Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Ávila, Tiago Silva de
Data de Publicação: 2016
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/150057
Resumo: A caracterização do strain (deformação) em estruturas cristalinas em filmes finos semicondutores apresenta importantes aplicações tecnológicas, como por exemplo: a formação de defeitos, modificação da estrutura das bandas de condução e valência, e consequentemente modificando a mobilidade de portadores no material. Técnicas de espalhamento com íons de H e He têm sido amplamente empregadas para determinar a deformação, visto que mudanças na canalização ou nas direções de bloqueio podem ser facilmente relacionadas com as deformações no parâmetro de rede. Um novo método, chamado de cartografia-MEIS, é utilizado para determinar a intensidade da deformação estrutural em uma rede cristalográfica. A partir desta técnica, a projeção estereográfica de um único cristal pode ser medida com uma técnica MEIS padrão para um determinado elemento atômico e determinada profundidade. Aqui demonstramos que esta técnica pode ser expandida para caracterizar heteroestruturas SiGe tensas com alta precisão. Em nosso método, não só as principais direções cristalinas são analisados, mas também os índices mais elevados. O método também proporciona sensibilidade elementar com resolução de profundidade e pode ser utilizado em materiais nanoestruturados. A determinação da deformação baseia-se na posição das muitas linhas de bloqueio, ao contrário dos métodos tradicionais, onde duas direções são utilizados. Nós também fornecemos um método para determinar o melhor ajuste nos dados para a deformação na rede, verificando estes resultados a partir de simulações de Monte-Carlo.
id URGS_240cad1b324b89a63e15b5eb7c3e1c66
oai_identifier_str oai:www.lume.ufrgs.br:10183/150057
network_acronym_str URGS
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
repository_id_str 1853
spelling Ávila, Tiago Silva deGrande, Pedro LuisFichtner, Paulo Fernando Papaleo2016-12-14T02:16:17Z2016http://hdl.handle.net/10183/150057001005454A caracterização do strain (deformação) em estruturas cristalinas em filmes finos semicondutores apresenta importantes aplicações tecnológicas, como por exemplo: a formação de defeitos, modificação da estrutura das bandas de condução e valência, e consequentemente modificando a mobilidade de portadores no material. Técnicas de espalhamento com íons de H e He têm sido amplamente empregadas para determinar a deformação, visto que mudanças na canalização ou nas direções de bloqueio podem ser facilmente relacionadas com as deformações no parâmetro de rede. Um novo método, chamado de cartografia-MEIS, é utilizado para determinar a intensidade da deformação estrutural em uma rede cristalográfica. A partir desta técnica, a projeção estereográfica de um único cristal pode ser medida com uma técnica MEIS padrão para um determinado elemento atômico e determinada profundidade. Aqui demonstramos que esta técnica pode ser expandida para caracterizar heteroestruturas SiGe tensas com alta precisão. Em nosso método, não só as principais direções cristalinas são analisados, mas também os índices mais elevados. O método também proporciona sensibilidade elementar com resolução de profundidade e pode ser utilizado em materiais nanoestruturados. A determinação da deformação baseia-se na posição das muitas linhas de bloqueio, ao contrário dos métodos tradicionais, onde duas direções são utilizados. Nós também fornecemos um método para determinar o melhor ajuste nos dados para a deformação na rede, verificando estes resultados a partir de simulações de Monte-Carlo.The characterization of the strain in the crystal structures of thin semiconductor films has important technological applications such as, for example, the formation of defects, changes in the structure of the conduction and valence bands, and therefore modifying the mobility of carriers in the material. Scattering techniques with H and He ions have been widely used to determine the deformation, as changes in drains or the blocking directions can be easily related to the deformation of the lattice parameter. A new method, called cartography-MEIS, is used to determine the intensity of the structural deformation in a crystallographic structure. From this technique, the stereographic projection of a single crystal can be measured with a standard MEIS technique for a particular atomic element and given depth. Here we demonstrate that this technique can be expanded to characterize strained SiGe heterostructures with high accuracy. In our method, not only the main crystalline directions are analyzed but also the higher index ones. The method also provides elemental sensitivity with depth resolution and can be used in nano-structured materials. The determination of the strain is based on the position of the many blocking lines contrary to the traditional methods where two directions are used. We also provide a method to determine the lattice deformation fitting the data best and checked it against full Monte-Carlo simulations.application/pdfporFilmes finos semicondutoresDeformaçãoNanoestruturasFeixes de íonsMétodo de Monte CarloÍon beam analysisSiGeBlockingMEISUso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finosinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulInstituto de FísicaPrograma de Pós-Graduação em FísicaPorto Alegre, BR-RS2016doutoradoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSORIGINAL001005454.pdf001005454.pdfTexto completoapplication/pdf43915668http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/150057/1/001005454.pdf65a93865f6f0b91761a100ffd1fdd872MD51TEXT001005454.pdf.txt001005454.pdf.txtExtracted Texttext/plain163706http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/150057/2/001005454.pdf.txt8b2a4eca05d7b1de9b97eb708411cb99MD52THUMBNAIL001005454.pdf.jpg001005454.