Crescimento e caracterização estrutural de nanoestruturas semicondutoras baseadas na liga InP

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Bortoleto, José Roberto Ribeiro, 1974-
Data de Publicação: 2005
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1599352
Resumo: Orientador: Mônica Alonso Cotta
id UNICAMP-30_ac9fdc43445cd22ed50ec62350d34ffd
oai_identifier_str oai::333660
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Crescimento e caracterização estrutural de nanoestruturas semicondutoras baseadas na liga InPEpitaxiaNanoestruturaMicroscopiaFilmes finos - SuperfíciesFosfeto de índioEpitaxyNanostructuresMicroscopyIndium phosphideThin films - SurfacesOrientador: Mônica Alonso CottaTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Neste trabalho estudamos os mecanismos de crescimento durante a epitaxia de estruturas III-V baseadas na liga InP. Em particular, o principal objetivo foi correlacionar os mecanismos cinéticos durante a nucleação de nanoestruturas auto-formadas com as propriedades estruturais da camada que serve de substrato. Todas as amostras foram crescidas usando um sistema de epitaxia por feixe químico (CBE). De forma geral as amostras foram caracterizadas usando microscopia de força atômica (AFM), microscopia eletrônica de transmissão (TEM), difração de elétrons de alta energia (RHEED) e difração de raios-X. Na primeira parte deste trabalho correlacionamos as mudanças morfológicas nos filmes homoepitaxiais de InP com o padrão de RHEED exibido durante o crescimento epitaxial. Mostramos que as mudanças morfológicas de 3D para 2D com os parâmetros de crescimento estão diretamente relacionadas com as reconstruções superficiais 2x1 e 2x4, respectivamente. Além disso, indicamos que a formação de defeitos morfológicos é devido à dimerização In-P, através da ativação local do mecanismo de bias na difusão. Por outro lado, também investigamos o efeito dos parâmetros de crescimento (temperatura, taxa de crescimento e quantidade de material) na nucleação e auto-formação de ilhas de InP sobre InGaP/GaAs. Na segunda parte desta tese concentramos nossa atenção no efeito das propriedades da camada buffer de InGaP sobre nanoestruturas auto-formadas, principalmente sobre a sua organização espacial. Para tanto, em primeiro lugar, investigamos as propriedades de bulk da liga de InGaP e a dependência com os parâmetros de crescimento. Nossos resultados mostram que o InGaP exibe tanto ordenamento atômico de rede quanto modulação de composição. Estes dois fenômenos estão correlacionados com o tipo de reconstrução superficial. Em específico, a liga de InGaP apresenta ordenamento CuPtB quando a superfície exibe reconstrução superficial 2x1, conforme descrito na literatura. Por outro lado, a reconstrução superficial 2x4 desempenha um papel importante no fenômeno de modulação de composição. De fato, tanto a modulação de composição quanto a morfologia superficial do filme depende dos mecanismos cinéticos de superfície, que envolvem tanto os átomos adsorvidos de In quanto de Ga. Por fim mostramos que a modulação de composição na liga de InGaP pode organizar espacialmente a nucleação de ilhas de InP em uma rede quadrada. Além disso, mostramos que é possível criar redes bidimensionais de pontos quânticos de InAs/GaAs a partir do arranjo espacialmente ordenado das ilhas de InP/InGaPAbstract: In this work we study the growth mechanisms during epitaxy of III-V structures based on InP. The main goal was to correlate the kinetic mechanisms during nucleation of self-assembled nanostructures with the bulk properties of the buffer layer. All samples were grown by chemical beam epitaxy (CBE) and characterized using atomic force microscopy (AFM), transmission electron microscopy (TEM), reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and X-ray diffraction. In the first part of this work we correlate the morphological changes in homoepitaxial InP films with the RHEED pattern during growth process. We show that the morphological transition from 3D to 2D with growth parameters is related to changes in surface reconstruction, from 2x1 to 2x4. Moreover, we point out that the formation of morphological defects is due to mixed In-P dimerization, via the local activation of the diffusion bias mechanism. On the other hand, we also investigate the influence of the growth parameters (temperature, growth rate and amount of deposited material) on the nucleation and selfassembly of InP islands grown on InGaP/GaAs layers. In the second part of this work we concentrate our attention on the InGaP bulk properties, and their effect on the self-assembled InP nanostructures, mainly regarding their spatial ordering. In this