Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECR

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Manera, Gleison Allan
Data de Publicação: 2004
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1598112
Resumo: Orientador: Jose Alexandre Diniz
id UNICAMP-30_abb2e1dbe624c9a067fb50fca372ff13
oai_identifier_str oai::320664
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECRDielétricosFilmes finosCapacitadoresPlasma (Gases ionizados)Ressonância ciclotrônicaOrientador: Jose Alexandre DinizDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de ComputaçãoResumo: Esta dissertação descreve a obtenção e a caracterização de ultra-finos (5 à 0,5 nm) de oxinitreto de silício (SiOxNy) através da oxidação e/ou nitretação por plasma ECR (Electron Cyclotron Resonance) de alta densidade. O interesse nestes filmes isolantes e nesta tecnologia, que permite reduzir o stress térmico sobre as lâminas, cresce à medida que aumentam os níveis de integração e de complexidade dos atuais dispositivos e circuitos eletrônicos com dimensões menores que 100 nm. Os filmes foram caracterizados por elipsometria, por espectrometria de absorção do infra-vermelho (FTIR) e por microscopia eletrônica de transmissão (TEM). Os plasmas ECR serão caracterizados por espectroscopia por emissão óptica (OES). A caracterização elétrica será executada por medidas de capacitância x tensão (C-V) e de corrente x tensão (I-V). Para aplicação como dielétrico ultra-fino de porta dos atuais transistores com estrutura MIS, os filmes finos deverão apresentar espessuras equivalentes de óxido menores que 5 nm, ligações Si-O e Si-N que confirmam a formação do SiOxNy e densidade de corrente de fuga menores que 10A/cm2Abstract:This dissertation describes the formation and the characterization of ultra-thin (5 à 0,5 nm) silicon oxynitride (SiOxNy) films, through the oxidation and/or nitridation by high density ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma. The interest in these insulator films and in this technology, which allows reduce thermal stress on the wafer, grows with the increase of the integration levels and the complexity of the current devices and electronic circuits with dimensions sub-100 nm The films will be characterized by ellipsometry, infra-red spectrometry (FTIR) and ransmission electron microscopy (TEM). The ECR plasmas are going to characterize by optical emission spectroscopy (OES). The electrical characterization is going to be executed by capacitance x voltage (C-V) and the current x voltage (I-V) measurements. For application, as ultra thin gate dielectric of the current transistors with MIS structure, this films should present equivalent oxide thickness (EOT) smaller than to 5 nm, Si-O and Si-N bonds, which confirm the formation the SiOxNy, and gate leakage current densities smaller than 10A/cm2MestradoEletrônica, Microeletrônica e OptoeletrônicaMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Diniz, José Alexandre, 1964-Tatsch, Peter JürgenDoi, IoshiakiSantos Filho, Sebastião Gomes dosUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de ComputaçãoPrograma de Pós-Graduação não informadoUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASManera, Gleison Allan20042004-05-21T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf86 f. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1598112MANERA, Gleison Allan. Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECR. 2004. 86 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1598112. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/320664porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-05-23T10:58:58Zoai::320664Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-05-23T10:58:58Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECR
title Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECR
spellingShingle Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECR
Manera, Gleison Allan
Dielétricos
Filmes finos
Capacitadores
Plasma (Gases ionizados)
Ressonância ciclotrônica
title_short Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECR
title_full Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECR
title_fullStr Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECR
title_full_unstemmed Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECR
title_sort Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECR
author Manera, Gleison Allan
author_facet Manera, Gleison Allan
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Diniz, José Alexandre, 1964-
Tatsch, Peter Jürgen
Doi, Ioshiaki
Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação
Programa de Pós-Graduação não informado
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Manera, Gleison Allan
dc.subject.por.fl_str_mv Dielétricos
Filmes finos
Capacitadores
Plasma (Gases ionizados)
Ressonância ciclotrônica
topic Dielétricos
Filmes finos
Capacitadores
Plasma (Gases ionizados)
Ressonância ciclotrônica
description Orientador: Jose Alexandre Diniz
publishDate 2004
dc.date.none.fl_str_mv 2004
2004-05-21T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv (Broch.)
https://hdl.handle.net/20.500.12733/1598112
MANERA, Gleison Allan. Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECR. 2004. 86 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1598112. Acesso em: 2 set. 2024.
identifier_str_mv (Broch.)
MANERA, Gleison Allan. Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECR. 2004. 86 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1598112. Acesso em: 2 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1598112
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/320664
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
86 f. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809188910399488000

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