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1010http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/150057/3/001005454.pdf.jpg04cba91a94dfc46644c2758657a859cdMD5310183/1500572018-10-30 07:53:18.196oai:www.lume.ufrgs.br:10183/150057Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttps://lume.ufrgs.br/handle/10183/2PUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestlume@ufrgs.br||lume@ufrgs.bropendoar:18532018-10-30T10:53:18Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos
title Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos
spellingShingle Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos
Ávila, Tiago Silva de
Filmes finos semicondutores
Deformação
Nanoestruturas
Feixes de íons
Método de Monte Carlo
Íon beam analysis
SiGe
Blocking
MEIS
title_short Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos
title_full Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos
title_fullStr Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos
title_full_unstemmed Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos
title_sort Uso da técnica de cartografia-MEIS para a determinação da deformação no parâmetro de rede em filmes finos
author Ávila, Tiago Silva de
author_facet Ávila, Tiago Silva de
author_role author
dc.contributor.author.fl_str_mv Ávila, Tiago Silva de
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Grande, Pedro Luis
dc.contributor.advisor-co1.fl_str_mv Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
contributor_str_mv Grande, Pedro Luis
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
dc.subject.por.fl_str_mv Filmes finos semicondutores
Deformação
Nanoestruturas
Feixes de íons
Método de Monte Carlo
topic Filmes finos semicondutores
Deformação
Nanoestruturas
Feixes de íons
Método de Monte Carlo
Íon beam analysis
SiGe
Blocking
MEIS
dc.subject.eng.fl_str_mv Íon beam analysis
SiGe
Blocking
MEIS
description A caracterização do strain (deformação) em estruturas cristalinas em filmes finos semicondutores apresenta importantes aplicações tecnológicas, como por exemplo: a formação de defeitos, modificação da estrutura das bandas de condução e valência, e consequentemente modificando a mobilidade de portadores no material. Técnicas de espalhamento com íons de H e He têm sido amplamente empregadas para determinar a deformação, visto que mudanças na canalização ou nas direções de bloqueio podem ser facilmente relacionadas com as deformações no parâmetro de rede. Um novo método, chamado de cartografia-MEIS, é utilizado para determinar a intensidade da deformação estrutural em uma rede cristalográfica. A partir desta técnica, a projeção estereográfica de um único cristal pode ser medida com uma técnica MEIS padrão para um determinado elemento atômico e determinada profundidade. Aqui demonstramos que esta técnica pode ser expandida para caracterizar heteroestruturas SiGe tensas com alta precisão. Em nosso método, não só as principais direções cristalinas são analisados, mas também os índices mais elevados. O método também proporciona sensibilidade elementar com resolução de profundidade e pode ser utilizado em materiais nanoestruturados. A determinação da deformação baseia-se na posição das muitas linhas de bloqueio, ao contrário dos métodos tradicionais, onde duas direções são utilizados. Nós também fornecemos um método para determinar o melhor ajuste nos dados para a deformação na rede, verificando estes resultados a partir de simulações de Monte-Carlo.
publishDate 2016
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2016-12-14T02:16:17Z
dc.date.issued.fl_str_mv 2016
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://hdl.handle.net/10183/150057
dc.identifier.nrb.pt_BR.fl_str_mv 001005454
url http://hdl.handle.net/10183/150057
identifier_str_mv 001005454
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
instname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
instname_str Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron_str UFRGS
institution UFRGS
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
bitstream.url.fl_str_mv http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/150057/1/001005454.pdf
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/150057/2/001005454.pdf.txt
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/150057/3/001005454.pdf.jpg
bitstream.checksum.fl_str_mv 65a93865f6f0b91761a100ffd1fdd872
8b2a4eca05d7b1de9b97eb708411cb99
04cba91a94dfc46644c2758657a859cd
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
repository.mail.fl_str_mv lume@ufrgs.br||lume@ufrgs.br
_version_ 1800309096984870912