Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Kobayashi, Susumu
Data de Publicação: 1987
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579109
Resumo: Orientador: Carlos I. Z. Mammana
id UNICAMP-30_6e4967316b487c4168983626ade188bb
oai_identifier_str oai::52187
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicioEpitaxiaSilício - Propriedades elétricasOrientador: Carlos I. Z. MammanaDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia EletricaResumo: Foi desenvolvido um sistema de crescimento epitaxial de silício que opera com tetracloreto de silício. O sistema foi inteiramente projetado e construído no Laboratório de Eletrônica e Dispositivos, tendo como objetivos principais a obtenção de camadas epitaxias de silício em substratos de 2,5 polegadas, aquecidos por efeito Joule em um susceptor de grafite, a temperaturas na faixa de 1150 a 1250 graus Celsius. O sistema se baseia na reação do 'Si¿¿Cl IND. 4¿ com hidrogênio que é introduzido na câmara; depois de purificado. Os gases dopantes são a fosfina a diborana e o tricloreto de fósforo de forma a se poder obter camadas dopadas tipos N ou P. O projeto foi efetuado buscando-se utilizar preferencialmente materiais disponíveis no mercado local, e todo o desenho foi efetuado buscando-se garantir a segurança do operador tendo em vista que os gases utilizados são altamente tóxicos e explosivos. O sistema, na sua forma final, mostrou-se versátil, seguro e de fácil operação, permitindo a obtenção de camadas epitaxiais de silício, com condições de temperatura na faixa de 1100 a 1350 graus Celsius, taxa de crescimento de 0,14 a 1,10 micra/min, para a vazão de hidrogênio de 9,2 litros por minuto e vazão de tetracloreto de silício com hidrogênio de 790 mililitros por minuto ... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digitalMestradoMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Mammana, Carlos Ignacio Zamitti, 1941-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia ElétricaPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASKobayashi, Susumu19871987-12-08T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf125 f. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579109KOBAYASHI, Susumu. Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio. 1987. 125 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579109. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/52187porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2017-02-18T02:07:14Zoai::52187Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2017-02-18T02:07:14Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio
title Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio
spellingShingle Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio
Kobayashi, Susumu
Epitaxia
Silício - Propriedades elétricas
title_short Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio
title_full Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio
title_fullStr Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio
title_full_unstemmed Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio
title_sort Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio
author Kobayashi, Susumu
author_facet Kobayashi, Susumu
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Mammana, Carlos Ignacio Zamitti, 1941-
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Kobayashi, Susumu
dc.subject.por.fl_str_mv Epitaxia
Silício - Propriedades elétricas
topic Epitaxia
Silício - Propriedades elétricas
description Orientador: Carlos I. Z. Mammana
publishDate 1987
dc.date.none.fl_str_mv 1987
1987-12-08T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv (Broch.)
https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579109
KOBAYASHI, Susumu. Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio. 1987. 125 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579109. Acesso em: 2 set. 2024.
identifier_str_mv (Broch.)
KOBAYASHI, Susumu. Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio. 1987. 125 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579109. Acesso em: 2 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579109
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/52187
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
125 f. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809188743842627584

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