Estudo do processo de nucleação de CdTe crescido sobre Si (111) por epitaxia de paredes quentes (HWE)

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Paiva, Edinei Canuto
Data de Publicação: 2003
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: LOCUS Repositório Institucional da UFV
Texto Completo: http://www.locus.ufv.br/handle/123456789/9538
Resumo: Este trabalho faz uma breve revisão das técnicas de crescimento de cristais, tanto volumétricas, quanto em camadas. São abordadas as técnicas Czocrhalski, Bridgman, Epitaxia por Fase Líquida, por Fluxo Molecular e de Paredes Quentes. Esta última técnica é utilizada no crescimento de filmes de CdTe sobre substratos de Si. A caracterização das amostras produzidas é feita por microscopia de força atômica, técnica que é descrita em detalhes. Finalmente são apresentados os resultados do estudo sobre o processo de nucleação do CdTe sobre Si e discutida a possibilidade de utilização deste processo na fabricação de pontos quânticos auto-formados.
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