◦C. A variação da taxa de emissão do primeiro nível (Et1 , sp1 ) com o campo elétrico pôde ser descrita utilizando-se, simultaneamente, o efeito Poole-Frenkel e a teoria de tunelamento auxiliado por fônons. O ajuste dos dados experimentais aponta para uma transição de estado de carga do tipo 0/−. Já a taxa de emissão do segundo nível (Et2 , sp2 ) varia com o campo elétrico seguindo apenas a teoria de tunelamento auxiliado por fônons, sendo a transição +/0 a mais provável.