Estudo das propriedades elétricas e morfológicas de transistores de filme fino de óxido de zinco processados por solução

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Braga, João Paulo
Data de Publicação: 2023
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UNESP
Texto Completo: http://hdl.handle.net/11449/244089
Resumo: Esta tese de doutorado é o resultado de alguns trabalhos realizados em estudos de dispositivos eletrônicos à base de óxidos metálicos processados por solução. O primeiro trabalho apresenta um estudo comparativo de como o método de deposição (spray-pirólise e spin-coating) da camada ativa de transistores de filme fino (TFT) afeta as propriedades físicas e o desempenho dos dispositivos. As propriedades dos filmes foram analisadas através de técnicas de espectroscopia de fotoelétrons de raios X (XPS), análise termogravimétrica (TG), microscopia eletrônica de varredura (MEV), difração de raio-x (DRX), espectroscopia UV-Vis e Elipsometria, enquanto as propriedades elétricas foram analisadas através das curvas características de um TFT, analisando a mobilidade dos portadores de carga, tensão limiar e da resistência elétrica dos filmes. O segundo trabalho apresentado nessa tese analisa os efeitos de defeitos intrínsecos na interface entre o semicondutor/isolante em TFT nas propriedades elétricas dos dispositivos através da variação da espessura da camada dielétrica (100, 200 e 300 nm) e da temperatura (80 – 350k). A influência de parâmetros como a estrutura e temperatura permitiram uma análise mais detalhada do transporte de carga de dispositivos TFT, fornecendo, dessa forma, um maior conhecimento das propriedades físicas dos materiais estudados.
id UNSP_12fdf0b2581a31f65d09c5864a705096
oai_identifier_str oai:repositorio.unesp.br:11449/244089
network_acronym_str UNSP
network_name_str Repositório Institucional da UNESP
repository_id_str 2946
spelling Estudo das propriedades elétricas e morfológicas de transistores de filme fino de óxido de zinco processados por soluçãoStudy of the electrical and morphological properties of solution processed zinc oxide thin film transistorsTransistor de ZnOSpray-piróliseSpin-coatingDefeitos intrínsecos de interfaceDispositivos eletrônicosZnO transistorInterface intrinsic defectsElectronic devicesEsta tese de doutorado é o resultado de alguns trabalhos realizados em estudos de dispositivos eletrônicos à base de óxidos metálicos processados por solução. O primeiro trabalho apresenta um estudo comparativo de como o método de deposição (spray-pirólise e spin-coating) da camada ativa de transistores de filme fino (TFT) afeta as propriedades físicas e o desempenho dos dispositivos. As propriedades dos filmes foram analisadas através de técnicas de espectroscopia de fotoelétrons de raios X (XPS), análise termogravimétrica (TG), microscopia eletrônica de varredura (MEV), difração de raio-x (DRX), espectroscopia UV-Vis e Elipsometria, enquanto as propriedades elétricas foram analisadas através das curvas características de um TFT, analisando a mobilidade dos portadores de carga, tensão limiar e da resistência elétrica dos filmes. O segundo trabalho apresentado nessa tese analisa os efeitos de defeitos intrínsecos na interface entre o semicondutor/isolante em TFT nas propriedades elétricas dos dispositivos através da variação da espessura da camada dielétrica (100, 200 e 300 nm) e da temperatura (80 – 350k). A influência de parâmetros como a estrutura e temperatura permitiram uma análise mais detalhada do transporte de carga de dispositivos TFT, fornecendo, dessa forma, um maior conhecimento das propriedades físicas dos materiais estudados.This doctoral thesis results from some work carried out in the study of electronic devices based on metallic oxides processed by solution. The first part of the work presents a comparative study of how the deposition method (spray-pyrolysis and spincoating) of the active layer of thin film transistors (TFT) affects both the physical properties and the performance of the devices. The properties of the films were analyzed using Xray photoelectron spectroscopy (XPS), thermogravimetric analysis (TG), scanning electron microscopy (SEM), x-ray diffraction (XRD), UV-Vis spectroscopy, and ellipsometry, while the electrical properties were analyzed through the characteristic curves of a TFT, analyzing the mobility of charge carriers, threshold voltage and electrical resistance of the films. The second work presented in this thesis analyzes the effects of intrinsic defects at the interface between the semiconductor/insulator in TFT on the electrical properties of the devices by varying the thickness of the dielectric layer (100, 200 and 300 nm) and temperature (80 – 350k). The influence structure and temperature allowed a more detailed analysis of the charge transport of TFT devices, providing greater knowledge of the physical properties of the studied materials.Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)Capes: 001Universidade Estadual Paulista (Unesp)Santos, Lucas Fugikawa [UNESP]Universidade Estadual Paulista (Unesp)Braga, João Paulo2023-06-16T13:25:25Z2023-06-16T13:25:25Z2023-04-20info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11449/24408933004153068P9porinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UNESPinstname:Universidade Estadual Paulista (UNESP)instacron:UNESP2023-10-11T06:07:14Zoai:repositorio.unesp.br:11449/244089Repositório InstitucionalPUBhttp://repositorio.unesp.br/oai/requestopendoar:29462024-08-05T14:37:39.095516Repositório Institucional da UNESP - Universidade Estadual Paulista (UNESP)false
