Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Mariano, William Cesar
Data de Publicação: 1996
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584022
Resumo: Orientador: Jacobus Willibrordus Swart
id UNICAMP-30_d9419a023c03f2e1bb07a321b2d47f55
oai_identifier_str oai::111523
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remotoFilmes finosÓxidosNitreto de silícioPlasma (Gases ionizados)Orientador: Jacobus Willibrordus SwartDissertação (Mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de ComputaçãoResumo: Filmes dielétricos, são usados em um grande número de aplicações em componentes semicondutores. Várias técnicas de deposição auxiliadas por plasma vem sendo estudadas a fim de se conseguir materiais isolantes de qualidade que possam ser empregados no processo de fabricação de dispositivos. Neste trabalho, são realizadas deposições de dois filmes dielétricos distintos, com diferentes técnicas de deposição. Filmes de óxido de silício foram obtidos a partir da combinação de dois gases reagentes: silana (SiH4) e oxigênio (02) ou silana e óxido nitroso (N2O), com temperatura entre 300 e 600 °C, e a técnica de deposição química a fase vapor auxiliada por plasma remoto RPECVD, enquanto que os filmes de nitreto de silício foram obtidos a partir da combinação de silana e nitrogênio (N2), com temperatura entre 40 e 90°C e a aplicação da técnica de deposição química a fase vapor auxiliada por plasma e ressonância ciclotron de elétrons. Como características dos filmes, foram realizadas medidas de: taxa de deposição e corrosão, índice de refração e estequiometria. E finalmente, foi feito um estudo do comportamento das características como função dos parâmetros de processo. As melhores condições de processo foram determinadas. Filmes de óxido de silício com as seguintes características podem ser obtidos: taxa de deposição = 100 A/min, taxa de corrosão = 170 A/min, índice de refração = 1,465, estresse tensivo =1,2 x 1010 dyne/cm2 e estequiometria = 1,82. No caso dos filmes de nitreto de silício, as melhores características foram: taxa de deposição = 109 A/min, taxa de corrosão = 190 A/min, índice de refração = 1,995 e Si/N = 0,75Abstract: Dieletric films, are used in a large amount of applications in semicondutors devices. Several plasma enhanced deposition techniques have been studied in order to obtain insulating materiais with quality that can be employed in processes of manufacturing of devices. In this work, depositions of two different dieletric films are studied, with two different techniques. Silicon oxide films were deposited by combination of two reactant gases: Silane (SiH4) and Oxygen (02) or Nitrous Oxide (N2O), in a temperature range from 300 to 600°C and in a Remote Enhanced Plasma Chemical Vapor Deposition - RPECVD system. Silicon Nitride films were obtained by Silane and Nitrogen (N2), in temperature range from 40 to 90°C and in a Electron Cyclotron Resonance Remote Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, ECR - RPECVD system. The characterization of the films were: Deposition rate, Etching rate, Refractive index and Stoichiometry. Finally, the behavior of this characteristics versus process parameters were studied. The best processing conditions were determined Silicon oxide films with the following characteristics can be obtained: Deposition rate =100 Ã/min, Etch - rate = 170 Ãlmin, Refraction index = 1,465, Tensile stress = 1,2 X 1010 dyne/cm2 and Stoichiometry = 1,82. In the case of Silicon nitride, the best characteristics were: Deposition rate = 109 Ã/min, Etch rate = 190 Ã/min, Refraction index = 1,995 and Si/N = 0,75MestradoMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Swart, Jacobus Willibrordus, 1950-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de ComputaçãoPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASMariano, William Cesar19961996-10-02T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf119f. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584022MARIANO, William Cesar. Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto. 1996. 119f. Dissertação (Mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584022. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/111523porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2014-04-18T08:59:06Zoai::111523Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2014-04-18T08:59:06Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto
title Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto
spellingShingle Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto
Mariano, William Cesar
Filmes finos
Óxidos
Nitreto de silício
Plasma (Gases ionizados)
title_short Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto
title_full Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto
title_fullStr Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto
title_full_unstemmed Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto
title_sort Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto
author Mariano, William Cesar
author_facet Mariano, William Cesar
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Swart, Jacobus Willibrordus, 1950-
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Mariano, William Cesar
dc.subject.por.fl_str_mv Filmes finos
Óxidos
Nitreto de silício
Plasma (Gases ionizados)
topic Filmes finos
Óxidos
Nitreto de silício
Plasma (Gases ionizados)
description Orientador: Jacobus Willibrordus Swart
publishDate 1996
dc.date.none.fl_str_mv 1996
1996-10-02T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv (Broch.)
https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584022
MARIANO, William Cesar. Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto. 1996. 119f. Dissertação (Mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584022. Acesso em: 2 set. 2024.
identifier_str_mv (Broch.)
MARIANO, William Cesar. Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto. 1996. 119f. Dissertação (Mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584022. Acesso em: 2 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584022
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/111523
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
119f. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809188790508453888

Registros relacionados