Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos
Autor(a) principal: | |
---|---|
Data de Publicação: | 2016 |
Tipo de documento: | Tese |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS |
Texto Completo: | http://hdl.handle.net/10183/150057 |
Resumo: | A caracterização do strain (deformação) em estruturas cristalinas em filmes finos semicondutores apresenta importantes aplicações tecnológicas, como por exemplo: a formação de defeitos, modificação da estrutura das bandas de condução e valência, e consequentemente modificando a mobilidade de portadores no material. Técnicas de espalhamento com íons de H e He têm sido amplamente empregadas para determinar a deformação, visto que mudanças na canalização ou nas direções de bloqueio podem ser facilmente relacionadas com as deformações no parâmetro de rede. Um novo método, chamado de cartografia-MEIS, é utilizado para determinar a intensidade da deformação estrutural em uma rede cristalográfica. A partir desta técnica, a projeção estereográfica de um único cristal pode ser medida com uma técnica MEIS padrão para um determinado elemento atômico e determinada profundidade. Aqui demonstramos que esta técnica pode ser expandida para caracterizar heteroestruturas SiGe tensas com alta precisão. Em nosso método, não só as principais direções cristalinas são analisados, mas também os índices mais elevados. O método também proporciona sensibilidade elementar com resolução de profundidade e pode ser utilizado em materiais nanoestruturados. A determinação da deformação baseia-se na posição das muitas linhas de bloqueio, ao contrário dos métodos tradicionais, onde duas direções são utilizados. Nós também fornecemos um método para determinar o melhor ajuste nos dados para a deformação na rede, verificando estes resultados a partir de simulações de Monte-Carlo. |
id |
URGS_240cad1b324b89a63e15b5eb7c3e1c66 |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:www.lume.ufrgs.br:10183/150057 |
network_acronym_str |
URGS |
network_name_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS |
repository_id_str |
1853 |
spelling |
Ávila, Tiago Silva deGrande, Pedro LuisFichtner, Paulo Fernando Papaleo2016-12-14T02:16:17Z2016http://hdl.handle.net/10183/150057001005454A caracterização do strain (deformação) em estruturas cristalinas em filmes finos semicondutores apresenta importantes aplicações tecnológicas, como por exemplo: a formação de defeitos, modificação da estrutura das bandas de condução e valência, e consequentemente modificando a mobilidade de portadores no material. Técnicas de espalhamento com íons de H e He têm sido amplamente empregadas para determinar a deformação, visto que mudanças na canalização ou nas direções de bloqueio podem ser facilmente relacionadas com as deformações no parâmetro de rede. Um novo método, chamado de cartografia-MEIS, é utilizado para determinar a intensidade da deformação estrutural em uma rede cristalográfica. A partir desta técnica, a projeção estereográfica de um único cristal pode ser medida com uma técnica MEIS padrão para um determinado elemento atômico e determinada profundidade. Aqui demonstramos que esta técnica pode ser expandida para caracterizar heteroestruturas SiGe tensas com alta precisão. Em nosso método, não só as principais direções cristalinas são analisados, mas também os índices mais elevados. O método também proporciona sensibilidade elementar com resolução de profundidade e pode ser utilizado em materiais nanoestruturados. A determinação da deformação baseia-se na posição das muitas linhas de bloqueio, ao contrário dos métodos tradicionais, onde duas direções são utilizados. Nós também fornecemos um método para determinar o melhor ajuste nos dados para a deformação na rede, verificando estes resultados a partir de simulações de Monte-Carlo.The characterization of the strain in the crystal structures of thin semiconductor films has important technological applications such as, for example, the formation of defects, changes in the structure of the conduction and valence bands, and therefore modifying the mobility of carriers in the material. Scattering techniques with H and He ions have been widely used to determine the deformation, as changes in drains or the blocking directions can be easily related to the deformation of the lattice parameter. A new method, called cartography-MEIS, is used to determine the intensity of the structural deformation in a crystallographic structure. From this technique, the stereographic projection of a single crystal can be measured with a standard MEIS technique for a particular atomic element and given depth. Here we demonstrate that this technique can be expanded to characterize strained SiGe heterostructures with high accuracy. In our method, not only the main crystalline directions are analyzed but also the higher index ones. The method also provides elemental sensitivity with depth resolution and can be used in nano-structured materials. The determination of the strain is based on the position of the many blocking lines contrary to the traditional methods where two directions are used. We also provide a method to determine the lattice deformation fitting the data best and checked it against full Monte-Carlo simulations.application/pdfporFilmes finos semicondutoresDeformaçãoNanoestruturasFeixes de íonsMétodo de Monte CarloÍon beam analysisSiGeBlockingMEISUso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finosinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulInstituto de FísicaPrograma de Pós-Graduação em FísicaPorto Alegre, BR-RS2016doutoradoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSORIGINAL001005454.pdf001005454.pdfTexto completoapplication/pdf43915668http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/150057/1/001005454.pdf65a93865f6f0b91761a100ffd1fdd872MD51TEXT001005454.pdf.txt001005454.pdf.txtExtracted Texttext/plain163706http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/150057/2/001005454.pdf.txt8b2a4eca05d7b1de9b97eb708411cb99MD52THUMBNAIL001005454.pdf.jpg001005454.