Obtenção e caracterização de filmes de silicio policristalino para aplicação em tecnologia MOS porta de silicio

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Ferreira, Elnatan Chagas, 1955-
Data de Publicação: 1984
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577049
Resumo: Orientador: Wilmar Bueno de Moraes
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spelling Obtenção e caracterização de filmes de silicio policristalino para aplicação em tecnologia MOS porta de silicioSemicondutores de óxido metálicoSilício - TecnologiaMateriaisOrientador: Wilmar Bueno de MoraesDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de CampinasResumo: O objetivo deste trabalho é investigar a obtenção de filmes de silício policristalino, depositados no reator epitaxial projetado e construído no nosso laboratório, a partir da redução de tetracloreto de silício por hidrogênio, e caracterizar estes filmes visando aplicá-los em uma tecnologia MOS porta de silício. Para tanto, ajustamos alguns parâmetros geométricos do reator epitaxial, verificamos a dependência da deposição e morfologia dos filmes com os parâmetros CVD (temperatura do substrato, fluxo total de gases e concentração de SiCl4). Dopamos os filmes por difusão térmica convencional, determinamos: taxa e resolução de ataque químico, resistência de folha, resistência de contato da interface silício policristalino/alumínio, largura efetiva da linha de silício policristalino, cargas no óxido de porta, etc. E ainda, foi definido um roteiro de instruções básicas para a construção de um transistor canal N com porta de silício.Abstract: Not informed.MestradoMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Moraes, Wilmar Bueno de, 1939-Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia de CampinasPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASFerreira, Elnatan Chagas, 1955-19841984-12-13T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf1v. (paginação irregular).https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577049FERREIRA, Elnatan Chagas. Obtenção e caracterização de filmes de silicio policristalino para aplicação em tecnologia MOS porta de silicio. 1984. 1v. (paginação irregular) Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577049. Acesso em: 14 mai. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/47112porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2014-04-17T23:23:31Zoai::47112Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2014-04-17T23:23:31Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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