Crescimento e caracterização de filmes espessos de CdTe para a fabricação de detectores de raios-X

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Santos, José Antônio Duarte
Data de Publicação: 2010
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: LOCUS Repositório Institucional da UFV
Texto Completo: http://locus.ufv.br/handle/123456789/4240
Resumo: A presença de detectores de radiação nuclear é de extrema importância em várias indústrias como, por exemplo, a médica, a astronômica e de segurança nacional. Existem inúmeros tipos de detectores. Um deles, o detector construído com ligas semicondutoras de CdTe e CdZnTe, tem se tornado bastante popular devido às características peculiares como: praticidade, densidade, resolução energética e pela possibilidade de operarem a temperatura ambiente. Neste trabalho, faremos uma revisão de detectores de radiação nuclear, especialmente dos construídos com semicondutores. Apresentamos também métodos de caracterização estrutural, superficial e elétrica de amostras a fim de informar qual tipo de amostra é a mais viável para tal finalidade. Mostramos os resultados do crescimento de filmes espessos de CdTe, utilizando a técnica de Epitaxia de Paredes Quentes (HWE) nas temperaturas de 150 C e 250 C sobre Si (111), vidro simples e vidro coberto com óxido de estanho dopado com flúor. São também apresentados os resultados de caracterização dos filmes de CdTe por difração de raios-X e caracterização elétrica através de curvas I x V do filme.
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