Eletrodeposição galvanostática de telureto de cádmio sobre silício monocristalino (111)

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Guimarães, Luciano de Moura
Data de Publicação: 2006
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: LOCUS Repositório Institucional da UFV
Texto Completo: http://locus.ufv.br/handle/123456789/4262
Resumo: In the present work, we study films CdTe electrodeposited galvanostatically from aqueous acidic solution (pH<1) onto n-type monocrystalline silicon wafer (111). The optimum current density to obtain good crystalline quality CdTe films was found to be 0,3 mA/cm2. The films were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM) and photoacoustic spectroscopy (PAS). The CdTe films were deposited at room temperature or at 85 ºC and covered evenly the substrate surface. The as-prepared films were non-reflecting and presented a grey color which showed dependence with current density and temperature The SEM pictures revealed a granular structure, without indications of faces that evidenced some crystalline arrangement. The XRD patterns of the films deposited at 85 ºC show peaks associated to the CdTe cubic phase. Additionally, peaks corresponding to a hexagonal phase of the elemental cadmium and tellurium were also detected. However, in the XRD patterns of the films which were grown at low temperature, no peaks were associated to CdTe. This film was passed by chemical treatment in saturated solution of CdCl2 followed by thermal annealing at 420 and 450 °C in nitrogen atmosphere. The XRD patterns of the films after annealing showed only signals associated to the cubic phase of CdTe. These results suggest improvement in the crystallinity of the films grown at room temperature and reduction of the amount of present elemental Te e Cd. Change in microstructure due to the annealing with CdCl2 was observed in the SEM pictures, which show completely recrystallized grains. The measurements of optical absorption in the films grown after annealing by PAS, showed an absorption band around the expected band gap energy value of CdTe. Our experimental results also showed that the CdTe films adhered better to unpolished surfaces.
id UFV_15647d8d74498a3dd2d3fe9da956596b
oai_identifier_str oai:locus.ufv.br:123456789/4262
network_acronym_str UFV
network_name_str LOCUS Repositório Institucional da UFV
repository_id_str 2145
spelling Guimarães, Luciano de Mourahttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4770245H6Albuquerque, José Eduardo dehttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4760294Y0Carvalho, Regina Simplíciohttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4786013T2Carvalho, Alexandre Tadeu Gomeshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4787153D2Reis, Efraim Lázarohttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4788214H7Ladeira, Luiz Orlandohttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4787115T02015-03-26T13:35:20Z2007-04-182015-03-26T13:35:20Z2006-12-21GUIMARÃES, Luciano de Moura. Galvanostatic electrodeposition of cadmium telluride on monocrystalline Silicon (111). 2006. 67 f. Dissertação (Mestrado em Física Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos.) - Universidade Federal de Viçosa, Viçosa, 2006.http://locus.ufv.br/handle/123456789/4262In the present work, we study films CdTe electrodeposited galvanostatically from aqueous acidic solution (pH<1) onto n-type monocrystalline silicon wafer (111). The optimum current density to obtain good crystalline quality CdTe films was found to be 0,3 mA/cm2. The films were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM) and photoacoustic spectroscopy (PAS). The CdTe films were deposited at room temperature or at 85 ºC and covered evenly the substrate surface. The as-prepared films were non-reflecting and presented a grey color which showed dependence with current density and temperature The SEM pictures revealed a granular structure, without indications of faces that evidenced some crystalline arrangement. The XRD patterns of the films deposited at 85 ºC show peaks associated to the CdTe cubic phase. Additionally, peaks corresponding to a hexagonal phase of the elemental cadmium and tellurium were also detected. However, in the XRD patterns of the films which were grown at low temperature, no peaks were associated to CdTe. This film was passed by chemical treatment in saturated solution of CdCl2 followed by thermal annealing at 420 and 450 °C in nitrogen atmosphere. The XRD patterns of the films after annealing showed only signals associated to the cubic phase of CdTe. These results suggest improvement in the crystallinity of the films grown at room temperature and reduction of the amount of present elemental Te e Cd. Change in microstructure due to the annealing with CdCl2 was observed in the SEM pictures, which show completely recrystallized grains. The measurements of optical absorption in the films grown after annealing by PAS, showed an absorption band around the expected band gap energy value of CdTe. Our