dc.title.none.fl_str_mv Estudo das propriedades elétricas e morfológicas de transistores de filme fino de óxido de zinco processados por solução
Study of the electrical and morphological properties of solution processed zinc oxide thin film transistors
title Estudo das propriedades elétricas e morfológicas de transistores de filme fino de óxido de zinco processados por solução
spellingShingle Estudo das propriedades elétricas e morfológicas de transistores de filme fino de óxido de zinco processados por solução
Braga, João Paulo
Transistor de ZnO
Spray-pirólise
Spin-coating
Defeitos intrínsecos de interface
Dispositivos eletrônicos
ZnO transistor
Interface intrinsic defects
Electronic devices
title_short Estudo das propriedades elétricas e morfológicas de transistores de filme fino de óxido de zinco processados por solução
title_full Estudo das propriedades elétricas e morfológicas de transistores de filme fino de óxido de zinco processados por solução
title_fullStr Estudo das propriedades elétricas e morfológicas de transistores de filme fino de óxido de zinco processados por solução
title_full_unstemmed Estudo das propriedades elétricas e morfológicas de transistores de filme fino de óxido de zinco processados por solução
title_sort Estudo das propriedades elétricas e morfológicas de transistores de filme fino de óxido de zinco processados por solução
author Braga, João Paulo
author_facet Braga, João Paulo
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Santos, Lucas Fugikawa [UNESP]
Universidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.contributor.author.fl_str_mv Braga, João Paulo
dc.subject.por.fl_str_mv Transistor de ZnO
Spray-pirólise
Spin-coating
Defeitos intrínsecos de interface
Dispositivos eletrônicos
ZnO transistor
Interface intrinsic defects
Electronic devices
topic Transistor de ZnO
Spray-pirólise
Spin-coating
Defeitos intrínsecos de interface
Dispositivos eletrônicos
ZnO transistor
Interface intrinsic defects
Electronic devices
description Esta tese de doutorado é o resultado de alguns trabalhos realizados em estudos de dispositivos eletrônicos à base de óxidos metálicos processados por solução. O primeiro trabalho apresenta um estudo comparativo de como o método de deposição (spray-pirólise e spin-coating) da camada ativa de transistores de filme fino (TFT) afeta as propriedades físicas e o desempenho dos dispositivos. As propriedades dos filmes foram analisadas através de técnicas de espectroscopia de fotoelétrons de raios X (XPS), análise termogravimétrica (TG), microscopia eletrônica de varredura (MEV), difração de raio-x (DRX), espectroscopia UV-Vis e Elipsometria, enquanto as propriedades elétricas foram analisadas através das curvas características de um TFT, analisando a mobilidade dos portadores de carga, tensão limiar e da resistência elétrica dos filmes. O segundo trabalho apresentado nessa tese analisa os efeitos de defeitos intrínsecos na interface entre o semicondutor/isolante em TFT nas propriedades elétricas dos dispositivos através da variação da espessura da camada dielétrica (100, 200 e 300 nm) e da temperatura (80 – 350k). A influência de parâmetros como a estrutura e temperatura permitiram uma análise mais detalhada do transporte de carga de dispositivos TFT, fornecendo, dessa forma, um maior conhecimento das propriedades físicas dos materiais estudados.
publishDate 2023
dc.date.none.fl_str_mv 2023-06-16T13:25:25Z
2023-06-16T13:25:25Z
2023-04-20
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://hdl.handle.net/11449/244089
33004153068P9
url http://hdl.handle.net/11449/244089
identifier_str_mv 33004153068P9
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidade Estadual Paulista (Unesp)
publisher.none.fl_str_mv Universidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UNESP
instname:Universidade Estadual Paulista (UNESP)
instacron:UNESP
instname_str Universidade Estadual Paulista (UNESP)
instacron_str UNESP
institution UNESP
reponame_str Repositório Institucional da UNESP
collection Repositório Institucional da UNESP
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UNESP - Universidade Estadual Paulista (UNESP)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1808128390144720896

Registros relacionados