Análise do envelhecimento e da robustez à radiação em circuitos digitais

• Autor(a) principal: Guterres, Eduarda de Castro
• Data de Publicação: 2024
• Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UFRGS
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/274464
• topic: Circuitos digitais; Efeitos da radiação; BTI; SET; Digital circuits; Ring oscillator

Este estudo teve como objetivo analisar como o envelhecimento afeta a robustez de circuitos integrados em relação à radiação, focalizando nos efeitos do Bias Temperature Instability (BTI) e do Single Event Transient (SET). Utilizou-se o NGSpice para simulações. Foi observado que o BTI afetou as transições de sinais nas portas lógicas, mostrando uma evolução semelhante à medida que envelhecem, embora não tenha sido identificado um padrão consistente entre todas as portas. Na análise do SET, nota-se que as correntes necessárias para desencadear um SET na saída das portas variam para cargas positivas e negativas. Quando combinado o BTI e SET, houve uma diminuição da energia necessária para que o SET ocorra à medida que o circuito envelhece. Nos osciladores em anel, teve-se um aumento no período conforme envelhecem. Como também, um padrão de aumento no tempo de sinal alto dos OAs conforme o BTI aumenta, mas essa tendência não foi consistente nos tempos de sinal baixo. Nos OAs com SET e BTI, nota-se uma tendência semelhante nos resultados para correntes negativas, mas houve descontinuidades nos valores para sinais positivos.