experimental results also showed that the CdTe films adhered better to unpolished surfaces.No presente trabalho, estudamos filmes finos de CdTe eletrodepositados galvanostaticamente em meio aquoso ácido (pH<1) sobre silício monocristalino, tipo-n, (111). A densidade de corrente de 0,3 mA/cm2 permitiu a obtenção de filmes de melhor qualidade. Os filmes foram caracterizados por microscopia eletrônica de varredura (SEM), difração de raios-X (XRD) e espectroscopia fotoacústica (PAS). Obtivemos depósitos que cobriram efetivamente o substrato tanto a temperatura ambiente quanto a 85 ºC. Os filmes depositados são cinza escuros e a tonalidade varia com a temperatura de deposição e a densidade de corrente. A SEM revelou nos filmes uma estrutura granular, sem indicações de faces que pudessem evidenciar algum arranjo cristalino. A XRD dos filmes depositados a 85 ºC mostrou picos associados à fase cúbica do CdTe e também picos correspondendo à fase hexagonal do telúrio e do cádmio livres. Porém a XRD dos filmes depositados a temperatura ambiente não mostrou picos que pudessem ser associados ao CdTe. Os filmes foram submetidos a tratamento térmico a 420 e 450 ºC, em atmosfera de nitrogênio, depois de umedecidos com solução saturada de CdCl2. A XRD dos filmes depois do tratamento térmico mostrou picos intensos associados à fase cúbica do CdTe, com orientação preferencial dos grãos na direção (111), tanto nos filmes depositados a temperatura ambiente quanto a 85 ºC. Os resultados mostraram também uma redução na concentração do Te e Cd livres. Micrografias SEM mostraram recristalização da superfície do filme devido ao tratamento térmico. As medidas de absorção óptica por PAS, efetuadas em filmes tratados termicamente, revelaram uma banda de absorção em torno do valor esperado do gap óptico do CdTe. Nossos experimentos mostraram também que os filmes de CdTe aderem melhor em substratos de silício não polidos.Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superiorapplication/pdfporUniversidade Federal de ViçosaMestrado em Física AplicadaUFVBRFísica Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos.CdTeEletrodeposiçãoGalvanostáticaCdTeEletrodepositionGalvanostaticCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADAEletrodeposição galvanostática de telureto de cádmio sobre silício monocristalino (111)Galvanostatic electrodeposition of cadmium telluride on monocrystalline Silicon (111)info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:LOCUS Repositório Institucional da UFVinstname:Universidade Federal de Viçosa (UFV)instacron:UFVORIGINALtexto completo.pdfapplication/pdf1927502https://locus.ufv.br//bitstream/123456789/4262/1/texto%20completo.pdf3b216b20861fe585d8cac540c9638d0bMD51TEXTtexto completo.pdf.txttexto completo.pdf.txtExtracted texttext/plain105416https://locus.ufv.br//bitstream/123456789/4262/2/texto%20completo.pdf.txt5d14b4ea3cc7ad3b904e0dc8caad1f9aMD52THUMBNAILtexto completo.pdf.jpgtexto completo.pdf.jpgIM Thumbnailimage/jpeg3832https://locus.ufv.br//bitstream/123456789/4262/3/texto%20completo.pdf.jpg982847f1691ef3d3b6f154086b556444MD53123456789/42622019-02-08 07:32:01.354oai:locus.ufv.br:123456789/4262Repositório InstitucionalPUBhttps://www.locus.ufv.br/oai/requestfabiojreis@ufv.bropendoar:21452019-02-08T10:32:01LOCUS Repositório Institucional da UFV - Universidade Federal de Viçosa (UFV)false
dc.title.por.fl_str_mv Eletrodeposição galvanostática de telureto de cádmio sobre silício monocristalino (111)
dc.title.alternative.eng.fl_str_mv Galvanostatic electrodeposition of cadmium telluride on monocrystalline Silicon (111)
title Eletrodeposição galvanostática de telureto de cádmio sobre silício monocristalino (111)
spellingShingle Eletrodeposição galvanostática de telureto de cádmio sobre silício monocristalino (111)
Guimarães, Luciano de Moura
CdTe
Eletrodeposição
Galvanostática
CdTe
Eletrodeposition
Galvanostatic
CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA
title_short Eletrodeposição galvanostática de telureto de cádmio sobre silício monocristalino (111)
title_full Eletrodeposição galvanostática de telureto de cádmio sobre silício monocristalino (111)
title_fullStr Eletrodeposição galvanostática de telureto de cádmio sobre silício monocristalino (111)
title_full_unstemmed Eletrodeposição galvanostática de telureto de cádmio sobre silício monocristalino (111)
title_sort Eletrodeposição galvanostática de telureto de cádmio sobre silício monocristalino (111)
author Guimarães, Luciano de Moura
author_facet Guimarães, Luciano de Moura
author_role author
dc.contributor.authorLattes.por.fl_str_mv http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4770245H6
dc.contributor.author.fl_str_mv Guimarães, Luciano de Moura
dc.contributor.advisor-co1.fl_str_mv Albuquerque, José Eduardo de
dc.contributor.advisor-co1Lattes.fl_str_mv http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4760294Y0
dc.contributor.advisor-co2.fl_str_mv Carvalho, Regina Simplício
dc.contributor.advisor-co2Lattes.fl_str_mv http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4786013T2