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1010http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/150057/3/001005454.pdf.jpg04cba91a94dfc46644c2758657a859cdMD5310183/1500572024-07-13 06:41:32.23032oai:www.lume.ufrgs.br:10183/150057Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttps://lume.ufrgs.br/handle/10183/2PUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestlume@ufrgs.br||lume@ufrgs.bropendoar:18532024-07-13T09:41:32Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false |
dc.title.pt_BR.fl_str_mv |
Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos |
title |
Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos |
spellingShingle |
Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos Ávila, Tiago Silva de Filmes finos semicondutores Deformação Nanoestruturas Feixes de íons Método de Monte Carlo Íon beam analysis SiGe Blocking MEIS |
title_short |
Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos |
title_full |
Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos |
title_fullStr |
Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos |
title_full_unstemmed |
Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos |
title_sort |
Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos |
author |
Ávila, Tiago Silva de |
author_facet |
Ávila, Tiago Silva de |
author_role |
author |
dc.contributor.author.fl_str_mv |
Ávila, Tiago Silva de |
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv |
Grande, Pedro Luis |
dc.contributor.advisor-co1.fl_str_mv |
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo |
contributor_str_mv |
Grande, Pedro Luis Fichtner, Paulo Fernando Papaleo |
dc.subject.por.fl_str_mv |
Filmes finos semicondutores Deformação Nanoestruturas Feixes de íons Método de Monte Carlo |
topic |
Filmes finos semicondutores Deformação Nanoestruturas Feixes de íons Método de Monte Carlo Íon beam analysis SiGe Blocking MEIS |
dc.subject.eng.fl_str_mv |
Íon beam analysis SiGe Blocking MEIS |
description |
A caracterização do strain (deformação) em estruturas cristalinas em filmes finos semicondutores apresenta importantes aplicações tecnológicas, como por exemplo: a formação de defeitos, modificação da estrutura das bandas de condução e valência, e consequentemente modificando a mobilidade de portadores no material. Técnicas de espalhamento com íons de H e He têm sido amplamente empregadas para determinar a deformação, visto que mudanças na canalização ou nas direções de bloqueio podem ser facilmente relacionadas com as deformações no parâmetro de rede. Um novo método, chamado de cartografia-MEIS, é utilizado para determinar a intensidade da deformação estrutural em uma rede cristalográfica. A partir desta técnica, a projeção estereográfica de um único cristal pode ser medida com uma técnica MEIS padrão para um determinado elemento atômico e determinada profundidade. Aqui demonstramos que esta técnica pode ser expandida para caracterizar heteroestruturas SiGe tensas com alta precisão. Em nosso método, não só as principais direções cristalinas são analisados, mas também os índices mais elevados. O método também proporciona sensibilidade elementar com resolução de profundidade e pode ser utilizado em materiais nanoestruturados. A determinação da deformação baseia-se na posição das muitas linhas de bloqueio, ao contrário dos métodos tradicionais, onde duas direções são utilizados. Nós também fornecemos um método para determinar o melhor ajuste nos dados para a deformação na rede, verificando estes resultados a partir de simulações de Monte-Carlo. |
publishDate |
2016 |
dc.date.accessioned.fl_str_mv |
2016-12-14T02:16:17Z |
dc.date.issued.fl_str_mv |
2016 |
dc.type.status.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis |
format |
doctoralThesis |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.uri.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/10183/150057 |
dc.identifier.nrb.pt_BR.fl_str_mv |
001005454 |
url |
http://hdl.handle.net/10183/150057 |
identifier_str_mv |
001005454 |
dc.language.iso.fl_str_mv |
por |
language |
por |
dc.rights.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS instname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) instacron:UFRGS |
instname_str |
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) |
instacron_str |
UFRGS |
institution |
UFRGS |
reponame_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS |
collection |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS |
bitstream.url.fl_str_mv |
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/150057/1/001005454.pdf http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/150057/2/001005454.pdf.txt http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/150057/3/001005454.pdf.jpg |
bitstream.checksum.fl_str_mv |
65a93865f6f0b91761a100ffd1fdd872 8b2a4eca05d7b1de9b97eb708411cb99 04cba91a94dfc46644c2758657a859cd |
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv |
MD5 MD5 MD5 |
repository.name.fl_str_mv |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) |
repository.mail.fl_str_mv |
lume@ufrgs.br||lume@ufrgs.br |
_version_ |
1810085386966269952 |