way, we first investigate the dependence of InGaP bulk properties with the growth parameters. Our results show that our InGaP layers exhibit atomic ordering as well as compositional modulation. Both phenomena are correlated to the surface reconstruction exhibited by the InGaP surface during growth process. The InGaP alloy presents CuPtB atomic ordering when the RHEED pattern shows 2x1 reconstruction, in agreement with reports in literature. On the other hand, the 2x4-type reconstruction plays an important role in the compositional modulation phenomena. Actually, both compositional modulation and surface morphology of InGaP films depend on surface kinetic mechanisms, and thus on In and Ga adatom mobilities. At last we show that the compositional modulation in the InGaP alloy can be used to organize spatially the InP islands in a square lattice. Moreover, we point out that it is possible to produce bidimensional lattices of InAs/GaAs quantum dots starting from a template of laterally organized InP/InGaP nanostructuresDoutoradoFísica da Matéria CondensadaDoutor em Ciências[s.n.]Cotta, Mônica Alonso, 1963-Rodrigues, Wagner NunesWestfahl Junior, HarryMeneses, Eliermes ArraesSchulz, Peter Alexander BleinrothUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASBortoleto, José Roberto Ribeiro, 1974-20052005-02-17T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf97 p. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1599352BORTOLETO, José Roberto Ribeiro. Crescimento e caracterização estrutural de nanoestruturas semicondutoras baseadas na liga InP. 2005. 97 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1599352. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/333660porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-27T10:56:05Zoai::333660Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-27T10:56:05Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Crescimento e caracterização estrutural de nanoestruturas semicondutoras baseadas na liga InP
title Crescimento e caracterização estrutural de nanoestruturas semicondutoras baseadas na liga InP
spellingShingle Crescimento e caracterização estrutural de nanoestruturas semicondutoras baseadas na liga InP
Bortoleto, José Roberto Ribeiro, 1974-
Epitaxia
Nanoestrutura
Microscopia
Filmes finos - Superfícies
Fosfeto de índio
Epitaxy
Nanostructures
Microscopy
Indium phosphide
Thin films - Surfaces
title_short Crescimento e caracterização estrutural de nanoestruturas semicondutoras baseadas na liga InP
title_full Crescimento e caracterização estrutural de nanoestruturas semicondutoras baseadas na liga InP
title_fullStr Crescimento e caracterização estrutural de nanoestruturas semicondutoras baseadas na liga InP
title_full_unstemmed Crescimento e caracterização estrutural de nanoestruturas semicondutoras baseadas na liga InP
title_sort Crescimento e caracterização estrutural de nanoestruturas semicondutoras baseadas na liga InP
author Bortoleto, José Roberto Ribeiro, 1974-
author_facet Bortoleto, José Roberto Ribeiro, 1974-
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Cotta, Mônica Alonso, 1963-
Rodrigues, Wagner Nunes
Westfahl Junior, Harry
Meneses, Eliermes Arraes
Schulz, Peter Alexander Bleinroth
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin
Programa de Pós-Graduação em Física
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Bortoleto, José Roberto Ribeiro, 1974-
dc.subject.por.fl_str_mv Epitaxia
Nanoestrutura
Microscopia
Filmes finos - Superfícies
Fosfeto de índio
Epitaxy
Nanostructures
Microscopy
Indium phosphide
Thin films - Surfaces
topic Epitaxia
Nanoestrutura
Microscopia
Filmes finos - Superfícies
Fosfeto de índio
Epitaxy
Nanostructures
Microscopy
Indium phosphide
Thin films - Surfaces
description Orientador: Mônica Alonso Cotta
publishDate 2005
dc.date.none.fl_str_mv 2005
2005-02-17T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv (Broch.)
https://hdl.handle.net/20.500.12733/1599352
BORTOLETO, José Roberto Ribeiro. Crescimento e caracterização estrutural de nanoestruturas semicondutoras baseadas na liga InP. 2005. 97 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1599352. Acesso em: 2 set. 2024.
identifier_str_mv (Broch.)
BORTOLETO, José Roberto Ribeiro. Crescimento e caracterização estrutural de nanoestruturas semicondutoras baseadas na liga InP. 2005. 97 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1599352. Acesso em: 2 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1599352
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/333660
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
97 p. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809188918491348992

Registros relacionados