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Carvalho, Alexandre Tadeu Gomes
dc.contributor.advisor1Lattes.fl_str_mv http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4787153D2
dc.contributor.referee1.fl_str_mv Reis, Efraim Lázaro
dc.contributor.referee1Lattes.fl_str_mv http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4788214H7
dc.contributor.referee2.fl_str_mv Ladeira, Luiz Orlando
dc.contributor.referee2Lattes.fl_str_mv http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4787115T0
contributor_str_mv Albuquerque, José Eduardo de
Carvalho, Regina Simplício
Carvalho, Alexandre Tadeu Gomes
Reis, Efraim Lázaro
Ladeira, Luiz Orlando
dc.subject.por.fl_str_mv CdTe
Eletrodeposição
Galvanostática
topic CdTe
Eletrodeposição
Galvanostática
CdTe
Eletrodeposition
Galvanostatic
CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA
dc.subject.eng.fl_str_mv CdTe
Eletrodeposition
Galvanostatic
dc.subject.cnpq.fl_str_mv CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA
description In the present work, we study films CdTe electrodeposited galvanostatically from aqueous acidic solution (pH<1) onto n-type monocrystalline silicon wafer (111). The optimum current density to obtain good crystalline quality CdTe films was found to be 0,3 mA/cm2. The films were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM) and photoacoustic spectroscopy (PAS). The CdTe films were deposited at room temperature or at 85 ºC and covered evenly the substrate surface. The as-prepared films were non-reflecting and presented a grey color which showed dependence with current density and temperature The SEM pictures revealed a granular structure, without indications of faces that evidenced some crystalline arrangement. The XRD patterns of the films deposited at 85 ºC show peaks associated to the CdTe cubic phase. Additionally, peaks corresponding to a hexagonal phase of the elemental cadmium and tellurium were also detected. However, in the XRD patterns of the films which were grown at low temperature, no peaks were associated to CdTe. This film was passed by chemical treatment in saturated solution of CdCl2 followed by thermal annealing at 420 and 450 °C in nitrogen atmosphere. The XRD patterns of the films after annealing showed only signals associated to the cubic phase of CdTe. These results suggest improvement in the crystallinity of the films grown at room temperature and reduction of the amount of present elemental Te e Cd. Change in microstructure due to the annealing with CdCl2 was observed in the SEM pictures, which show completely recrystallized grains. The measurements of optical absorption in the films grown after annealing by PAS, showed an absorption band around the expected band gap energy value of CdTe. Our experimental results also showed that the CdTe films adhered better to unpolished surfaces.
publishDate 2006
dc.date.issued.fl_str_mv 2006-12-21
dc.date.available.fl_str_mv 2007-04-18
2015-03-26T13:35:20Z
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2015-03-26T13:35:20Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.citation.fl_str_mv GUIMARÃES, Luciano de Moura. Galvanostatic electrodeposition of cadmium telluride on monocrystalline Silicon (111). 2006. 67 f. Dissertação (Mestrado em Física Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos.) - Universidade Federal de Viçosa, Viçosa, 2006.
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://locus.ufv.br/handle/123456789/4262
identifier_str_mv GUIMARÃES, Luciano de Moura. Galvanostatic electrodeposition of cadmium telluride on monocrystalline Silicon (111). 2006. 67 f. Dissertação (Mestrado em Física Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos.) - Universidade Federal de Viçosa, Viçosa, 2006.
url http://locus.ufv.br/handle/123456789/4262
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de Viçosa
dc.publisher.program.fl_str_mv Mestrado em Física Aplicada
dc.publisher.initials.fl_str_mv UFV
dc.publisher.country.fl_str_mv BR
dc.publisher.department.fl_str_mv Física Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos.
publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de Viçosa
dc.source.none.fl_str_mv reponame:LOCUS Repositório Institucional da UFV
instname:Universidade Federal de Viçosa (UFV)
instacron:UFV
instname_str Universidade Federal de Viçosa (UFV)
instacron_str UFV
institution UFV
reponame_str LOCUS Repositório Institucional da UFV
collection LOCUS Repositório Institucional da UFV
bitstream.url.fl_str_mv https://locus.ufv.br//bitstream/123456789/4262/1/texto%20completo.pdf
https://locus.ufv.br//bitstream/123456789/4262/2/texto%20completo.pdf.txt
https://locus.ufv.br//bitstream/123456789/4262/3/texto%20completo.pdf.jpg
bitstream.checksum.fl_str_mv 3b216b20861fe585d8cac540c9638d0b
5d14b4ea3cc7ad3b904e0dc8caad1f9a
982847f1691ef3d3b6f154086b556444
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv LOCUS Repositório Institucional da UFV - Universidade Federal de Viçosa (UFV)
repository.mail.fl_str_mv fabiojreis@ufv.br
_version_ 1801213054937989120