Oxidação seletiva do silicio em baixas temperaturas : uma aplicação em dispositivos MOS auto-alinhados

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Sousa, Carlos Pimentel de
Data de Publicação: 1984
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579220
Resumo: Orientador: Alaide Pellegrini Mammana
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spelling Oxidação seletiva do silicio em baixas temperaturas : uma aplicação em dispositivos MOS auto-alinhadosMicroeletrônicaSemicondutores de óxido metálicoFilmes espessos - CircuitosOrientador: Alaide Pellegrini MammanaDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia EletricaResumo: Neste trabalho nós investigamos as condições de crescimento de uma camada de óxido de silício na interface entre o filme de Sn02 e o silício. O crescimento deste óxido, bem como suas propriedades de interface, foram estudadas em função da temperatura e ambiente de tratamento térmico; do tipo de condutividade, resistividade e orientação cristalográfica do substrato de silício. Com este propósito foram construídos capacitores de 'Sn¿O IND. 2¿/Si com dimensões de 500 x 500 '(mum) POT. 2¿ e definida uma seqüência de fabricação. Com a finalidade de verificar a possibilidade do emprego deste processo de oxidação, o qual chamamos de processo de oxidação seletiva do silício, na fabricação de transistores de efeito de campo com porta de 'Sn¿'O IND. 2¿ auto-alinhada, foram construídos transistores com diferentes geometrias e defininda também uma seqüência de fabricação. Os resultados obtidos para a espessura do óxido de silício ('Si¿¿O IND. 2¿) e para a densidade total de cargas nele presentes, bem como para os transistores, mostraram que este processo de oxidação seletiva do silício pode ser aplicado na fabricação de circuitos integradosAbstract: Not informed.MestradoMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Mammana, Alaide Pellegrini, 1941-Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia ElétricaPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASSousa, Carlos Pimentel de19841984-09-10T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf1v. (varias paginações) : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579220SOUSA, Carlos Pimentel de. Oxidação seletiva do silicio em baixas temperaturas: uma aplicação em dispositivos MOS auto-alinhados. 1984. 1v. (varias paginações) Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579220. Acesso em: 14 mai. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/52321porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2022-05-06T18:14:11Zoai::52321Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2022-05-06T18:14:11Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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